صفحة 13 من المقارنة Samsung Mz Jpu512Ta06 256Gb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة Kingspec T 64Gbمع Samsung Mz Jpu512Ta06 256Gb

الميزة	Kingspec T 64Gb	Samsung Mz Jpu512Ta06 256Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز		2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
ذاكرة DRAM	false	false
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	false	false
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	false	false
الحجم والأبعاد	80 * 22 مليمتر (mm)	7 * 69.8 * 100.2 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED	false	false
سرعة القراءة التسلسلية	-	530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	-	300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط	-	1,000,000 (MTBF) ساعة (h)
استهلاك الطاقة	-	1.8 واط في الوضع النشط / 0.35 واط في وضع الاستعداد
الأنظمة المتوافقة	-	Windows الإصدار XP والإصدارات الأحدث / Linux
الميزات الإضافية	-
وزن المنتج	-	68 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Lexar Nm620 Nvme M2 512Gbمع Samsung Mz Jpu512Ta06 256Gb

سامسونغ VS ليكسار

الميزة	Lexar Nm620 Nvme M2 512Gb	Samsung Mz Jpu512Ta06 256Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
ذاكرة DRAM	false	false
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	false	false
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	false	false
الحجم والأبعاد	80 * 22 مليمتر (mm)	2.25 * 22 * 80 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED	false	false
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة التسلسلية	-	3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	-	2400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
العمر الافتراضي المتوسط	-	1,500,000 ساعة (MTBF) / 250 تيرابايت مكتوبة (TBW)
الميزات الإضافية	-
وزن المنتج	-	9 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Msi Spatium M480 Pro Nvme M2 2Tbمع Samsung Mz Jpu512Ta06 256Gb

سامسونغ VS إم إس آي

الميزة	Msi Spatium M480 Pro Nvme M2 2Tb	Samsung Mz Jpu512Ta06 256Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة		2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
ذاكرة DRAM	false	true
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	false	true
الحجم والأبعاد	80 * 22 مليمتر (mm)	2.15 * 22 * 80 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED	false	false
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة التسلسلية	-	7400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	-	7000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
نوع الذاكرة DRAM	-	DDR4 مع ذاكرة تخزين مؤقت 2 جيجابايت
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط	-	1,600,000 ساعة (MTBF) / 1400 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة	-
تقنية التشفير	-
الميزات الإضافية	-	خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E)
وزن المنتج	-	9.7 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Samsung Mz Jpu512Ta06 256Gbمع TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت

سامسونغ VS توينموس

الميزة	Samsung Mz Jpu512Ta06 256Gb	TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
ذاكرة DRAM	false	false
دعم NCQ	false	true
دعم TRIM	false	-
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	false	true
الحجم والأبعاد	80 * 22 مليمتر (mm)	-
مؤشر الحالة LED	false	false
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة التسلسلية	-	2455 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	-	1832 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط	-	1,500,000 ساعة (MTBF) / 1000 تيرابايت مكتوبة (TBW)
الأنظمة المتوافقة	-	Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية	-	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
الشهادات والتصديقات	-

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Msi Spatium M480 Nvme M2 2Tbمع Samsung Mz Jpu512Ta06 256Gb

سامسونغ VS إم إس آي

الميزة	Msi Spatium M480 Nvme M2 2Tb	Samsung Mz Jpu512Ta06 256Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة		2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
ذاكرة DRAM	false	true
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	false	true
الحجم والأبعاد	80 * 22 مليمتر (mm)	2.15 * 22 * 80 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED	false	false
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة التسلسلية	-	7000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	-	6800 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
نوع الذاكرة DRAM	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط	-	1,600,000 ساعة (MTBF) / 1400 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة	-
تقنية التشفير	-
الميزات الإضافية	-	خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E)
وزن المنتج	-	9.7 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Samsung Mz Jpu512Ta06 256Gbمع Team Group T-Force CARDEA Liquid NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

سامسونغ VS إم جي

الميزة	Samsung Mz Jpu512Ta06 256Gb	Team Group T-Force CARDEA Liquid NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
ذاكرة DRAM	false	false
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	false	true
الحجم والأبعاد	80 * 22 مليمتر (mm)	14.1 * 24.3 * 83.9 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED	false	false
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة التسلسلية	-	3400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	-	2000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط	-	2,000,000 ساعة (MTBF) / 800 تيرابايت مكتوبة (TBW)
الأنظمة المتوافقة	-	Windows الإصدار Vista والإصدارات الأحدث / Linux Kernel 2.6.33 والإصدارات الأحدث
وزن المنتج	-	42 جرام (g)
محتويات العلبة	-	سائل تبريد

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Samsung Mz Jpu512Ta06 256Gbمع Samsung PM9B1 NVMe M.2 2242 بسعة 256 جيجابايت

سامسونغ VS سامسونغ

الميزة	Samsung Mz Jpu512Ta06 256Gb	Samsung PM9B1 NVMe M.2 2242 بسعة 256 جيجابايت
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش		-
ذاكرة DRAM	false	false
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	false	-
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	false	-
الحجم والأبعاد	80 * 22 مليمتر (mm)	2.3 * 22 * 42 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED	false	false
سرعة القراءة التسلسلية	-	2400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	-	940 ميجابايت في الثانية (mb/s)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 إلى 70 درجة مئوية
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط	-	1,750,000 (MTTF) ساعة (h)
وزن المنتج	-	3.9 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Samsung 860 Pro Sata 2 5 Inch 4Tbمع Samsung Mz Jpu512Ta06 256Gb

سامسونغ VS سامسونغ

الميزة	Samsung 860 Pro Sata 2 5 Inch 4Tb	Samsung Mz Jpu512Ta06 256Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز		2.5 بوصة
سعة الذاكرة		4 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
ذاكرة DRAM	false	true
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	false	true
الحجم والأبعاد	80 * 22 مليمتر (mm)	100 x 69.85 x 6.8 مم
مؤشر الحالة LED	false	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة التسلسلية	-	560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	-	530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
نوع الذاكرة DRAM	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
الجهد التشغيلي	-	5 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط	-	1,500,000 ساعة (MTBF) / 4800 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة	-
تقنية التشفير	-
وزن المنتج	-	62 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة جيجابايت Aorus Gen4 Nvme M2 1Tb Gp Asm2Ne6100Tttdمع Samsung Mz Jpu512Ta06 256Gb

سامسونغ VS جيجابايت

الميزة	جيجابايت Aorus Gen4 Nvme M2 1Tb Gp Asm2Ne6100Tttd	Samsung Mz Jpu512Ta06 256Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة		1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش		Toshiba BiCS4 96-Layers 3D TLC NAND
ذاكرة DRAM	false	true
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	false	true
الحجم والأبعاد	80 * 22 مليمتر (mm)	11.25 * 23.5 * 80.5 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED	false	false
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة التسلسلية	-	5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	-	4400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
نوع الذاكرة DRAM	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
العمر الافتراضي المتوسط	-	1,770,000 ساعة (MTBF) / 1800 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة	-
الميزات الإضافية	-	مبدد حراري من النحاس / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / إمكانية Over Provision لزيادة سرعة الكتابة دون تقليل الأداء / برنامج SSD Tool Box

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Samsung 860 Qvo 2Tbمع Samsung Mz Jpu512Ta06 256Gb

سامسونغ VS سامسونغ

الميزة	Samsung 860 Qvo 2Tb	Samsung Mz Jpu512Ta06 256Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز		2.5 بوصة
سعة الذاكرة		2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
ذاكرة DRAM	false	true
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	false	true
الحجم والأبعاد	80 * 22 مليمتر (mm)	6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED	false	false
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة التسلسلية	-	550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	-	520 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
نوع الذاكرة DRAM	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
الجهد التشغيلي	-	5 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط	-	1,500,000 ساعة (MTBF) / 720 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة	-
تقنية التشفير	-
وزن المنتج	-	62 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Samsung Mz Jpu512Ta06 256Gbمع Western Digital Blue Sn570 Nvme M2 500Gb

سامسونغ VS بلو

الميزة	Samsung Mz Jpu512Ta06 256Gb	Western Digital Blue Sn570 Nvme M2 500Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
ذاكرة DRAM	false	false
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	false	false
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	false	false
الحجم والأبعاد	80 * 22 مليمتر (mm)	2.38 * 22 * 80 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED	false	false
سرعة القراءة التسلسلية	-	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	-	2300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط	-	1,500,000 ساعة (MTTF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة	-
الميزات الإضافية	-
الشهادات والتصديقات	-
وزن المنتج	-	6.5 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Corsair Mp700 Pro Heatsink Nvme M2 2Tbمع Samsung Mz Jpu512Ta06 256Gb

سامسونغ VS كورسير

الميزة	Corsair Mp700 Pro Heatsink Nvme M2 2Tb	Samsung Mz Jpu512Ta06 256Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة		2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
ذاكرة DRAM	false	false
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	false	true
الحجم والأبعاد	80 * 22 مليمتر (mm)	-
مؤشر الحالة LED	false	false
سرعة القراءة التسلسلية	-	12400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	-	11800 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط	-	1,600,000 ساعة (MTBF) / 1400 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة	-
تقنية التشفير	-
الأنظمة المتوافقة	-	Windows 10, 11 / macOS X
الميزات الإضافية	-
وزن المنتج	-	11 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة