صفحة 16 من المقارنة Samsung Mz Dpc256Ta02 256Gb

تم إعداد 11 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة Samsung 870 Evo Sata 2 5 Inch 500Gbمع Samsung Mz Dpc256Ta02 256Gb

الميزة

Samsung 870 Evo Sata 2 5 Inch 500Gb

Samsung Mz Dpc256Ta02 256Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز عامل الشكل الخاص بـ Apple 2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
ذاكرة DRAM false true
دعم NCQ false false
دعم TRIM false true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T false true
الحجم والأبعاد 13 * 8 * 1 مليمتر (mm) 6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج 30 جرام (g) 45 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية - 560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية - 530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
الجهد التشغيلي - 5 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط - 1,500,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة -
تقنية التشفير -
الشهادات والتصديقات -

مقارنة Samsung 970 Evo Plus Nvme M2 500Gbمع Samsung Mz Dpc256Ta02 256Gb

الميزة

Samsung 970 Evo Plus Nvme M2 500Gb

Samsung Mz Dpc256Ta02 256Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز عامل الشكل الخاص بـ Apple
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
ذاكرة DRAM false true
دعم NCQ false false
دعم TRIM false true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T false true
الحجم والأبعاد 13 * 8 * 1 مليمتر (mm) 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج 30 جرام (g) 8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية - 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية - 3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط - 1,500,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة - 5.5 واط في وضع القراءة / 5.8 واط في وضع الكتابة / 0.03 واط في وضع الاستعداد
تقنية التشفير -
الميزات الإضافية -

مقارنة Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gbمع Samsung Mz Dpc256Ta02 256Gb

الميزة

Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb

Samsung Mz Dpc256Ta02 256Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز عامل الشكل الخاص بـ Apple
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
ذاكرة DRAM false true
دعم NCQ false false
دعم TRIM false true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T false true
الحجم والأبعاد 13 * 8 * 1 مليمتر (mm) 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج 30 جرام (g) 8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية - 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية - 2300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط - 1,500,000 ساعة (MTBF) / 150 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة - 5 واط في وضع القراءة / 4.2 واط في وضع الكتابة / 0.03 واط في وضع الاستعداد
تقنية التشفير -
الميزات الإضافية -

مقارنة Adata Xpg Sx8200 Pro Pcie M2 256Gbمع Samsung Mz Dpc256Ta02 256Gb

الميزة

Adata Xpg Sx8200 Pro Pcie M2 256Gb

Samsung Mz Dpc256Ta02 256Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز عامل الشكل الخاص بـ Apple
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
ذاكرة DRAM false true
دعم NCQ false false
دعم TRIM false false
دعم RAID false true
دعم S.M.A.R.T false false
الحجم والأبعاد 13 * 8 * 1 مليمتر (mm) 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 30 جرام (g) 8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية - 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية - 1200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط - 2,000,000 ساعة (MTBF) / 160 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة -
الشهادات والتصديقات -

مقارنة Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tbمع Samsung Mz Dpc256Ta02 256Gb

الميزة

Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tb

Samsung Mz Dpc256Ta02 256Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز عامل الشكل الخاص بـ Apple
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
ذاكرة DRAM false true
دعم NCQ false false
دعم TRIM false true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T false true
الحجم والأبعاد 13 * 8 * 1 مليمتر (mm) 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج 30 جرام (g) 8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية - 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية - 3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط - 1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة -
تقنية التشفير -

مقارنة Samsung 980 Pro Nvme M2 250Gbمع Samsung Mz Dpc256Ta02 256Gb

الميزة

Samsung 980 Pro Nvme M2 250Gb

Samsung Mz Dpc256Ta02 256Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز عامل الشكل الخاص بـ Apple
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
ذاكرة DRAM false true
دعم NCQ false false
دعم TRIM false true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T false true
الحجم والأبعاد 13 * 8 * 1 مليمتر (mm) 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج 30 جرام (g) 9 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية - 6400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية - 2700 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط - 1,500,000 ساعة (MTBF) / 150 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة -
تقنية التشفير -

مقارنة Samsung 970 Evo Nvme M2 500Gbمع Samsung Mz Dpc256Ta02 256Gb

الميزة

Samsung 970 Evo Nvme M2 500Gb

Samsung Mz Dpc256Ta02 256Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز عامل الشكل الخاص بـ Apple
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
ذاكرة DRAM false true
دعم NCQ false false
دعم TRIM false true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T false true
الحجم والأبعاد 13 * 8 * 1 مليمتر (mm) 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج 30 جرام (g) 8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية - 3400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية - 2300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط - 1,500,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة -
تقنية التشفير -

مقارنة Samsung 980 Pro Nvme M2 1Tbمع Samsung Mz Dpc256Ta02 256Gb

الميزة

Samsung 980 Pro Nvme M2 1Tb

Samsung Mz Dpc256Ta02 256Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز عامل الشكل الخاص بـ Apple
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
ذاكرة DRAM false true
دعم NCQ false false
دعم TRIM false true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T false true
الحجم والأبعاد 13 * 8 * 1 مليمتر (mm) 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج 30 جرام (g) 9 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية - 7000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية - 5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط - 1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة -
تقنية التشفير -

مقارنة Samsung 980 Nvme M2 1Tbمع Samsung Mz Dpc256Ta02 256Gb

الميزة

Samsung 980 Nvme M2 1Tb

Samsung Mz Dpc256Ta02 256Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز عامل الشكل الخاص بـ Apple
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
ذاكرة DRAM false false
دعم NCQ false false
دعم TRIM false true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T false true
الحجم والأبعاد 13 * 8 * 1 مليمتر (mm) 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج 30 جرام (g) 8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية - 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية - 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط - 1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة -
تقنية التشفير -
الشهادات والتصديقات -

مقارنة Lexar Nm620 Nvme M2 1Tbمع Samsung Mz Dpc256Ta02 256Gb

الميزة

Lexar Nm620 Nvme M2 1Tb

Samsung Mz Dpc256Ta02 256Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز عامل الشكل الخاص بـ Apple
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
ذاكرة DRAM false false
دعم NCQ false false
دعم TRIM false false
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T false false
الحجم والأبعاد 13 * 8 * 1 مليمتر (mm) 2.25 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 30 جرام (g) 9 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية - 3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية - 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
العمر الافتراضي المتوسط - 1,500,000 ساعة (MTBF) / 500 تيرابايت مكتوبة (TBW)
الميزات الإضافية -

مقارنة Samsung 970 Pro M2 1Tbمع Samsung Mz Dpc256Ta02 256Gb

الميزة

Samsung 970 Pro M2 1Tb

Samsung Mz Dpc256Ta02 256Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز عامل الشكل الخاص بـ Apple
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
ذاكرة DRAM false true
دعم NCQ false false
دعم TRIM false true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T false true
الحجم والأبعاد 13 * 8 * 1 مليمتر (mm) 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج 30 جرام (g) 8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية - 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية - 2700 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط - 1,500,000 ساعة (MTBF) / 1200 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة - 5.2 واط في وضع القراءة / 5.7 واط في وضع الكتابة / 8.5 واط في الوضع الأقصى / 0.03 واط في وضع الاستعداد
تقنية التشفير -
الميزات الإضافية - مناسب للألعاب / برنامج Magician Software لـ SSD