صفحة 10 من المقارنة Samsung Pm991 Nvme M2 128Gb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة Msi Spatium M450 Nvme M2 500Gbمع Samsung Pm991 Nvme M2 128Gb

الميزة	Msi Spatium M450 Nvme M2 500Gb	Samsung Pm991 Nvme M2 128Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
سرعة القراءة التسلسلية	2000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	1000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	2300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	false	false
الجهد التشغيلي		-
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	false	true
مؤشر الحالة LED	false	false
مواصفات ذاكرة الفلاش	-
وحدة التحكم	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط	-	1,500,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة	-
الميزات الإضافية	-	خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E)
الحجم والأبعاد	-	2.15 * 22 * 80 مليمتر (mm)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Samsung Pm991 Nvme M2 128Gbمع Team Group T-Force CARDEA Liquid NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

سامسونغ VS إم جي

الميزة	Samsung Pm991 Nvme M2 128Gb	Team Group T-Force CARDEA Liquid NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
سرعة القراءة التسلسلية	2000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	1000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	2000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	false	false
الجهد التشغيلي		3.3 فولت (v)
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	false	true
مؤشر الحالة LED	false	false
مواصفات ذاكرة الفلاش	-
وحدة التحكم	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
العمر الافتراضي المتوسط	-	2,000,000 ساعة (MTBF) / 800 تيرابايت مكتوبة (TBW)
الأنظمة المتوافقة	-	Windows الإصدار Vista والإصدارات الأحدث / Linux Kernel 2.6.33 والإصدارات الأحدث
الحجم والأبعاد	-	14.1 * 24.3 * 83.9 مليمتر (mm)
وزن المنتج	-	42 جرام (g)
محتويات العلبة	-	سائل تبريد

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Samsung Pm991 Nvme M2 128Gbمع Team Group T-Force CARDEA Zero Z340 NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

سامسونغ VS إم جي

الميزة	Samsung Pm991 Nvme M2 128Gb	Team Group T-Force CARDEA Zero Z340 NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
سرعة القراءة التسلسلية	2000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	1000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	2000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	false	true
الجهد التشغيلي		3.3 فولت (v)
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	false	true
مؤشر الحالة LED	false	false
مواصفات ذاكرة الفلاش	-
وحدة التحكم	-
نوع الذاكرة DRAM	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
العمر الافتراضي المتوسط	-	2,000,000 ساعة (MTBF) / 800 تيرابايت مكتوبة (TBW)
الأنظمة المتوافقة	-	Windows الإصدار Vista والإصدارات الأحدث / Linux Kernel 2.6.33 والإصدارات الأحدث
الحجم والأبعاد	-	3.7 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	-	9 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Samsung Pm991 Nvme M2 128Gbمع Twinmos Nvme M 2 1Tb

سامسونغ VS توينموس

الميزة	Samsung Pm991 Nvme M2 128Gb	Twinmos Nvme M 2 1Tb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة		1 تيرابايت (tb)
سرعة القراءة التسلسلية	2000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	1000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3080 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	false	false
الجهد التشغيلي		3.3 فولت (v)
دعم NCQ	false	true
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	false	true
مؤشر الحالة LED	false	false
مواصفات ذاكرة الفلاش	-
وحدة التحكم	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
العمر الافتراضي المتوسط	-	1,000,000 ساعة (MTBF) / 1000 تيرابايت مكتوبة (TBW)
الأنظمة المتوافقة	-	Windows XP والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية	-	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
الشهادات والتصديقات	-

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Crucial P2 Nvme M2 1Tbمع Samsung Pm991 Nvme M2 128Gb

سامسونغ VS كروشيال

الميزة	Crucial P2 Nvme M2 1Tb	Samsung Pm991 Nvme M2 128Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة		1 تيرابايت (tb)
سرعة القراءة التسلسلية	2000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	2400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	1000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	1800 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	false	false
الجهد التشغيلي		3.3 فولت (v)
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	true
دعم S.M.A.R.T	false	true
مؤشر الحالة LED	false	-
مواصفات ذاكرة الفلاش	-
وحدة التحكم	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
العمر الافتراضي المتوسط	-	1,500,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)
الشهادات والتصديقات	-
الحجم والأبعاد	-	2.4 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	-	20 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Adata Legend 750 Nvme M2 500Gbمع Samsung Pm991 Nvme M2 128Gb

سامسونغ VS أدا

الميزة	Adata Legend 750 Nvme M2 500Gb	Samsung Pm991 Nvme M2 128Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
سرعة القراءة التسلسلية	2000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	1000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	false	false
الجهد التشغيلي		-
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	false	false
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	false	true
مؤشر الحالة LED	false	false
مواصفات ذاكرة الفلاش	-
وحدة التحكم	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط	-	2,000,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW)
تقنية التشفير	-
الميزات الإضافية	-
خيارات الألوان	-	أزرق
الحجم والأبعاد	-	3.1 × 22 × 80 مم مع مبدد حراري / 2.1 × 22 × 80 مم بدون مبدد حراري
وزن المنتج	-	9 جرام مع المشتت الحراري ** 6.2 جرام بدون المشتت الحراري

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Msi Spatium M480 Hs Nvme M2 1Tbمع Samsung Pm991 Nvme M2 128Gb

سامسونغ VS إم إس آي

الميزة	Msi Spatium M480 Hs Nvme M2 1Tb	Samsung Pm991 Nvme M2 128Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة		1 تيرابايت (tb)
سرعة القراءة التسلسلية	2000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	7000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	1000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	5500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	false	true
الجهد التشغيلي		-
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	false	true
مؤشر الحالة LED	false	false
مواصفات ذاكرة الفلاش	-
وحدة التحكم	-
نوع الذاكرة DRAM	-	DDR4 مع ذاكرة تخزين مؤقت 1 جيجابايت
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط	-	1,600,000 ساعة (MTBF) / 700 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة	-
تقنية التشفير	-
الميزات الإضافية	-	خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E)
الحجم والأبعاد	-	2.15 x 22 x 80 مم (بدون مبدد حراري) / 20.4 x 23 x 80.4 مم (مع مبدد حراري)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Lexar Nm620 Nvme M2 512Gbمع Samsung Pm991 Nvme M2 128Gb

سامسونغ VS ليكسار

الميزة	Lexar Nm620 Nvme M2 512Gb	Samsung Pm991 Nvme M2 128Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
سرعة القراءة التسلسلية	2000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	1000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	2400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	false	false
الجهد التشغيلي		-
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	false	false
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	false	false
مؤشر الحالة LED	false	false
مواصفات ذاكرة الفلاش	-
وحدة التحكم	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
العمر الافتراضي المتوسط	-	1,500,000 ساعة (MTBF) / 250 تيرابايت مكتوبة (TBW)
الميزات الإضافية	-
الحجم والأبعاد	-	2.25 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	-	9 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Samsung Pm991 Nvme M2 128Gbمع Samsung PM9B1 NVMe M.2 2242 بسعة 256 جيجابايت

سامسونغ VS سامسونغ

الميزة	Samsung Pm991 Nvme M2 128Gb	Samsung PM9B1 NVMe M.2 2242 بسعة 256 جيجابايت
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
سرعة القراءة التسلسلية	2000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	2400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	1000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	940 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	false	false
الجهد التشغيلي		3.3 فولت (v)
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	false	-
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	false	-
مؤشر الحالة LED	false	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط	-	1,750,000 (MTTF) ساعة (h)
الحجم والأبعاد	-	2.3 * 22 * 42 مليمتر (mm)
وزن المنتج	-	3.9 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Klevv Cras C710 Nvme M2 1Tbمع Samsung Pm991 Nvme M2 128Gb

سامسونغ VS كليف

الميزة	Klevv Cras C710 Nvme M2 1Tb	Samsung Pm991 Nvme M2 128Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة		1 تيرابايت (tb)
سرعة القراءة التسلسلية	2000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	2100 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	1000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	1650 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	false	false
الجهد التشغيلي		-
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	false	false
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	false	true
مؤشر الحالة LED	false	false
مواصفات ذاكرة الفلاش	-
وحدة التحكم	-
الميزات الإضافية	-	دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC / إمكانية مراقبة درجة حرارة الذاكرة / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E) / برنامج Acronis True Image HD 2018
الشهادات والتصديقات	-
الحجم والأبعاد	-	2.2 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	-	7 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Corsair Mp700 Pro Heatsink Nvme M2 2Tbمع Samsung Pm991 Nvme M2 128Gb

سامسونغ VS كورسير

الميزة	Corsair Mp700 Pro Heatsink Nvme M2 2Tb	Samsung Pm991 Nvme M2 128Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة		2 تيرابايت (tb)
سرعة القراءة التسلسلية	2000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	12400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	1000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	11800 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	false	false
الجهد التشغيلي		3.3 فولت (v)
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	false	true
مؤشر الحالة LED	false	false
مواصفات ذاكرة الفلاش	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
العمر الافتراضي المتوسط	-	1,600,000 ساعة (MTBF) / 1400 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة	-
تقنية التشفير	-
الأنظمة المتوافقة	-	Windows 10, 11 / macOS X
الميزات الإضافية	-
وزن المنتج	-	11 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Samsung Pm991 Nvme M2 128Gbمع Western Digital Blue Sn570 Nvme M2 500Gb

سامسونغ VS بلو

الميزة	Samsung Pm991 Nvme M2 128Gb	Western Digital Blue Sn570 Nvme M2 500Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
سرعة القراءة التسلسلية	2000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	1000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	2300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	false	false
الجهد التشغيلي		-
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	false	false
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	false	false
مؤشر الحالة LED	false	false
مواصفات ذاكرة الفلاش	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط	-	1,500,000 ساعة (MTTF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة	-
الميزات الإضافية	-
الشهادات والتصديقات	-
الحجم والأبعاد	-	2.38 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	-	6.5 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة