صفحة 2 من المقارنة Samsung Mz Jpu512Ta06 256Gb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة قرص صلب داخلي جيجابايت اوروس Gen4 7300مع Samsung Mz Jpu512Ta06 256Gb

الميزة

قرص صلب داخلي جيجابايت اوروس Gen4 7300

Samsung Mz Jpu512Ta06 256Gb

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تقنية التشفير Yes -
دعم S.M.A.R.T true false
دعم TRIM true false
سعة الذاكرة 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D TLC NAND
سرعة القراءة التسلسلية 7300 MB/s -
سرعة الكتابة التسلسلية 6000 MB/s -
العمر الافتراضي المتوسط 700 -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C -
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.3 mm) 80 * 22 مليمتر (mm)
تصميم وأبعاد الجهاز -
ذاكرة DRAM - false
دعم NCQ - false
دعم RAID - false
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI828مع Samsung Mz Jpu512Ta06 256Gb

علامة تجارية غير معروفة VS سامسونغ
الميزة

قرص صلب داخلي AGI Technology AI828

Samsung Mz Jpu512Ta06 256Gb

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
سعة الذاكرة 2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية 7400 MB/s -
سرعة الكتابة التسلسلية 6700 MB/s -
العمر الافتراضي المتوسط 1500 -
الجهد التشغيلي 3.3 V -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C -
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 3.5 mm) 80 * 22 مليمتر (mm)
وزن المنتج 7.5 g -
دعم S.M.A.R.T true false
دعم TRIM true false
الشهادات والتصديقات BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS -
تصميم وأبعاد الجهاز -
ذاكرة DRAM - false
دعم NCQ - false
دعم RAID - false
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة Samsung Mz Jpu512Ta06 256Gbمع محرك أقراص سامسونج PM883 SSD الداخلي

الميزة

Samsung Mz Jpu512Ta06 256Gb

محرك أقراص سامسونج PM883 SSD الداخلي

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 3.84 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش -
ذاكرة DRAM false -
دعم NCQ false -
دعم TRIM false -
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T false -
الحجم والأبعاد 80 * 22 مليمتر (mm) 2.5"
مؤشر الحالة LED false -
سرعة القراءة التسلسلية - 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية - 520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 30000 IOPS
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 - 70 °C
وزن المنتج - 58 g
خيارات الألوان - Siyah

مقارنة Samsung Mz Jpu512Ta06 256Gbمع محرك أقراص XPG GAMMIX S60 SSD الداخلي

الميزة

Samsung Mz Jpu512Ta06 256Gb

محرك أقراص XPG GAMMIX S60 SSD الداخلي

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND
ذاكرة DRAM false -
دعم NCQ false -
دعم TRIM false -
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T false true
الحجم والأبعاد 80 * 22 مليمتر (mm) 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 3.13 mm)
مؤشر الحالة LED false -
سرعة القراءة التسلسلية - 5000 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية - 3200 MB/s
العمر الافتراضي المتوسط - 250
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 - 70 °C
وزن المنتج - 8 g
تقنية التشفير - Yes

مقارنة Samsung Mz Jpu512Ta06 256Gbمع Seagate FireCuda 120 محرك أقراص صلبة داخلي

الميزة

Samsung Mz Jpu512Ta06 256Gb

Seagate FireCuda 120 محرك أقراص صلبة داخلي

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين No
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D TLC
ذاكرة DRAM false -
دعم NCQ false -
دعم TRIM false true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T false true
الحجم والأبعاد 80 * 22 مليمتر (mm) 2.5" (70.1 * 100.3 * 7.1 mm)
مؤشر الحالة LED false -
سرعة القراءة التسلسلية - 560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية - 540 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 100000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 90000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط - 1400
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 - 70 °C
وزن المنتج - 50 g
الشهادات والتصديقات - RoHS

مقارنة كينغستون NV3 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2230 سعة 500 جيجابايتمع Samsung Mz Jpu512Ta06 256Gb

الميزة

كينغستون NV3 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2230 سعة 500 جيجابايت

Samsung Mz Jpu512Ta06 256Gb

سعة الذاكرة 500 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية 5000 MB/s -
سرعة الكتابة التسلسلية 3000 MB/s -
العمر الافتراضي المتوسط 160 -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C -
الحجم والأبعاد 2230 (22 x 30 mm) (30 * 22 * 2.3 mm) 80 * 22 مليمتر (mm)
وزن المنتج 2.6 g -
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز -
ذاكرة DRAM - false
دعم NCQ - false
دعم TRIM - false
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - false
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة SSD داخلي لينوفو 4XB1D04758مع Samsung Mz Jpu512Ta06 256Gb

الميزة

SSD داخلي لينوفو 4XB1D04758

Samsung Mz Jpu512Ta06 256Gb

سعة الذاكرة 2 TB
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 76 °C -
الحجم والأبعاد M.2 (80 * 22 * 2.38 mm) 80 * 22 مليمتر (mm)
وزن المنتج 9 g -
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز -
مواصفات ذاكرة الفلاش -
ذاكرة DRAM - false
دعم NCQ - false
دعم TRIM - false
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - false
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة iStorage Kanguru Defender SED30 قرص صلب داخلي NVMe M.2 ذاتي التشفير 1 تيرابايتمع Samsung Mz Jpu512Ta06 256Gb

الميزة

iStorage Kanguru Defender SED30 قرص صلب داخلي NVMe M.2 ذاتي التشفير 1 تيرابايت

Samsung Mz Jpu512Ta06 256Gb

تقنية التشفير Yes -
سعة الذاكرة 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D TLC
سرعة القراءة التسلسلية 7200 MB/s -
سرعة الكتابة التسلسلية 6500 MB/s -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 1000000 IOPS -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 1000000 IOPS -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C -
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 mm * 80 mm) 80 * 22 مليمتر (mm)
وزن المنتج 14 g -
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز -
ذاكرة DRAM - false
دعم NCQ - false
دعم TRIM - false
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - false
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتامع Samsung Mz Jpu512Ta06 256Gb

الميزة

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

Samsung Mz Jpu512Ta06 256Gb

تقنية التشفير Yes -
دعم S.M.A.R.T true false
دعم TRIM true false
سعة الذاكرة 250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 550 MB/s -
سرعة الكتابة التسلسلية 520 MB/s -
العمر الافتراضي المتوسط 1500000 saat -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C -
الحجم والأبعاد M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm) 80 * 22 مليمتر (mm)
وزن المنتج 8 g -
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
ذاكرة DRAM - false
دعم NCQ - false
دعم RAID - false
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتامع Samsung Mz Jpu512Ta06 256Gb

الميزة

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

Samsung Mz Jpu512Ta06 256Gb

تقنية التشفير Yes -
دعم S.M.A.R.T true false
دعم TRIM true false
سعة الذاكرة 250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 550 MB/s -
سرعة الكتابة التسلسلية 520 MB/s -
العمر الافتراضي المتوسط 1500000 saat -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C -
الحجم والأبعاد M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm) 80 * 22 مليمتر (mm)
وزن المنتج 8 g -
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
ذاكرة DRAM - false
دعم NCQ - false
دعم RAID - false
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI298مع Samsung Mz Jpu512Ta06 256Gb

علامة تجارية غير معروفة VS سامسونغ
الميزة

قرص صلب داخلي AGI Technology AI298

Samsung Mz Jpu512Ta06 256Gb

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 3.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
سعة الذاكرة 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية 3200 MB/s -
سرعة الكتابة التسلسلية 1700 MB/s -
العمر الافتراضي المتوسط 600 -
الجهد التشغيلي 3.3 V -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C -
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 3.5 mm) 80 * 22 مليمتر (mm)
وزن المنتج 6 g -
الشهادات والتصديقات BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS, VCCI -
تصميم وأبعاد الجهاز -
ذاكرة DRAM - false
دعم NCQ - false
دعم TRIM - false
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - false
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة لينوفو 4XB7A90874 قرص صلب داخليمع Samsung Mz Jpu512Ta06 256Gb

الميزة

لينوفو 4XB7A90874 قرص صلب داخلي

Samsung Mz Jpu512Ta06 256Gb

سعة الذاكرة 960 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND TLC
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 81000 IOPS -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 28000 IOPS -
العمر الافتراضي المتوسط 2000000 saat -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C -
الحجم والأبعاد 2.5" (70 * 100 * 7 mm) 80 * 22 مليمتر (mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين No
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
دعم S.M.A.R.T true false
تصميم وأبعاد الجهاز -
ذاكرة DRAM - false
دعم NCQ - false
دعم TRIM - false
دعم RAID - false
مؤشر الحالة LED - false