صفحة 3 من المقارنة Samsung Mzplj3T2Hbjr 00007 Pm1735 3 2Tb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة كينغستون 7.68 تيرابايت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe SSD للمؤسساتمع Samsung Mzplj3T2Hbjr 00007 Pm1735 3 2Tb

الميزة	كينغستون 7.68 تيرابايت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe SSD للمؤسسات	Samsung Mzplj3T2Hbjr 00007 Pm1735 3 2Tb
تقنية التشفير	Yes	-
سعة الذاكرة	7.68 TB	3.2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D eTLC	-
سرعة القراءة التسلسلية	14000 MB/s	8000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	10000 MB/s	3800 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	2800000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	500000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	2000000 saat	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	-
الحجم والأبعاد	U.2 (69.8 * 100.5 * 14.8 mm)	-
وزن المنتج	151.3 g	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 5.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز	-
ذاكرة DRAM	-	false
استهلاك الطاقة	-
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	false
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	false
الميزات الإضافية	-

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة لينوفو 4XB1M86954 قرص صلب داخليمع Samsung Mzplj3T2Hbjr 00007 Pm1735 3 2Tb

لينوفو VS سامسونغ

الميزة	لينوفو 4XB1M86954 قرص صلب داخلي	Samsung Mzplj3T2Hbjr 00007 Pm1735 3 2Tb
سعة الذاكرة	512 GB	3.2 تيرابايت (tb)
سرعة القراءة التسلسلية	6900 MB/s	8000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	4400 MB/s	3800 ميجابايت في الثانية (mb/s)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 80 °C	-
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (80 * 22 * 2.23 mm)	-
وزن المنتج	7.2 g	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	false
استهلاك الطاقة	-
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	false
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	false
الميزات الإضافية	-

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Samsung Mzplj3T2Hbjr 00007 Pm1735 3 2Tbمع

سامسونغ VS سامسونغ

الميزة	Samsung Mzplj3T2Hbjr 00007 Pm1735 3 2Tb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	ذاكرة فلاش NAND
منفذ الاتصال بالذاكرة		M.2 2280
تفاصيل الاتصال بالتخزين		PCIe Gen 4x4 / PCIe Gen 5x2
تصميم وأبعاد الجهاز		عامل شكل M.2 2280
سعة الذاكرة	3.2 تيرابايت (tb)	1 تيرابايت
سرعة القراءة التسلسلية	8000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	7150 ميجابايت/ثانية
سرعة الكتابة التسلسلية	3800 ميجابايت في الثانية (mb/s)	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	false	-
استهلاك الطاقة		فعال
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	false	-
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	false	-
الميزات الإضافية		تقنية HMB، Intelligent Turbowrite 2.0
نوع الاتصال	-	NVMe
مواصفات ذاكرة الفلاش	-	أحدث ذاكرة NAND
وحدة التحكم	-	وحدة تحكم مطلية بالنيكل
الأنظمة المتوافقة	-	كمبيوتر شخصي، أجهزة كمبيوتر محمولة
تقنية التشفير	-
الحجم والأبعاد	-	M.2 2280
محتويات العلبة	-	SSD (MZ-V9S1T0B/AM)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة قرص صلب داخلي HP Z Turbo 4TB M.2 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC Z4/Z6 Kit SSDمع Samsung Mzplj3T2Hbjr 00007 Pm1735 3 2Tb

إتش بي VS سامسونغ

الميزة	قرص صلب داخلي HP Z Turbo 4TB M.2 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC Z4/Z6 Kit SSD	Samsung Mzplj3T2Hbjr 00007 Pm1735 3 2Tb
وزن المنتج	164 g	-
الحجم والأبعاد	82 * 30 * 12 mm	-
محتويات العلبة	Z Turbo 4TB 2280 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC M.2 Z4/Z6 Kit SSD, heatsink, install guide, warranty card, product notices	-
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة	-
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
سعة الذاكرة	-	3.2 تيرابايت (tb)
سرعة القراءة التسلسلية	-	8000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	-	3800 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	false
استهلاك الطاقة	-
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	false
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	false
الميزات الإضافية	-

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة كينغستون NV3 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2230 سعة 500 جيجابايتمع Samsung Mzplj3T2Hbjr 00007 Pm1735 3 2Tb

كينغستون VS سامسونغ

الميزة	كينغستون NV3 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2230 سعة 500 جيجابايت	Samsung Mzplj3T2Hbjr 00007 Pm1735 3 2Tb
سعة الذاكرة	500 GB	3.2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D NAND	-
سرعة القراءة التسلسلية	5000 MB/s	8000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	3000 MB/s	3800 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط	160	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	-
الحجم والأبعاد	2230 (22 x 30 mm) (30 * 22 * 2.3 mm)	-
وزن المنتج	2.6 g	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	false
استهلاك الطاقة	-
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	false
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	false
الميزات الإضافية	-

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)مع Samsung Mzplj3T2Hbjr 00007 Pm1735 3 2Tb

سامسونج VS سامسونغ

الميزة	قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)	Samsung Mzplj3T2Hbjr 00007 Pm1735 3 2Tb
تقنية التشفير	Yes	-
دعم S.M.A.R.T	true	false
دعم TRIM	true	false
سعة الذاكرة	1 TB	3.2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش	QLC	-
سرعة القراءة التسلسلية	560 MB/s	8000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	530 MB/s	3800 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	88000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	1500000 saat	-
الجهد التشغيلي	5 V	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	-
الحجم والأبعاد	2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)	-
وزن المنتج	46 g	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
ذاكرة DRAM	-	false
استهلاك الطاقة	-
دعم NCQ	-	false
دعم RAID	-	false
الميزات الإضافية	-

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI828مع Samsung Mzplj3T2Hbjr 00007 Pm1735 3 2Tb

علامة تجارية غير معروفة VS سامسونغ

الميزة	قرص صلب داخلي AGI Technology AI828	Samsung Mzplj3T2Hbjr 00007 Pm1735 3 2Tb
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
سعة الذاكرة	2 TB	3.2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D NAND	-
سرعة القراءة التسلسلية	7400 MB/s	8000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	6700 MB/s	3800 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط	1500	-
الجهد التشغيلي	3.3 V	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	-
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 3.5 mm)	-
وزن المنتج	7.5 g	-
دعم S.M.A.R.T	true	false
دعم TRIM	true	false
الشهادات والتصديقات	BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	false
استهلاك الطاقة	-
دعم NCQ	-	false
دعم RAID	-	false
الميزات الإضافية	-

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة سامسونج 970 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2مع Samsung Mzplj3T2Hbjr 00007 Pm1735 3 2Tb

سامسونج VS سامسونغ

الميزة	سامسونج 970 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2	Samsung Mzplj3T2Hbjr 00007 Pm1735 3 2Tb
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 3.0
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تقنية التشفير	Yes	-
دعم S.M.A.R.T	true	false
دعم TRIM	true	false
سعة الذاكرة	1 TB	3.2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش	V-NAND MLC	-
سرعة القراءة التسلسلية	3400 MB/s	8000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	2500 MB/s	3800 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط	1500000 saat	-
الجهد التشغيلي	3.3 V	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	-
الحجم والأبعاد	M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)	-
وزن المنتج	8 g	-
خيارات الألوان	Siyah	-
الشهادات والتصديقات	RoHS	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	false
استهلاك الطاقة	-
دعم NCQ	-	false
دعم RAID	-	false
الميزات الإضافية	-

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة قرص صلب داخلي كينغستون NV3 M.2 2230 NVMe بسعة 2 تيرابايتمع Samsung Mzplj3T2Hbjr 00007 Pm1735 3 2Tb

كينغستون VS سامسونغ

الميزة	قرص صلب داخلي كينغستون NV3 M.2 2230 NVMe بسعة 2 تيرابايت	Samsung Mzplj3T2Hbjr 00007 Pm1735 3 2Tb
سعة الذاكرة	2 TB	3.2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D NAND	-
سرعة القراءة التسلسلية	6000 MB/s	8000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	5000 MB/s	3800 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط	640	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	-
الحجم والأبعاد	2230 (22 x 30 mm) (30 * 22 * 2.3 mm)	-
وزن المنتج	2.8 g	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	false
استهلاك الطاقة	-
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	false
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	false
الميزات الإضافية	-

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة SSD داخلي لينوفو 4XB7A87526مع Samsung Mzplj3T2Hbjr 00007 Pm1735 3 2Tb

لينوفو VS سامسونغ

الميزة	SSD داخلي لينوفو 4XB7A87526	Samsung Mzplj3T2Hbjr 00007 Pm1735 3 2Tb
سعة الذاكرة	1.92 TB	3.2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش	V-NAND TLC	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	97000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	31000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	2000000 saat	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	-
الحجم والأبعاد	2.5" (70 * 100 * 7 mm)	-
وزن المنتج	70 g	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تقنية التشفير	Yes	-
دعم S.M.A.R.T	true	false
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
سرعة القراءة التسلسلية	-	8000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	-	3800 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	-	false
استهلاك الطاقة	-
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	false
دعم RAID	-	false
الميزات الإضافية	-

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتامع Samsung Mzplj3T2Hbjr 00007 Pm1735 3 2Tb

سامسونج VS سامسونغ

الميزة	سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا	Samsung Mzplj3T2Hbjr 00007 Pm1735 3 2Tb
تقنية التشفير	Yes	-
دعم S.M.A.R.T	true	false
دعم TRIM	true	false
سعة الذاكرة	250 GB	3.2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش	V-NAND MLC	-
سرعة القراءة التسلسلية	550 MB/s	8000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	520 MB/s	3800 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط	1500000 saat	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	-
الحجم والأبعاد	M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)	-
وزن المنتج	8 g	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	false
استهلاك الطاقة	-
دعم NCQ	-	false
دعم RAID	-	false
الميزات الإضافية	-

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة محرك أقراص DELL 345-BGPN SSD الداخليمع Samsung Mzplj3T2Hbjr 00007 Pm1735 3 2Tb

ديل VS سامسونغ

الميزة	محرك أقراص DELL 345-BGPN SSD الداخلي	Samsung Mzplj3T2Hbjr 00007 Pm1735 3 2Tb
سعة الذاكرة	1.6 TB	3.2 تيرابايت (tb)
الحجم والأبعاد	2.5"	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	SAS
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تقنية التشفير	Yes	-
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
سرعة القراءة التسلسلية	-	8000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	-	3800 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	false
استهلاك الطاقة	-
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	false
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	false
الميزات الإضافية	-

عرض تفاصيل المقارنة