صفحة 3 من المقارنة اس اس دي داخلي سامسونج PM1643A

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

$مقارنة سامسونج 990 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2 {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دي داخلي سامسونج PM1643A$

مقارنة سامسونج 990 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2مع اس اس دي داخلي سامسونج PM1643A

سامسونج VS سامسونج

الميزة	سامسونج 990 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2	اس اس دي داخلي سامسونج PM1643A
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0	SAS
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
تقنية التشفير	Yes	-
دعم S.M.A.R.T	true	-
دعم TRIM	true	-
سعة الذاكرة	1 TB	960 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش	V-NAND TLC	-
سرعة القراءة التسلسلية	5000 MB/s	2100 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	4200 MB/s	1000 MB/s
العمر الافتراضي المتوسط	600	-
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm)	2.5"
الشهادات والتصديقات	Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA	-

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دي داخلي سامسونج PM1643A$

مقارنة سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتامع اس اس دي داخلي سامسونج PM1643A

سامسونج VS سامسونج

الميزة	سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا	اس اس دي داخلي سامسونج PM1643A
تقنية التشفير	Yes	-
دعم S.M.A.R.T	true	-
دعم TRIM	true	-
سعة الذاكرة	250 GB	960 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش	V-NAND MLC	-
سرعة القراءة التسلسلية	550 MB/s	2100 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	520 MB/s	1000 MB/s
العمر الافتراضي المتوسط	1500000 saat	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	-
الحجم والأبعاد	M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)	2.5"
وزن المنتج	8 g	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III	SAS
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 2 تيرابايت {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دي داخلي سامسونج PM1643A$

مقارنة كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 2 تيرابايتمع اس اس دي داخلي سامسونج PM1643A

كينغستون VS سامسونج

الميزة	كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 2 تيرابايت	اس اس دي داخلي سامسونج PM1643A
سعة الذاكرة	2 TB	960 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D TLC	-
سرعة القراءة التسلسلية	14700 MB/s	2100 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	14000 MB/s	1000 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	2200000 IOPS	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	2200000 IOPS	-
العمر الافتراضي المتوسط	2000000 saat	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	-
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.3 mm)	2.5"
وزن المنتج	7.7 g	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 5.0	SAS
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes	-
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة Msi Spatium M450 Nvme M2 500Gb {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دي داخلي سامسونج PM1643A$

مقارنة Msi Spatium M450 Nvme M2 500Gbمع اس اس دي داخلي سامسونج PM1643A

إم إس آي VS سامسونج

الميزة	Msi Spatium M450 Nvme M2 500Gb	اس اس دي داخلي سامسونج PM1643A
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		SAS
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة		960 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش		-
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	3600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	2100 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	2300 ميجابايت في الثانية (mb/s)	1000 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	false	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 إلى 70 درجة مئوية	-
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)	-
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	-
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	-
الميزات الإضافية	خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E)	-
الحجم والأبعاد	2.15 * 22 * 80 مليمتر (mm)	2.5"
مؤشر الحالة LED	false	-

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة Msi Spatium M570 Hs Nvme M2 2Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دي داخلي سامسونج PM1643A$

مقارنة Msi Spatium M570 Hs Nvme M2 2Tbمع اس اس دي داخلي سامسونج PM1643A

إم إس آي VS سامسونج

الميزة	Msi Spatium M570 Hs Nvme M2 2Tb	اس اس دي داخلي سامسونج PM1643A
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		SAS
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة	2 تيرابايت (tb)	960 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش		-
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	10000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	2100 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	10000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	1000 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	true	-
نوع الذاكرة DRAM	DDR4 مع ذاكرة تخزين مؤقت 4 جيجابايت	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 إلى 70 درجة مئوية	-
العمر الافتراضي المتوسط	1,600,000 ساعة (MTBF) / 1400 تيرابايت مكتوبة (TBW)	-
استهلاك الطاقة	أقصى استهلاك 11 واط عند الاستخدام	-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	-
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	-
الميزات الإضافية	خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E)	-
الحجم والأبعاد	3.5 x 22 x 80 مم (بدون مبدد حراري) / 20.4 x 23 x 80.4 مم (مع مبدد حراري)	2.5"
مؤشر الحالة LED	false	-

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة لينوفو 4XB1M86954 قرص صلب داخلي {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دي داخلي سامسونج PM1643A$

مقارنة لينوفو 4XB1M86954 قرص صلب داخليمع اس اس دي داخلي سامسونج PM1643A

لينوفو VS سامسونج

الميزة	لينوفو 4XB1M86954 قرص صلب داخلي	اس اس دي داخلي سامسونج PM1643A
سعة الذاكرة	512 GB	960 GB
سرعة القراءة التسلسلية	6900 MB/s	2100 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	4400 MB/s	1000 MB/s
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 80 °C	-
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (80 * 22 * 2.23 mm)	2.5"
وزن المنتج	7.2 g	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0	SAS
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes	-
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة جيجابايت Nvme M2 128Gb {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دي داخلي سامسونج PM1643A$

مقارنة جيجابايت Nvme M2 128Gbمع اس اس دي داخلي سامسونج PM1643A

جيجابايت VS سامسونج

الميزة	جيجابايت Nvme M2 128Gb	اس اس دي داخلي سامسونج PM1643A
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		SAS
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة		960 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش		-
سرعة القراءة التسلسلية	1100 ميجابايت في الثانية (mb/s)	2100 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	1700 ميجابايت في الثانية (mb/s)	1000 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	false	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		-
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	-
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	-
الميزات الإضافية	دعم HMB (مخزن الذاكرة المضيف) / برنامج SSD Tool box	-
الحجم والأبعاد	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)	2.5"
مؤشر الحالة LED	false	-

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة اس اس دي داخلي سامسونج PM1643A {request()->input('language_config')['common']['with']} محرك أقراص سامسونج PM883 SSD الداخلي$

مقارنة اس اس دي داخلي سامسونج PM1643Aمع محرك أقراص سامسونج PM883 SSD الداخلي

سامسونج VS سامسونج

الميزة	اس اس دي داخلي سامسونج PM1643A	محرك أقراص سامسونج PM883 SSD الداخلي
سعة الذاكرة	960 GB	3.84 TB
سرعة القراءة التسلسلية	2100 MB/s	550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	1000 MB/s	520 MB/s
الحجم والأبعاد	2.5"	2.5"
منفذ الاتصال بالذاكرة	SAS	Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-	98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-	30000 IOPS
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 - 70 °C
وزن المنتج	-	58 g
خيارات الألوان	-	Siyah

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة Samsung 990 Pro Nvme M2 4Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دي داخلي سامسونج PM1643A$

مقارنة Samsung 990 Pro Nvme M2 4Tbمع اس اس دي داخلي سامسونج PM1643A

سامسونغ VS سامسونج

الميزة	Samsung 990 Pro Nvme M2 4Tb	اس اس دي داخلي سامسونج PM1643A
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		SAS
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة	4 تيرابايت (tb)	960 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش		-
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	7450 ميجابايت في الثانية (mb/s)	2100 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	6900 ميجابايت في الثانية (mb/s)	1000 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	true	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		-
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)	-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	-
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	false	-
الميزات الإضافية		-
الحجم والأبعاد	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)	2.5"
وزن المنتج	9 جرام (g)	-
مؤشر الحالة LED	false	-

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة كينغستون 3.84 تيرابايت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe SSD للمؤسسات {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دي داخلي سامسونج PM1643A$

مقارنة كينغستون 3.84 تيرابايت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe SSD للمؤسساتمع اس اس دي داخلي سامسونج PM1643A

كينغستون VS سامسونج

الميزة	كينغستون 3.84 تيرابايت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe SSD للمؤسسات	اس اس دي داخلي سامسونج PM1643A
تقنية التشفير	Yes	-
سعة الذاكرة	3.84 TB	960 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D eTLC	-
سرعة القراءة التسلسلية	14000 MB/s	2100 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	5800 MB/s	1000 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	2700000 IOPS	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	300000 IOPS	-
العمر الافتراضي المتوسط	2000000 saat	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	-
الحجم والأبعاد	U.2 (69.8 * 100.5 * 14.8 mm)	2.5"
وزن المنتج	146.2 g	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 5.0	SAS
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes	-
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة قرص صلب داخلي كينغستون NV3 M.2 2230 NVMe بسعة 1 تيرابايت {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دي داخلي سامسونج PM1643A$

مقارنة قرص صلب داخلي كينغستون NV3 M.2 2230 NVMe بسعة 1 تيرابايتمع اس اس دي داخلي سامسونج PM1643A

كينغستون VS سامسونج

الميزة	قرص صلب داخلي كينغستون NV3 M.2 2230 NVMe بسعة 1 تيرابايت	اس اس دي داخلي سامسونج PM1643A
سعة الذاكرة	1 TB	960 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D NAND	-
سرعة القراءة التسلسلية	6000 MB/s	2100 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	4000 MB/s	1000 MB/s
العمر الافتراضي المتوسط	320	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	-
الحجم والأبعاد	2230 (22 x 30 mm) (30 * 22 * 2.3 mm)	2.5"
وزن المنتج	2.8 g	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0	SAS
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes	-
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI818 {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دي داخلي سامسونج PM1643A$

مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI818مع اس اس دي داخلي سامسونج PM1643A

علامة تجارية غير معروفة VS سامسونج

الميزة	قرص صلب داخلي AGI Technology AI818	اس اس دي داخلي سامسونج PM1643A
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0	SAS
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
سعة الذاكرة	2 TB	960 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D NAND	-
سرعة القراءة التسلسلية	5200 MB/s	2100 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	4700 MB/s	1000 MB/s
العمر الافتراضي المتوسط	1200	-
الجهد التشغيلي	3.3 V	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	-
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.1 mm)	2.5"
وزن المنتج	7.5 g	-
دعم S.M.A.R.T	true	-
دعم TRIM	true	-
الشهادات والتصديقات	BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS	-

عرض تفاصيل المقارنة