صفحة 7 من المقارنة Samsung Mzplj3T2Hbjr 00007 Pm1735 3 2Tb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة Pny Cs3040 Nvme M2 2Tbمع Samsung Mzplj3T2Hbjr 00007 Pm1735 3 2Tb

الميزة

Pny Cs3040 Nvme M2 2Tb

Samsung Mzplj3T2Hbjr 00007 Pm1735 3 2Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة 2 تيرابايت (tb) 3.2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش -
سرعة القراءة التسلسلية 5600 ميجابايت في الثانية (mb/s) 8000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 4300 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3800 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM true false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 ساعة (MTBF) / 3600 تيرابايت مكتوبة (TBW) -
دعم NCQ false false
دعم TRIM true false
دعم RAID true false
دعم S.M.A.R.T true false
تقنية التشفير -
الأنظمة المتوافقة Windows 7 والإصدارات الأحدث -
الميزات الإضافية خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / محسن توفير الطاقة APST, ASPM, L1.2 / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E) / برنامج PNY PCIe SSD Toolbox
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد 4 * 22 * 80 مليمتر (mm) -
وزن المنتج 6.6 جرام (g) -
مؤشر الحالة LED false -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
استهلاك الطاقة -

مقارنة Lexar Nq100 Sata 2 5 Inch 480Gbمع Samsung Mzplj3T2Hbjr 00007 Pm1735 3 2Tb

الميزة

Lexar Nq100 Sata 2 5 Inch 480Gb

Samsung Mzplj3T2Hbjr 00007 Pm1735 3 2Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة 3.2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 550 ميجابايت في الثانية (mb/s) 8000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM false false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
الجهد التشغيلي -
العمر الافتراضي المتوسط 168 (TBW) تيرابايت (tb) -
دعم NCQ true false
دعم TRIM true false
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true false
الميزات الإضافية
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد 7 * 69.85 * 100.2 مليمتر (mm) -
وزن المنتج 34 جرام (g) -
مؤشر الحالة LED false -
سرعة الكتابة التسلسلية - 3800 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
استهلاك الطاقة -

مقارنة Pny Cs3040 Nvme M2 4Tbمع Samsung Mzplj3T2Hbjr 00007 Pm1735 3 2Tb

الميزة

Pny Cs3040 Nvme M2 4Tb

Samsung Mzplj3T2Hbjr 00007 Pm1735 3 2Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة 4 تيرابايت (tb) 3.2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش -
سرعة القراءة التسلسلية 5600 ميجابايت في الثانية (mb/s) 8000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 3900 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3800 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM true false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 ساعة (MTBF) / 6800 تيرابايت مكتوبة (TBW) -
دعم NCQ false false
دعم TRIM true false
دعم RAID true false
دعم S.M.A.R.T true false
تقنية التشفير -
الأنظمة المتوافقة Windows 7 والإصدارات الأحدث -
الميزات الإضافية خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / محسن توفير الطاقة APST, ASPM, L1.2 / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E) / برنامج PNY PCIe SSD Toolbox
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد 4 * 22 * 80 مليمتر (mm) -
وزن المنتج 6.6 جرام (g) -
مؤشر الحالة LED false -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
استهلاك الطاقة -

مقارنة Samsung 970 Evo 250Gbمع Samsung Mzplj3T2Hbjr 00007 Pm1735 3 2Tb

الميزة

Samsung 970 Evo 250Gb

Samsung Mzplj3T2Hbjr 00007 Pm1735 3 2Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة 3.2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 3400 ميجابايت في الثانية (mb/s) 8000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 1500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3800 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM true false
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
الجهد التشغيلي 3.3 فولت (v) -
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 150 تيرابايت مكتوبة (TBW) -
استهلاك الطاقة
دعم NCQ false false
دعم TRIM true false
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true false
تقنية التشفير -
الحجم والأبعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm) -
وزن المنتج 8 جرام (g) -
مؤشر الحالة LED false -
الميزات الإضافية -

مقارنة Samsung 960 Evo 1Tbمع Samsung Mzplj3T2Hbjr 00007 Pm1735 3 2Tb

الميزة

Samsung 960 Evo 1Tb

Samsung Mzplj3T2Hbjr 00007 Pm1735 3 2Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb) 3.2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 3200 ميجابايت في الثانية (mb/s) 8000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 1900 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3800 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM true false
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 400 تيرابايت مكتوبة (TBW) -
استهلاك الطاقة
دعم NCQ false false
دعم TRIM true false
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true false
تقنية التشفير -
الحجم والأبعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm) -
وزن المنتج 8 جرام (g) -
مؤشر الحالة LED false -
الميزات الإضافية -

مقارنة Samsung 860 Qvo 1Tbمع Samsung Mzplj3T2Hbjr 00007 Pm1735 3 2Tb

الميزة

Samsung 860 Qvo 1Tb

Samsung Mzplj3T2Hbjr 00007 Pm1735 3 2Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb) 3.2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 550 ميجابايت في الثانية (mb/s) 8000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 520 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3800 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM true false
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
الجهد التشغيلي 5 فولت (v) -
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 360 تيرابايت مكتوبة (TBW) -
استهلاك الطاقة
دعم NCQ false false
دعم TRIM true false
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true false
تقنية التشفير -
الحجم والأبعاد 6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm) -
وزن المنتج 62 جرام (g) -
مؤشر الحالة LED false -
الميزات الإضافية -

مقارنة Crucial Bx500 Sata 2 5 Inch 2Tbمع Samsung Mzplj3T2Hbjr 00007 Pm1735 3 2Tb

الميزة

Crucial Bx500 Sata 2 5 Inch 2Tb

Samsung Mzplj3T2Hbjr 00007 Pm1735 3 2Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة 2 تيرابايت (tb) 3.2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 540 ميجابايت في الثانية (mb/s) 8000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3800 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM false false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTTF) / 720 تيرابايت مكتوبة (TBW) -
دعم NCQ false false
دعم TRIM true false
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true false
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد 9 * 95 * 125 مليمتر (mm) -
وزن المنتج 70 جرام (g) -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
استهلاك الطاقة -
الميزات الإضافية -

مقارنة Samsung Mzplj3T2Hbjr 00007 Pm1735 3 2Tbمع Seagate Xbox Series 512Gb

الميزة

Samsung Mzplj3T2Hbjr 00007 Pm1735 3 2Tb

Seagate Xbox Series 512Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي خارجي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين منفذ خاص (مخصص)
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة 3.2 تيرابايت (tb)
سرعة القراءة التسلسلية 8000 ميجابايت في الثانية (mb/s) -
سرعة الكتابة التسلسلية 3800 ميجابايت في الثانية (mb/s) -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false false
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false false
دعم TRIM false false
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T false false
الميزات الإضافية متوافق مع وحدات تحكم Xbox Series X و S / بنية Xbox Velocity لزيادة سرعة التخزين
الحجم والأبعاد - 5 * 76 * 139 مليمتر (mm)
وزن المنتج - 68 جرام (g)
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة Samsung 960 Pro 1Tbمع Samsung Mzplj3T2Hbjr 00007 Pm1735 3 2Tb

الميزة

Samsung 960 Pro 1Tb

Samsung Mzplj3T2Hbjr 00007 Pm1735 3 2Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb) 3.2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 8000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 2100 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3800 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM true false
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 800 تيرابايت مكتوبة (TBW) -
استهلاك الطاقة
دعم NCQ false false
دعم TRIM true false
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true false
تقنية التشفير -
الحجم والأبعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm) -
وزن المنتج 8.5 جرام (g) -
مؤشر الحالة LED false -
الميزات الإضافية -

مقارنة Lexar Nq100 Sata 2 5 Inch 960Gbمع Samsung Mzplj3T2Hbjr 00007 Pm1735 3 2Tb

الميزة

Lexar Nq100 Sata 2 5 Inch 960Gb

Samsung Mzplj3T2Hbjr 00007 Pm1735 3 2Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة 3.2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 550 ميجابايت في الثانية (mb/s) 8000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM false false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
الجهد التشغيلي -
العمر الافتراضي المتوسط 336 (TBW) تيرابايت (tb) -
دعم NCQ true false
دعم TRIM true false
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true false
الميزات الإضافية
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد 7 * 69.85 * 100.2 مليمتر (mm) -
وزن المنتج 34 جرام (g) -
مؤشر الحالة LED false -
سرعة الكتابة التسلسلية - 3800 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
استهلاك الطاقة -

مقارنة Samsung 860 Evo 1Tbمع Samsung Mzplj3T2Hbjr 00007 Pm1735 3 2Tb

الميزة

Samsung 860 Evo 1Tb

Samsung Mzplj3T2Hbjr 00007 Pm1735 3 2Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb) 3.2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 550 ميجابايت في الثانية (mb/s) 8000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 520 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3800 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM true false
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW) -
استهلاك الطاقة
دعم NCQ false false
دعم TRIM true false
دعم RAID true false
دعم S.M.A.R.T true false
تقنية التشفير -
الأنظمة المتوافقة Windows XP Service Pack 2 والإصدارات الأحدث / Windows Server 2003 Service Pack 2 والإصدارات الأحدث -
الحجم والأبعاد 6.8 * 69.8 * 100 مليمتر (mm) -
وزن المنتج 86 جرام (g) -
مؤشر الحالة LED false -
الميزات الإضافية -

مقارنة Sabrent Rocket Q NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايتمع Samsung Mzplj3T2Hbjr 00007 Pm1735 3 2Tb

الميزة

Sabrent Rocket Q NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت

Samsung Mzplj3T2Hbjr 00007 Pm1735 3 2Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb) 3.2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش -
سرعة القراءة التسلسلية 3200 ميجابايت في الثانية (mb/s) 8000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 2000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3800 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM false false
العمر الافتراضي المتوسط 260 (TBW) تيرابايت (tb) -
دعم NCQ false false
دعم TRIM true false
دعم RAID true false
دعم S.M.A.R.T true false
الحجم والأبعاد 10 * 80 * 100 مليمتر (mm) -
مؤشر الحالة LED false -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
استهلاك الطاقة -
الميزات الإضافية -