صفحة 3 من المقارنة Samsung Mzvlb512Hajq Pm981 M2 512Gb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)مع Samsung Mzvlb512Hajq Pm981 M2 512Gb

الميزة

قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

Samsung Mzvlb512Hajq Pm981 M2 512Gb

تقنية التشفير Yes
دعم S.M.A.R.T true false
دعم TRIM true false
سعة الذاكرة 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش QLC
سرعة القراءة التسلسلية 560 MB/s 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 530 MB/s 1800 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 88000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 1500000 saat -
الجهد التشغيلي 5 V 3.3 فولت (v)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm) 2.38 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 46 g 8 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
ذاكرة DRAM - false
دعم NCQ - false
دعم RAID - false
الميزات الإضافية -
الشهادات والتصديقات -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة قرص صلب داخلي DELL 960GB SAS Mixed Use 12Gbps 2.5in Hot-plug PM5-Vمع Samsung Mzvlb512Hajq Pm981 M2 512Gb

الميزة

قرص صلب داخلي DELL 960GB SAS Mixed Use 12Gbps 2.5in Hot-plug PM5-V

Samsung Mzvlb512Hajq Pm981 M2 512Gb

سعة الذاكرة 960 GB
الحجم والأبعاد 2.5" 2.38 * 22 * 80 مليمتر (mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة SAS
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
مواصفات ذاكرة الفلاش -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية - 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية - 1800 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
دعم NCQ - false
دعم TRIM - false
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - false
تقنية التشفير -
الميزات الإضافية -
الشهادات والتصديقات -
وزن المنتج - 8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة محرك أقراص كينغستون DC600M 1920G 2.5 بوصة SATA SSD داخلي للمؤسسات (استخدام مختلط)مع Samsung Mzvlb512Hajq Pm981 M2 512Gb

الميزة

محرك أقراص كينغستون DC600M 1920G 2.5 بوصة SATA SSD داخلي للمؤسسات (استخدام مختلط)

Samsung Mzvlb512Hajq Pm981 M2 512Gb

سعة الذاكرة 1.92 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D TLC NAND
سرعة القراءة التسلسلية 560 MB/s 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 530 MB/s 1800 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 94000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 78000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 3504 -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2.5" (69.8 * 100.1 * 7 mm) 2.38 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 69 g 8 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تقنية التشفير No
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
ذاكرة DRAM - false
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
دعم NCQ - false
دعم TRIM - false
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - false
الميزات الإضافية -
الشهادات والتصديقات -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI298مع Samsung Mzvlb512Hajq Pm981 M2 512Gb

علامة تجارية غير معروفة VS سامسونغ
الميزة

قرص صلب داخلي AGI Technology AI298

Samsung Mzvlb512Hajq Pm981 M2 512Gb

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 3.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
سعة الذاكرة 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية 3200 MB/s 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 1700 MB/s 1800 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 600 -
الجهد التشغيلي 3.3 V 3.3 فولت (v)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 3.5 mm) 2.38 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 6 g 8 جرام (g)
الشهادات والتصديقات BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS, VCCI
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - false
دعم NCQ - false
دعم TRIM - false
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - false
تقنية التشفير -
الميزات الإضافية -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتامع Samsung Mzvlb512Hajq Pm981 M2 512Gb

الميزة

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

Samsung Mzvlb512Hajq Pm981 M2 512Gb

تقنية التشفير Yes
دعم S.M.A.R.T true false
دعم TRIM true false
سعة الذاكرة 250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 550 MB/s 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 520 MB/s 1800 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 1500000 saat -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm) 2.38 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 8 g 8 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - false
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
دعم NCQ - false
دعم RAID - false
الميزات الإضافية -
الشهادات والتصديقات -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة كينغستون 7.68 تيرابايت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe SSD للمؤسساتمع Samsung Mzvlb512Hajq Pm981 M2 512Gb

الميزة

كينغستون 7.68 تيرابايت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe SSD للمؤسسات

Samsung Mzvlb512Hajq Pm981 M2 512Gb

تقنية التشفير Yes
سعة الذاكرة 7.68 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D eTLC
سرعة القراءة التسلسلية 14000 MB/s 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 10000 MB/s 1800 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 2800000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 500000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 2000000 saat -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد U.2 (69.8 * 100.5 * 14.8 mm) 2.38 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 151.3 g 8 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 5.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
ذاكرة DRAM - false
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
دعم NCQ - false
دعم TRIM - false
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - false
الميزات الإضافية -
الشهادات والتصديقات -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 1 تيرابايتمع Samsung Mzvlb512Hajq Pm981 M2 512Gb

الميزة

كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 1 تيرابايت

Samsung Mzvlb512Hajq Pm981 M2 512Gb

سعة الذاكرة 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D TLC
سرعة القراءة التسلسلية 14200 MB/s 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 11000 MB/s 1800 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 2200000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 2150000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 2000000 saat -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.3 mm) 2.38 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 7.3 g 8 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 5.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
ذاكرة DRAM - false
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
دعم NCQ - false
دعم TRIM - false
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - false
تقنية التشفير -
الميزات الإضافية -
الشهادات والتصديقات -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة قرص صلب داخلي HP Z Turbo 1TB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit SSDمع Samsung Mzvlb512Hajq Pm981 M2 512Gb

الميزة

قرص صلب داخلي HP Z Turbo 1TB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit SSD

Samsung Mzvlb512Hajq Pm981 M2 512Gb

سعة الذاكرة 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش TLC
الحجم والأبعاد PCI Express (22 * 80 * 2.38 mm) 2.38 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 9 g 8 جرام (g)
محتويات العلبة HP ZTurbo 1TB 2280 PCIe-4x4 TLC M.2 SSD; Heatsink; Install guide; Product Notices; Warranty Card -
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة -
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية - 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية - 1800 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
دعم NCQ - false
دعم TRIM - false
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - false
تقنية التشفير -
الميزات الإضافية -
الشهادات والتصديقات -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة قرص صلب داخلي جيجابايت اوروس Gen4 7300مع Samsung Mzvlb512Hajq Pm981 M2 512Gb

الميزة

قرص صلب داخلي جيجابايت اوروس Gen4 7300

Samsung Mzvlb512Hajq Pm981 M2 512Gb

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تقنية التشفير Yes
دعم S.M.A.R.T true false
دعم TRIM true false
سعة الذاكرة 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D TLC NAND
سرعة القراءة التسلسلية 7300 MB/s 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 6000 MB/s 1800 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 700 -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.3 mm) 2.38 * 22 * 80 مليمتر (mm)
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - false
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
دعم NCQ - false
دعم RAID - false
الميزات الإضافية -
الشهادات والتصديقات -
وزن المنتج - 8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 4 تيرابايتمع Samsung Mzvlb512Hajq Pm981 M2 512Gb

الميزة

كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 4 تيرابايت

Samsung Mzvlb512Hajq Pm981 M2 512Gb

سعة الذاكرة 4 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D TLC
سرعة القراءة التسلسلية 14800 MB/s 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 14000 MB/s 1800 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 2200000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 2200000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 2000000 saat -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.3 mm) 2.38 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 7.7 g 8 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 5.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
ذاكرة DRAM - false
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
دعم NCQ - false
دعم TRIM - false
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - false
تقنية التشفير -
الميزات الإضافية -
الشهادات والتصديقات -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 4TB (موديل MZ-77Q4T0)مع Samsung Mzvlb512Hajq Pm981 M2 512Gb

الميزة

قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 4TB (موديل MZ-77Q4T0)

Samsung Mzvlb512Hajq Pm981 M2 512Gb

تقنية التشفير Yes
دعم S.M.A.R.T true false
دعم TRIM true false
سعة الذاكرة 4 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 560 MB/s 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 530 MB/s 1800 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 88000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 1500000 saat -
الجهد التشغيلي 5 V 3.3 فولت (v)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm) 2.38 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 46 g 8 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
ذاكرة DRAM - false
دعم NCQ - false
دعم RAID - false
الميزات الإضافية -
الشهادات والتصديقات -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة قرص صلب داخلي ADATA SMAR-980B-2TCSمع Samsung Mzvlb512Hajq Pm981 M2 512Gb

الميزة

قرص صلب داخلي ADATA SMAR-980B-2TCS

Samsung Mzvlb512Hajq Pm981 M2 512Gb

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 5.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تقنية التشفير Yes
سعة الذاكرة 2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية 14000 MB/s 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 13000 MB/s 1800 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 2000000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 1650000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 1480 -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (80 * 22 * 4.5 mm) 2.38 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 12 g 8 جرام (g)
الشهادات والتصديقات BSMI, CE, EAC, Federal Communications Commission (FCC), KC, RCM, RoHS, UKCA
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
ذاكرة DRAM - false
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
دعم NCQ - false
دعم TRIM - false
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - false
الميزات الإضافية -
مؤشر الحالة LED - false