صفحة 4 من المقارنة Samsung Mzplj3T2Hbjr 00007 Pm1735 3 2Tb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة قرص صلب داخلي ADATA SMAR-980B-2TCSمع Samsung Mzplj3T2Hbjr 00007 Pm1735 3 2Tb

الميزة

قرص صلب داخلي ADATA SMAR-980B-2TCS

Samsung Mzplj3T2Hbjr 00007 Pm1735 3 2Tb

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 5.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تقنية التشفير Yes -
سعة الذاكرة 2 TB 3.2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND -
سرعة القراءة التسلسلية 14000 MB/s 8000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 13000 MB/s 3800 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 2000000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 1650000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 1480 -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C -
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (80 * 22 * 4.5 mm) -
وزن المنتج 12 g -
الشهادات والتصديقات BSMI, CE, EAC, Federal Communications Commission (FCC), KC, RCM, RoHS, UKCA -
تصميم وأبعاد الجهاز -
ذاكرة DRAM - false
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ - false
دعم TRIM - false
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - false
الميزات الإضافية -

مقارنة قرص صلب داخلي DELL 960GB SAS Mixed Use 12Gbps 2.5in Hot-plug PM5-Vمع Samsung Mzplj3T2Hbjr 00007 Pm1735 3 2Tb

الميزة

قرص صلب داخلي DELL 960GB SAS Mixed Use 12Gbps 2.5in Hot-plug PM5-V

Samsung Mzplj3T2Hbjr 00007 Pm1735 3 2Tb

سعة الذاكرة 960 GB 3.2 تيرابايت (tb)
الحجم والأبعاد 2.5" -
منفذ الاتصال بالذاكرة SAS
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سرعة القراءة التسلسلية - 8000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية - 3800 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - false
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ - false
دعم TRIM - false
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - false
الميزات الإضافية -

مقارنة SSD داخلي لينوفو 4XB1L68661مع Samsung Mzplj3T2Hbjr 00007 Pm1735 3 2Tb

الميزة

SSD داخلي لينوفو 4XB1L68661

Samsung Mzplj3T2Hbjr 00007 Pm1735 3 2Tb

سعة الذاكرة 512 GB 3.2 تيرابايت (tb)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 80 °C -
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (80 * 22 * 2.38 mm) -
وزن المنتج 6.5 g -
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز -
سرعة القراءة التسلسلية - 8000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية - 3800 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - false
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ - false
دعم TRIM - false
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - false
الميزات الإضافية -

مقارنة لينوفو 4XB7A90874 قرص صلب داخليمع Samsung Mzplj3T2Hbjr 00007 Pm1735 3 2Tb

الميزة

لينوفو 4XB7A90874 قرص صلب داخلي

Samsung Mzplj3T2Hbjr 00007 Pm1735 3 2Tb

سعة الذاكرة 960 GB 3.2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND TLC -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 81000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 28000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 2000000 saat -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C -
الحجم والأبعاد 2.5" (70 * 100 * 7 mm) -
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين No
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
دعم S.M.A.R.T true false
تصميم وأبعاد الجهاز -
سرعة القراءة التسلسلية - 8000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية - 3800 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM - false
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ - false
دعم TRIM - false
دعم RAID - false
الميزات الإضافية -

مقارنة كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 2 تيرابايتمع Samsung Mzplj3T2Hbjr 00007 Pm1735 3 2Tb

الميزة

كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 2 تيرابايت

Samsung Mzplj3T2Hbjr 00007 Pm1735 3 2Tb

سعة الذاكرة 2 TB 3.2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D TLC -
سرعة القراءة التسلسلية 14700 MB/s 8000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 14000 MB/s 3800 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 2200000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 2200000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 2000000 saat -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C -
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.3 mm) -
وزن المنتج 7.7 g -
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 5.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز -
ذاكرة DRAM - false
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ - false
دعم TRIM - false
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - false
الميزات الإضافية -

مقارنة Samsung Mzplj3T2Hbjr 00007 Pm1735 3 2Tbمع KingSpec 512GB NVMe Gen3x4 SSD M.2 2280

الميزة

Samsung Mzplj3T2Hbjr 00007 Pm1735 3 2Tb

KingSpec 512GB NVMe Gen3x4 SSD M.2 2280

نوع استخدام الذاكرة داخلي محرك أقراص الحالة الصلبة داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة M.2 2280
تفاصيل الاتصال بالتخزين NVMe Gen3x4
تصميم وأبعاد الجهاز عامل شكل M.2 2280
سعة الذاكرة 3.2 تيرابايت (tb) 512 جيجابايت
سرعة القراءة التسلسلية 8000 ميجابايت في الثانية (mb/s) تصل إلى 2400 ميجابايت/ثانية
سرعة الكتابة التسلسلية 3800 ميجابايت في الثانية (mb/s) -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false -
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false -
دعم TRIM false نعم
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T false نعم
الميزات الإضافية تسوية التآكل، LDPC ECC، حماية البيانات من طرف إلى طرف
نوع الاتصال - NVMe Gen3x4
مواصفات ذاكرة الفلاش - ذاكرة فلاش NAND ثلاثية الأبعاد (TLC/QLC)
وحدة التحكم - وحدة تحكم رئيسية عالية الجودة
الأنظمة المتوافقة - Windows 7-10، RHEL، CentOS، Linux، Ubuntu
الحجم والأبعاد - M.2 2280
محتويات العلبة - SSD، وثائق

مقارنة Samsung Mzplj3T2Hbjr 00007 Pm1735 3 2Tbمع محرك أقراص XPG GAMMIX S60 SSD الداخلي

الميزة

Samsung Mzplj3T2Hbjr 00007 Pm1735 3 2Tb

محرك أقراص XPG GAMMIX S60 SSD الداخلي

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 3.2 تيرابايت (tb) 1 TB
سرعة القراءة التسلسلية 8000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 5000 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 3800 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3200 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false -
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false -
دعم TRIM false -
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T false true
الميزات الإضافية -
مواصفات ذاكرة الفلاش - 3D NAND
العمر الافتراضي المتوسط - 250
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد - 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 3.13 mm)
وزن المنتج - 8 g
تقنية التشفير - Yes

مقارنة Samsung Mzplj3T2Hbjr 00007 Pm1735 3 2Tbمع WD_Black SN7100 2TB NVMe SSD

الميزة

Samsung Mzplj3T2Hbjr 00007 Pm1735 3 2Tb

WD_Black SN7100 2TB NVMe SSD

نوع استخدام الذاكرة داخلي ألعاب؛ لابتوب
منفذ الاتصال بالذاكرة M.2
تفاصيل الاتصال بالتخزين PCIe Gen4 x4؛ NVMe
تصميم وأبعاد الجهاز عامل شكل M.2 2280
سعة الذاكرة 3.2 تيرابايت (tb) 2 تيرابايت
سرعة القراءة التسلسلية 8000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 7,250 ميجابايت/ثانية
سرعة الكتابة التسلسلية 3800 ميجابايت في الثانية (mb/s) 6,900 ميجابايت/ثانية
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false -
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false -
دعم TRIM false -
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T false -
الميزات الإضافية برنامج WD_BLACK Dashboard (Windows فقط)؛ كفاءة طاقة أعلى بنسبة تصل إلى 100% مقارنة بالجيل السابق؛ أداء أسرع بنسبة تصل إلى 35% مقارنة بالجيل السابق
نوع الاتصال - M.2 NVMe PCIe Gen4
مواصفات ذاكرة الفلاش - TLC 3D NAND
الأنظمة المتوافقة - Windows (لوظيفة لوحة التحكم)
الحجم والأبعاد - M.2 2280

مقارنة Samsung Mzplj3T2Hbjr 00007 Pm1735 3 2Tbمع محرك أقراص سيجيت Nytro 5000 SSD الداخلي

الميزة

Samsung Mzplj3T2Hbjr 00007 Pm1735 3 2Tb

محرك أقراص سيجيت Nytro 5000 SSD الداخلي

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 3.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 3.2 تيرابايت (tb) 1.92 TB
سرعة القراءة التسلسلية 8000 ميجابايت في الثانية (mb/s) -
سرعة الكتابة التسلسلية 3800 ميجابايت في الثانية (mb/s) -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 245000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 28000 IOPS
ذاكرة DRAM false -
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false -
دعم TRIM false -
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T false -
الميزات الإضافية -
مواصفات ذاكرة الفلاش - 3D cMLC
العمر الافتراضي المتوسط - 2000000 saat
الحجم والأبعاد - M.2 (22 * 110 * 2 mm)
وزن المنتج - 14 g
خيارات الألوان - Black, Green

مقارنة Samsung 960 Pro 512Gbمع Samsung Mzplj3T2Hbjr 00007 Pm1735 3 2Tb

الميزة

Samsung 960 Pro 512Gb

Samsung Mzplj3T2Hbjr 00007 Pm1735 3 2Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة 3.2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 8000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 2100 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3800 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM true false
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 400 تيرابايت مكتوبة (TBW) -
استهلاك الطاقة
دعم NCQ false false
دعم TRIM true false
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true false
تقنية التشفير -
الحجم والأبعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm) -
وزن المنتج 8.3 جرام (g) -
مؤشر الحالة LED false -
الميزات الإضافية -

مقارنة قرص صلب داخلي جيجابايت اوروس Gen4 7300مع Samsung Mzplj3T2Hbjr 00007 Pm1735 3 2Tb

الميزة

قرص صلب داخلي جيجابايت اوروس Gen4 7300

Samsung Mzplj3T2Hbjr 00007 Pm1735 3 2Tb

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تقنية التشفير Yes -
دعم S.M.A.R.T true false
دعم TRIM true false
سعة الذاكرة 1 TB 3.2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D TLC NAND -
سرعة القراءة التسلسلية 7300 MB/s 8000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 6000 MB/s 3800 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 700 -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C -
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.3 mm) -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - false
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ - false
دعم RAID - false
الميزات الإضافية -

مقارنة سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتامع Samsung Mzplj3T2Hbjr 00007 Pm1735 3 2Tb

الميزة

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

Samsung Mzplj3T2Hbjr 00007 Pm1735 3 2Tb

تقنية التشفير Yes -
دعم S.M.A.R.T true false
دعم TRIM true false
سعة الذاكرة 250 GB 3.2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC -
سرعة القراءة التسلسلية 550 MB/s 8000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 520 MB/s 3800 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 1500000 saat -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C -
الحجم والأبعاد M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm) -
وزن المنتج 8 g -
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - false
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ - false
دعم RAID - false
الميزات الإضافية -