صفحة 15 من المقارنة قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة Golden ذاكرة Nvme M2 1Tbمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

الميزة	Golden ذاكرة Nvme M2 1Tb	قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		QLC
سرعة القراءة التسلسلية	2300 ميجابايت في الثانية (mb/s)	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	1800 ميجابايت في الثانية (mb/s)	530 MB/s
ذاكرة DRAM	false	-
العمر الافتراضي المتوسط	2,000,000 (MTBF) ساعة (h)	1500000 saat
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	false	true
الميزات الإضافية		-
الشهادات والتصديقات		-
مؤشر الحالة LED	false	-
تقنية التشفير	-	Yes
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-	98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-	88000 IOPS
الجهد التشغيلي	-	5 V
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	-	2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)
وزن المنتج	-	46 g

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Patriot Burst 240Gbمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

باتريوت VS سامسونج

الميزة	Patriot Burst 240Gb	قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة	-
سعة الذاكرة		1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		QLC
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	555 ميجابايت في الثانية (mb/s)	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		88000 IOPS
ذاكرة DRAM	true	-
نوع الذاكرة DRAM		-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 - 70 °C
الجهد التشغيلي	5 فولت (v)	5 V
العمر الافتراضي المتوسط	2,000,000 ساعة (MTBF) / 180 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1500000 saat
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
الميزات الإضافية	خوارزمية BBM لتحديد وإزالة أخطاء الوصول / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / إدارة استهلاك الطاقة	-
الشهادات والتصديقات		-
الحجم والأبعاد	7 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)	2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)
وزن المنتج	78.6 جرام (g)	46 g
مؤشر الحالة LED	false	-
تقنية التشفير	-	Yes

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)مع Transcend Ssd230S 256Gb

سامسونج VS ترانسيند

الميزة	قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)	Transcend Ssd230S 256Gb
تقنية التشفير	Yes	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
دعم TRIM	true	true
سعة الذاكرة	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	QLC
سرعة القراءة التسلسلية	560 MB/s	530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	530 MB/s	400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	88000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	1500000 saat	2,000,000 ساعة (MTBF) / 140 تيرابايت مكتوبة (TBW)
الجهد التشغيلي	5 V	5 فولت (v)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)	6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج	46 g	53 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-	2.5 بوصة
ذاكرة DRAM	-	true
نوع الذاكرة DRAM	-
دعم NCQ	-	true
دعم RAID	-	true
الأنظمة المتوافقة	-	Windows الإصدار 8 والإصدارات الأحدث / Linux Kernel 2.6.31 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية	-	خوارزمية LDPC المتقدمة لتصحيح الأخطاء / دعم خوارزمية GC للاستخدام الأمثل لمساحة الذاكرة / خاصية Wear Leveling لإطالة عمر الذاكرة / دعم DevSlp لتقليل استهلاك الطاقة / برنامج Transcend SSD Scope
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Apacer As340 Panther Sata 2 5 Inch 960Gbمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

إيسر VS سامسونج

الميزة	Apacer As340 Panther Sata 2 5 Inch 960Gb	قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة	-
سعة الذاكرة		1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		QLC
سرعة القراءة التسلسلية	550 ميجابايت في الثانية (mb/s)	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	510 ميجابايت في الثانية (mb/s)	530 MB/s
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		88000 IOPS
ذاكرة DRAM	false	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 - 70 °C
الجهد التشغيلي	5 فولت (v)	5 V
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)	1500000 saat
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	true	-
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
الميزات الإضافية		-
الشهادات والتصديقات		-
الحجم والأبعاد	6.9 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)	2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)
وزن المنتج	75 جرام (g)	46 g
مؤشر الحالة LED	false	-
تقنية التشفير	-	Yes
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-	98000 IOPS

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Kingston A400 120Gbمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

كينغستون VS سامسونج

الميزة	Kingston A400 120Gb	قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة	-
سعة الذاكرة		1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		QLC
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	320 ميجابايت في الثانية (mb/s)	530 MB/s
ذاكرة DRAM	false	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط	1,000,000 ساعة (MTBF) / 40 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1500000 saat
استهلاك الطاقة	0.279 واط في المتوسط / 0.642 واط في وضع القراءة / 1.535 واط في وضع الكتابة / 0.195 واط في وضع الاستعداد	-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	false	true
الميزات الإضافية		-
الحجم والأبعاد	7 * 69.9 * 100 مليمتر (mm)	2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)
وزن المنتج	41 جرام (g)	46 g
مؤشر الحالة LED	false	-
تقنية التشفير	-	Yes
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-	98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-	88000 IOPS
الجهد التشغيلي	-	5 V

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Kingspec Nt M2 2280 256Gbمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

كينغسبيك VS سامسونج

الميزة	Kingspec Nt M2 2280 256Gb	قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة		1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		QLC
سرعة القراءة التسلسلية	580 ميجابايت في الثانية (mb/s)	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	550 ميجابايت في الثانية (mb/s)	530 MB/s
ذاكرة DRAM	false	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 إلى 70 درجة مئوية	0 - 70 °C
الجهد التشغيلي	3.3 فولت (v)	5 V
العمر الافتراضي المتوسط	1,000,000 ساعة (MTBF) / 174 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1500000 saat
دعم NCQ	true	-
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
الحجم والأبعاد	3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)	2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)
مؤشر الحالة LED	false	-
تقنية التشفير	-	Yes
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-	98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-	88000 IOPS
وزن المنتج	-	46 g

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)مع Seagate Xbox Series 1Tb

سامسونج VS مايكروسوفت

الميزة	قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)	Seagate Xbox Series 1Tb
تقنية التشفير	Yes	-
دعم S.M.A.R.T	true	false
دعم TRIM	true	false
سعة الذاكرة	1 TB	1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش	QLC	-
سرعة القراءة التسلسلية	560 MB/s	-
سرعة الكتابة التسلسلية	530 MB/s	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	98000 IOPS	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	88000 IOPS	-
العمر الافتراضي المتوسط	1500000 saat	-
الجهد التشغيلي	5 V	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	-
الحجم والأبعاد	2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)	5 * 76 * 139 مليمتر (mm)
وزن المنتج	46 g	68 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III	-
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	خارجي
تصميم وأبعاد الجهاز	-
ذاكرة DRAM	-	false
دعم NCQ	-	false
دعم RAID	-	false
الميزات الإضافية	-	متوافق مع وحدات تحكم Xbox Series X و S / بنية Xbox Velocity لزيادة سرعة التخزين

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)مع Western Digital Blue Wds100T1B0B Sata M2 1Tb

سامسونج VS بلو

الميزة	قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)	Western Digital Blue Wds100T1B0B Sata M2 1Tb
تقنية التشفير	Yes	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
دعم TRIM	true	false
سعة الذاكرة	1 TB	1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش	QLC
سرعة القراءة التسلسلية	560 MB/s	545 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	530 MB/s	525 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	98000 IOPS	100,000 عملية إدخال/إخراج في الثانية (IOPS)
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	88000 IOPS	80,000 عملية إدخال/إخراج في الثانية (IOPS)
العمر الافتراضي المتوسط	1500000 saat	1,750,000 ساعة (MTTF) / 400 تيرابايت مكتوبة (TBW)
الجهد التشغيلي	5 V	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	0 إلى 70 درجة مئوية
الحجم والأبعاد	2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)	1.5 x 22 x 80 مم
وزن المنتج	46 g	7 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
ذاكرة DRAM	-	false
استهلاك الطاقة	-
دعم NCQ	-	false
دعم RAID	-	false
الميزات الإضافية	-
الشهادات والتصديقات	-
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Dgm Ss900 128Gbمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

دي جي إم VS سامسونج

الميزة	Dgm Ss900 128Gb	قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة	-
سعة الذاكرة		1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		QLC
سرعة القراءة التسلسلية	440 ميجابايت في الثانية (mb/s)	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	140 ميجابايت في الثانية (mb/s)	530 MB/s
ذاكرة DRAM	false	-
الجهد التشغيلي	5 فولت (v)	5 V
العمر الافتراضي المتوسط	2,000,000 (MTBF) ساعة (h)	1500000 saat
دعم NCQ	true	-
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
الميزات الإضافية		-
الحجم والأبعاد	7 * 70 * 100 مليمتر (mm)	2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)
وزن المنتج	82 جرام (g)	46 g
مؤشر الحالة LED	false	-
تقنية التشفير	-	Yes
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-	98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-	88000 IOPS
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 - 70 °C

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)مع Silicon Power Slim S55 Sata30 240Gb

سامسونج VS سيلكون باور

الميزة	قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)	Silicon Power Slim S55 Sata30 240Gb
تقنية التشفير	Yes	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
دعم TRIM	true	true
سعة الذاكرة	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	QLC
سرعة القراءة التسلسلية	560 MB/s	560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	530 MB/s	530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	98000 IOPS	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	88000 IOPS	-
العمر الافتراضي المتوسط	1500000 saat	1,500,000 ساعة (MTBF) / 125 تيرابايت مكتوبة (TBW)
الجهد التشغيلي	5 V	5 فولت (v)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	-
الحجم والأبعاد	2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)	7 * 69.9 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج	46 g	63 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-	2.5 بوصة
وحدة التحكم	-
ذاكرة DRAM	-	false
دعم NCQ	-	true
دعم RAID	-	true
الميزات الإضافية	-
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)مع Transcend Jetdrive720 240Gb

سامسونج VS ترانسيند

الميزة	قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)	Transcend Jetdrive720 240Gb
تقنية التشفير	Yes	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
دعم TRIM	true	true
سعة الذاكرة	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	QLC
سرعة القراءة التسلسلية	560 MB/s	495 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	530 MB/s	427 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	98000 IOPS	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	88000 IOPS	-
العمر الافتراضي المتوسط	1500000 saat	-
الجهد التشغيلي	5 V	5 فولت (v)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)	10.8 * 37.2 * 110.9 مليمتر (mm)
وزن المنتج	46 g	65 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-	عامل الشكل الخاص بـ Apple
ذاكرة DRAM	-	false
دعم NCQ	-	false
دعم RAID	-	false
الأنظمة المتوافقة	-	Windows XP والإصدارات الأحدث / macOS X الإصدار 10.6 والإصدارات الأحدث / Linux Kernel 2.6 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية	-	متوافق مع أجهزة ماك بوك من أبل / برنامج JetDrive Toolbox
مؤشر الحالة LED	-	true
محتويات العلبة	-	حافظة خاصة لاستخدام الذاكرة خارجيًا / مفك براغي برأس T5 / مفك براغي برأس P5 / عدد 3 براغي / قاعدة بلاستيكية / كابل Micro-B إلى USB Type-A / جراب حمل / دليل المستخدم

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Klevv Cras C700 Nvme M2 480Gbمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

كليف VS سامسونج

الميزة	Klevv Cras C700 Nvme M2 480Gb	قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة		1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		QLC
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	1500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	1300 ميجابايت في الثانية (mb/s)	530 MB/s
ذاكرة DRAM	false	-
العمر الافتراضي المتوسط	200 (TBW) تيرابايت (tb)	1500000 saat
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
الشهادات والتصديقات		-
الحجم والأبعاد	2.2 * 24 * 80 مليمتر (mm)	2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)
وزن المنتج	45 جرام (g)	46 g
مؤشر الحالة LED	false	-
تقنية التشفير	-	Yes
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-	98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-	88000 IOPS
الجهد التشغيلي	-	5 V
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 - 70 °C

عرض تفاصيل المقارنة