صفحة 4 من المقارنة محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج 1 تيرابايت MZ-77E1T0E

تم إعداد 10 مقارنة لك في هذه الصفحة

$مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI828 {request()->input('language_config')['common']['with']} محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج 1 تيرابايت MZ-77E1T0E$

مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI828مع محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج 1 تيرابايت MZ-77E1T0E

علامة تجارية غير معروفة VS سامسونج

الميزة	قرص صلب داخلي AGI Technology AI828	محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج 1 تيرابايت MZ-77E1T0E
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes	No
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0	Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
سعة الذاكرة	2 TB	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D NAND	-
سرعة القراءة التسلسلية	7400 MB/s	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	6700 MB/s	530 MB/s
العمر الافتراضي المتوسط	1500	600
الجهد التشغيلي	3.3 V	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	-
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 3.5 mm)	2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm)
وزن المنتج	7.5 g	86 g
دعم S.M.A.R.T	true	true
دعم TRIM	true	true
الشهادات والتصديقات	BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS	-
تقنية التشفير	-	Yes
وحدة التحكم	-	MLC

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة Kingmax Pq3480 Nvme M2 512Gb {request()->input('language_config')['common']['with']} محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج 1 تيرابايت MZ-77E1T0E$

مقارنة Kingmax Pq3480 Nvme M2 512Gbمع محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج 1 تيرابايت MZ-77E1T0E

كينغماكس VS سامسونج

الميزة	Kingmax Pq3480 Nvme M2 512Gb	محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج 1 تيرابايت MZ-77E1T0E
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		No
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة		1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		-
وحدة التحكم		MLC
سرعة القراءة التسلسلية	1950 ميجابايت في الثانية (mb/s)	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	1550 ميجابايت في الثانية (mb/s)	530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	false	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		-
الجهد التشغيلي	3.3 فولت (v)	-
العمر الافتراضي المتوسط	2,000,000 ساعة (MTBF) / 360 تيرابايت مكتوبة (TBW)	600
استهلاك الطاقة	3.5 واط في الوضع النشط	-
دعم NCQ	true	-
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
الميزات الإضافية		-
الحجم والأبعاد	22 * 80 مليمتر (mm)	2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm)
وزن المنتج	10 جرام (g)	86 g
مؤشر الحالة LED	false	-
تقنية التشفير	-	Yes

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا {request()->input('language_config')['common']['with']} محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج 1 تيرابايت MZ-77E1T0E$

مقارنة سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتامع محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج 1 تيرابايت MZ-77E1T0E

سامسونج VS سامسونج

الميزة	سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا	محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج 1 تيرابايت MZ-77E1T0E
تقنية التشفير	Yes	Yes
دعم S.M.A.R.T	true	true
دعم TRIM	true	true
سعة الذاكرة	250 GB	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	V-NAND MLC	-
سرعة القراءة التسلسلية	550 MB/s	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	520 MB/s	530 MB/s
العمر الافتراضي المتوسط	1500000 saat	600
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	-
الحجم والأبعاد	M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)	2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm)
وزن المنتج	8 g	86 g
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III	Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
وحدة التحكم	-	MLC
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-	No

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة SSD داخلي لينوفو 4XB7A87526 {request()->input('language_config')['common']['with']} محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج 1 تيرابايت MZ-77E1T0E$

مقارنة SSD داخلي لينوفو 4XB7A87526مع محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج 1 تيرابايت MZ-77E1T0E

لينوفو VS سامسونج

الميزة	SSD داخلي لينوفو 4XB7A87526	محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج 1 تيرابايت MZ-77E1T0E
سعة الذاكرة	1.92 TB	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	V-NAND TLC	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	97000 IOPS	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	31000 IOPS	-
العمر الافتراضي المتوسط	2000000 saat	600
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	-
الحجم والأبعاد	2.5" (70 * 100 * 7 mm)	2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm)
وزن المنتج	70 g	86 g
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III	Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
تقنية التشفير	Yes	Yes
دعم S.M.A.R.T	true	true
دعم TRIM	-	true
سرعة القراءة التسلسلية	-	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	-	530 MB/s
وحدة التحكم	-	MLC
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-	No

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة جيجابايت Nvme M2 128Gb {request()->input('language_config')['common']['with']} محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج 1 تيرابايت MZ-77E1T0E$

مقارنة جيجابايت Nvme M2 128Gbمع محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج 1 تيرابايت MZ-77E1T0E

جيجابايت VS سامسونج

الميزة	جيجابايت Nvme M2 128Gb	محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج 1 تيرابايت MZ-77E1T0E
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		No
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة		1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		-
سرعة القراءة التسلسلية	1100 ميجابايت في الثانية (mb/s)	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	1700 ميجابايت في الثانية (mb/s)	530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	false	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		-
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
الميزات الإضافية	دعم HMB (مخزن الذاكرة المضيف) / برنامج SSD Tool box	-
الحجم والأبعاد	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)	2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm)
مؤشر الحالة LED	false	-
تقنية التشفير	-	Yes
العمر الافتراضي المتوسط	-	600
وحدة التحكم	-	MLC
وزن المنتج	-	86 g

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة قرص صلب داخلي جيجابايت اوروس Gen4 7300 {request()->input('language_config')['common']['with']} محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج 1 تيرابايت MZ-77E1T0E$

مقارنة قرص صلب داخلي جيجابايت اوروس Gen4 7300مع محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج 1 تيرابايت MZ-77E1T0E

جيجابايت VS سامسونج

الميزة	قرص صلب داخلي جيجابايت اوروس Gen4 7300	محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج 1 تيرابايت MZ-77E1T0E
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes	No
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0	Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
تقنية التشفير	Yes	Yes
دعم S.M.A.R.T	true	true
دعم TRIM	true	true
سعة الذاكرة	1 TB	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D TLC NAND	-
سرعة القراءة التسلسلية	7300 MB/s	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	6000 MB/s	530 MB/s
العمر الافتراضي المتوسط	700	600
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	-
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.3 mm)	2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm)
وحدة التحكم	-	MLC
وزن المنتج	-	86 g

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة كينغستون 3.84 تيرابايت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe SSD للمؤسسات {request()->input('language_config')['common']['with']} محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج 1 تيرابايت MZ-77E1T0E$

مقارنة كينغستون 3.84 تيرابايت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe SSD للمؤسساتمع محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج 1 تيرابايت MZ-77E1T0E

كينغستون VS سامسونج

الميزة	كينغستون 3.84 تيرابايت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe SSD للمؤسسات	محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج 1 تيرابايت MZ-77E1T0E
تقنية التشفير	Yes	Yes
سعة الذاكرة	3.84 TB	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D eTLC	-
سرعة القراءة التسلسلية	14000 MB/s	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	5800 MB/s	530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	2700000 IOPS	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	300000 IOPS	-
العمر الافتراضي المتوسط	2000000 saat	600
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	-
الحجم والأبعاد	U.2 (69.8 * 100.5 * 14.8 mm)	2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm)
وزن المنتج	146.2 g	86 g
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 5.0	Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes	No
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
دعم S.M.A.R.T	-	true
دعم TRIM	-	true
وحدة التحكم	-	MLC

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة قرص صلب داخلي جيجابايت اوروس Gen4 7300مع محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج 1 تيرابايت MZ-77E1T0E

جيجابايت VS سامسونج

الميزة	قرص صلب داخلي جيجابايت اوروس Gen4 7300	محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج 1 تيرابايت MZ-77E1T0E
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes	No
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0	Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
تقنية التشفير	Yes	Yes
دعم S.M.A.R.T	true	true
دعم TRIM	true	true
سعة الذاكرة	1 TB	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D TLC NAND	-
سرعة القراءة التسلسلية	7300 MB/s	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	6000 MB/s	530 MB/s
العمر الافتراضي المتوسط	700	600
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	-
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.3 mm)	2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm)
وحدة التحكم	-	MLC
وزن المنتج	-	86 g

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة كينغستون NV3 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2230 سعة 500 جيجابايت {request()->input('language_config')['common']['with']} محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج 1 تيرابايت MZ-77E1T0E$

مقارنة كينغستون NV3 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2230 سعة 500 جيجابايتمع محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج 1 تيرابايت MZ-77E1T0E

كينغستون VS سامسونج

الميزة	كينغستون NV3 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2230 سعة 500 جيجابايت	محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج 1 تيرابايت MZ-77E1T0E
سعة الذاكرة	500 GB	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D NAND	-
سرعة القراءة التسلسلية	5000 MB/s	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	3000 MB/s	530 MB/s
العمر الافتراضي المتوسط	160	600
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	-
الحجم والأبعاد	2230 (22 x 30 mm) (30 * 22 * 2.3 mm)	2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm)
وزن المنتج	2.6 g	86 g
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0	Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes	No
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
تقنية التشفير	-	Yes
دعم S.M.A.R.T	-	true
دعم TRIM	-	true
وحدة التحكم	-	MLC

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج 1 تيرابايت MZ-77E1T0E {request()->input('language_config')['common']['with']} TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت$

مقارنة محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج 1 تيرابايت MZ-77E1T0Eمع TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت

سامسونج VS توينموس

الميزة	محرك أقراص الحالة الصلبة الداخلي سامسونج 1 تيرابايت MZ-77E1T0E	TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت
تقنية التشفير	Yes	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
دعم TRIM	true	-
سعة الذاكرة	1 TB
سرعة القراءة التسلسلية	560 MB/s	2455 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	530 MB/s	1832 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط	600	1,500,000 ساعة (MTBF) / 1000 تيرابايت مكتوبة (TBW)
وحدة التحكم	MLC
الحجم والأبعاد	2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm)	-
وزن المنتج	86 g	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين	No
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز	-
مواصفات ذاكرة الفلاش	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
دعم NCQ	-	true
دعم RAID	-	false
الأنظمة المتوافقة	-	Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية	-	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
الشهادات والتصديقات	-
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة