صفحة 5 من المقارنة محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج PM893

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة كينغستون NV3 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2230 سعة 500 جيجابايتمع محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج PM893

الميزة

كينغستون NV3 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2230 سعة 500 جيجابايت

محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج PM893

سعة الذاكرة 500 GB 960 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND V-NAND TLC
سرعة القراءة التسلسلية 5000 MB/s 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 3000 MB/s 520 MB/s
العمر الافتراضي المتوسط 160 2000000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2230 (22 x 30 mm) (30 * 22 * 2.3 mm) 2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm)
وزن المنتج 2.6 g 70 g
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0 Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes -
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
تقنية التشفير - 256-bit AES
دعم S.M.A.R.T - true
دعم TRIM - true
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 30000 IOPS
الجهد التشغيلي - 5 V

مقارنة SSD داخلي لينوفو 4XB7A87526مع محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج PM893

الميزة

SSD داخلي لينوفو 4XB7A87526

محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج PM893

سعة الذاكرة 1.92 TB 960 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND TLC V-NAND TLC
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 97000 IOPS 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 31000 IOPS 30000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 2000000 saat 2000000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2.5" (70 * 100 * 7 mm) 2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm)
وزن المنتج 70 g 70 g
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
تقنية التشفير Yes 256-bit AES
دعم S.M.A.R.T true true
دعم TRIM - true
سرعة القراءة التسلسلية - 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية - 520 MB/s
الجهد التشغيلي - 5 V

مقارنة كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 4 تيرابايتمع محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج PM893

الميزة

كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 4 تيرابايت

محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج PM893

سعة الذاكرة 4 TB 960 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D TLC V-NAND TLC
سرعة القراءة التسلسلية 14800 MB/s 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 14000 MB/s 520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 2200000 IOPS 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 2200000 IOPS 30000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 2000000 saat 2000000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.3 mm) 2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm)
وزن المنتج 7.7 g 70 g
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 5.0 Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes -
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
تقنية التشفير - 256-bit AES
دعم S.M.A.R.T - true
دعم TRIM - true
الجهد التشغيلي - 5 V

مقارنة قرص صلب داخلي جيجابايت اوروس Gen4 7300مع محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج PM893

الميزة

قرص صلب داخلي جيجابايت اوروس Gen4 7300

محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج PM893

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes -
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0 Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
تقنية التشفير Yes 256-bit AES
دعم S.M.A.R.T true true
دعم TRIM true true
سعة الذاكرة 1 TB 960 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D TLC NAND V-NAND TLC
سرعة القراءة التسلسلية 7300 MB/s 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 6000 MB/s 520 MB/s
العمر الافتراضي المتوسط 700 2000000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.3 mm) 2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 30000 IOPS
الجهد التشغيلي - 5 V
وزن المنتج - 70 g

مقارنة سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتامع محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج PM893

الميزة

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج PM893

تقنية التشفير Yes 256-bit AES
دعم S.M.A.R.T true true
دعم TRIM true true
سعة الذاكرة 250 GB 960 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC V-NAND TLC
سرعة القراءة التسلسلية 550 MB/s 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 520 MB/s 520 MB/s
العمر الافتراضي المتوسط 1500000 saat 2000000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm) 2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm)
وزن المنتج 8 g 70 g
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 30000 IOPS
الجهد التشغيلي - 5 V

مقارنة لينوفو 4XB7A90874 قرص صلب داخليمع محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج PM893

الميزة

لينوفو 4XB7A90874 قرص صلب داخلي

محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج PM893

سعة الذاكرة 960 GB 960 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND TLC V-NAND TLC
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 81000 IOPS 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 28000 IOPS 30000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 2000000 saat 2000000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2.5" (70 * 100 * 7 mm) 2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين No -
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
دعم S.M.A.R.T true true
تقنية التشفير - 256-bit AES
دعم TRIM - true
سرعة القراءة التسلسلية - 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية - 520 MB/s
الجهد التشغيلي - 5 V
وزن المنتج - 70 g

مقارنة سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتامع محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج PM893

الميزة

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج PM893

تقنية التشفير Yes 256-bit AES
دعم S.M.A.R.T true true
دعم TRIM true true
سعة الذاكرة 250 GB 960 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC V-NAND TLC
سرعة القراءة التسلسلية 550 MB/s 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 520 MB/s 520 MB/s
العمر الافتراضي المتوسط 1500000 saat 2000000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm) 2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm)
وزن المنتج 8 g 70 g
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 30000 IOPS
الجهد التشغيلي - 5 V

مقارنة Msi Spatium M570 Hs Nvme M2 2Tbمع محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج PM893

الميزة

Msi Spatium M570 Hs Nvme M2 2Tb

محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج PM893

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 2 تيرابايت (tb) 960 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND TLC
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 10000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 10000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 30000 IOPS
ذاكرة DRAM true -
نوع الذاكرة DRAM DDR4 مع ذاكرة تخزين مؤقت 4 جيجابايت -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 70 درجة مئوية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 1,600,000 ساعة (MTBF) / 1400 تيرابايت مكتوبة (TBW) 2000000 saat
استهلاك الطاقة أقصى استهلاك 11 واط عند الاستخدام -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E) -
الحجم والأبعاد 3.5 x 22 x 80 مم (بدون مبدد حراري) / 20.4 x 23 x 80.4 مم (مع مبدد حراري) 2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm)
مؤشر الحالة LED false -
تقنية التشفير - 256-bit AES
الجهد التشغيلي - 5 V
وزن المنتج - 70 g

مقارنة جيجابايت Nvme M2 128Gbمع محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج PM893

الميزة

جيجابايت Nvme M2 128Gb

محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج PM893

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 960 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND TLC
سرعة القراءة التسلسلية 1100 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 1700 ميجابايت في الثانية (mb/s) 520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 30000 IOPS
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية دعم HMB (مخزن الذاكرة المضيف) / برنامج SSD Tool box -
الحجم والأبعاد 2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm) 2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm)
مؤشر الحالة LED false -
تقنية التشفير - 256-bit AES
العمر الافتراضي المتوسط - 2000000 saat
الجهد التشغيلي - 5 V
وزن المنتج - 70 g

مقارنة Msi Spatium M480 Nvme M2 2Tbمع محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج PM893

الميزة

Msi Spatium M480 Nvme M2 2Tb

محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج PM893

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 2 تيرابايت (tb) 960 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND TLC
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 7000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 6800 ميجابايت في الثانية (mb/s) 520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 30000 IOPS
ذاكرة DRAM true -
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 70 درجة مئوية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 1,600,000 ساعة (MTBF) / 1400 تيرابايت مكتوبة (TBW) 2000000 saat
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true true
تقنية التشفير 256-bit AES
الميزات الإضافية خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E) -
الحجم والأبعاد 2.15 * 22 * 80 مليمتر (mm) 2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm)
وزن المنتج 9.7 جرام (g) 70 g
مؤشر الحالة LED false -
الجهد التشغيلي - 5 V

مقارنة سامسونج 990 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2مع محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج PM893

الميزة

سامسونج 990 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2

محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج PM893

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes -
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0 Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
تقنية التشفير Yes 256-bit AES
دعم S.M.A.R.T true true
دعم TRIM true true
سعة الذاكرة 1 TB 960 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND TLC V-NAND TLC
سرعة القراءة التسلسلية 5000 MB/s 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 4200 MB/s 520 MB/s
العمر الافتراضي المتوسط 600 2000000 saat
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) 2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm)
الشهادات والتصديقات Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 30000 IOPS
الجهد التشغيلي - 5 V
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 - 70 °C
وزن المنتج - 70 g

مقارنة SSD داخلي لينوفو 4XB1L68661مع محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج PM893

الميزة

SSD داخلي لينوفو 4XB1L68661

محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج PM893

سعة الذاكرة 512 GB 960 GB
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 80 °C 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (80 * 22 * 2.38 mm) 2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm)
وزن المنتج 6.5 g 70 g
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0 Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes -
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
تقنية التشفير - 256-bit AES
دعم S.M.A.R.T - true
دعم TRIM - true
مواصفات ذاكرة الفلاش - V-NAND TLC
سرعة القراءة التسلسلية - 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية - 520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 30000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط - 2000000 saat
الجهد التشغيلي - 5 V