صفحة 2 من المقارنة Samsung 990 Pro Nvme M2 2Tb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة لينوفو 4XB1M86954 قرص صلب داخليمع Samsung 990 Pro Nvme M2 2Tb

الميزة	لينوفو 4XB1M86954 قرص صلب داخلي	Samsung 990 Pro Nvme M2 2Tb
سعة الذاكرة	512 GB	2 تيرابايت (tb)
سرعة القراءة التسلسلية	6900 MB/s	7450 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	4400 MB/s	6900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 80 °C
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (80 * 22 * 2.23 mm)	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	7.2 g	9 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز	-
مواصفات ذاكرة الفلاش	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	true
نوع الذاكرة DRAM	-	2 جيجابايت نوع SDRAM
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط	-	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
استهلاك الطاقة	-
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	false
الميزات الإضافية	-
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة محرك أقراص Klevv CRAS C910G SSD الداخليمع Samsung 990 Pro Nvme M2 2Tb

كليف VS سامسونغ

الميزة	محرك أقراص Klevv CRAS C910G SSD الداخلي	Samsung 990 Pro Nvme M2 2Tb
تقنية التشفير	Yes	-
دعم S.M.A.R.T	true	false
سعة الذاكرة	2 TB	2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D TLC NAND
سرعة القراءة التسلسلية	5200 MB/s	7450 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	4800 MB/s	6900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	560000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	615000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	1400	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.8 mm)	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	10 g	9 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
الشهادات والتصديقات	UKCA, Federal Communications Commission (FCC), CE	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
ذاكرة DRAM	-	true
نوع الذاكرة DRAM	-	2 جيجابايت نوع SDRAM
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
استهلاك الطاقة	-
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	false
الميزات الإضافية	-
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة قرص صلب داخلي DELL 960GB SAS Mixed Use 12Gbps 2.5in Hot-plug PM5-Vمع Samsung 990 Pro Nvme M2 2Tb

ديل VS سامسونغ

الميزة	قرص صلب داخلي DELL 960GB SAS Mixed Use 12Gbps 2.5in Hot-plug PM5-V	Samsung 990 Pro Nvme M2 2Tb
سعة الذاكرة	960 GB	2 تيرابايت (tb)
الحجم والأبعاد	2.5"	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة	SAS
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
مواصفات ذاكرة الفلاش	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة التسلسلية	-	7450 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	-	6900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	true
نوع الذاكرة DRAM	-	2 جيجابايت نوع SDRAM
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط	-	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
استهلاك الطاقة	-
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	false
الميزات الإضافية	-
وزن المنتج	-	9 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة قرص صلب داخلي كينغستون NV3 M.2 2230 NVMe بسعة 1 تيرابايتمع Samsung 990 Pro Nvme M2 2Tb

كينغستون VS سامسونغ

الميزة	قرص صلب داخلي كينغستون NV3 M.2 2230 NVMe بسعة 1 تيرابايت	Samsung 990 Pro Nvme M2 2Tb
سعة الذاكرة	1 TB	2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية	6000 MB/s	7450 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	4000 MB/s	6900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط	320	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2230 (22 x 30 mm) (30 * 22 * 2.3 mm)	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	2.8 g	9 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	true
نوع الذاكرة DRAM	-	2 جيجابايت نوع SDRAM
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
استهلاك الطاقة	-
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	false
الميزات الإضافية	-
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 1 تيرابايتمع Samsung 990 Pro Nvme M2 2Tb

كينغستون VS سامسونغ

الميزة	كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 1 تيرابايت	Samsung 990 Pro Nvme M2 2Tb
سعة الذاكرة	1 TB	2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D TLC
سرعة القراءة التسلسلية	14200 MB/s	7450 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	11000 MB/s	6900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	2200000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	2150000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	2000000 saat	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.3 mm)	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	7.3 g	9 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 5.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
ذاكرة DRAM	-	true
نوع الذاكرة DRAM	-	2 جيجابايت نوع SDRAM
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
استهلاك الطاقة	-
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	false
الميزات الإضافية	-
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Samsung 990 Pro Nvme M2 2Tbمع محرك أقراص سيجيت Nytro 5000 SSD الداخلي

سامسونغ VS سيجيت

الميزة	Samsung 990 Pro Nvme M2 2Tb	محرك أقراص سيجيت Nytro 5000 SSD الداخلي
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		PCI Express 3.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين		Yes
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة	2 تيرابايت (tb)	1.92 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		3D cMLC
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	7450 ميجابايت في الثانية (mb/s)	-
سرعة الكتابة التسلسلية	6900 ميجابايت في الثانية (mb/s)	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		245000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		28000 IOPS
ذاكرة DRAM	true	-
نوع الذاكرة DRAM	2 جيجابايت نوع SDRAM	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		-
الجهد التشغيلي	3.3 فولت (v)	-
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)	2000000 saat
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	-
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	false	-
الميزات الإضافية		-
الحجم والأبعاد	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)	M.2 (22 * 110 * 2 mm)
وزن المنتج	9 جرام (g)	14 g
مؤشر الحالة LED	false	-
خيارات الألوان	-	Black, Green

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI818مع Samsung 990 Pro Nvme M2 2Tb

علامة تجارية غير معروفة VS سامسونغ

الميزة	قرص صلب داخلي AGI Technology AI818	Samsung 990 Pro Nvme M2 2Tb
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
سعة الذاكرة	2 TB	2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية	5200 MB/s	7450 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	4700 MB/s	6900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط	1200	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
الجهد التشغيلي	3.3 V	3.3 فولت (v)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.1 mm)	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	7.5 g	9 جرام (g)
دعم S.M.A.R.T	true	false
دعم TRIM	true	true
الشهادات والتصديقات	BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	true
نوع الذاكرة DRAM	-	2 جيجابايت نوع SDRAM
استهلاك الطاقة	-
دعم NCQ	-	false
دعم RAID	-	false
الميزات الإضافية	-
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI828مع Samsung 990 Pro Nvme M2 2Tb

علامة تجارية غير معروفة VS سامسونغ

الميزة	قرص صلب داخلي AGI Technology AI828	Samsung 990 Pro Nvme M2 2Tb
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
سعة الذاكرة	2 TB	2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية	7400 MB/s	7450 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	6700 MB/s	6900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط	1500	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
الجهد التشغيلي	3.3 V	3.3 فولت (v)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 3.5 mm)	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	7.5 g	9 جرام (g)
دعم S.M.A.R.T	true	false
دعم TRIM	true	true
الشهادات والتصديقات	BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	true
نوع الذاكرة DRAM	-	2 جيجابايت نوع SDRAM
استهلاك الطاقة	-
دعم NCQ	-	false
دعم RAID	-	false
الميزات الإضافية	-
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Samsung 990 Pro Nvme M2 2Tbمع SSD داخلي سامسونج PM981 NVMe

سامسونغ VS سامسونج

الميزة	Samsung 990 Pro Nvme M2 2Tb	SSD داخلي سامسونج PM981 NVMe
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		PCI Express 3.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين		Yes
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة	2 تيرابايت (tb)	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		TLC
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	7450 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3200 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	6900 ميجابايت في الثانية (mb/s)	2400 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		380000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		440000 IOPS
ذاكرة DRAM	true	-
نوع الذاكرة DRAM	2 جيجابايت نوع SDRAM	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 - 70 °C
الجهد التشغيلي	3.3 فولت (v)	-
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)	-
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	-
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	false	-
الميزات الإضافية		-
الحجم والأبعاد	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)	M.2
وزن المنتج	9 جرام (g)	9 g
مؤشر الحالة LED	false	-
خيارات الألوان	-	Black, Green

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI828مع Samsung 990 Pro Nvme M2 2Tb

علامة تجارية غير معروفة VS سامسونغ

الميزة	قرص صلب داخلي AGI Technology AI828	Samsung 990 Pro Nvme M2 2Tb
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
سعة الذاكرة	2 TB	2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية	7400 MB/s	7450 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	6700 MB/s	6900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط	1500	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
الجهد التشغيلي	3.3 V	3.3 فولت (v)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 3.5 mm)	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	7.5 g	9 جرام (g)
دعم S.M.A.R.T	true	false
دعم TRIM	true	true
الشهادات والتصديقات	BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	true
نوع الذاكرة DRAM	-	2 جيجابايت نوع SDRAM
استهلاك الطاقة	-
دعم NCQ	-	false
دعم RAID	-	false
الميزات الإضافية	-
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Samsung 990 Pro Nvme M2 2Tbمع KingSpec 512GB NVMe Gen3x4 SSD M.2 2280

كينغسبيك VS سامسونغ

الميزة	Samsung 990 Pro Nvme M2 2Tb	KingSpec 512GB NVMe Gen3x4 SSD M.2 2280
نوع استخدام الذاكرة	محرك أقراص الحالة الصلبة داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة	M.2 2280
تفاصيل الاتصال بالتخزين	NVMe Gen3x4
نوع الاتصال	NVMe Gen3x4	-
سعة الذاكرة	512 جيجابايت	2 تيرابايت (tb)
سرعة القراءة التسلسلية	تصل إلى 2400 ميجابايت/ثانية	7450 ميجابايت في الثانية (mb/s)
مواصفات ذاكرة الفلاش	ذاكرة فلاش NAND ثلاثية الأبعاد (TLC/QLC)
وحدة التحكم	وحدة تحكم رئيسية عالية الجودة
دعم TRIM	نعم	true
دعم S.M.A.R.T	نعم	false
الأنظمة المتوافقة	Windows 7-10، RHEL، CentOS، Linux، Ubuntu	-
الميزات الإضافية	تسوية التآكل، LDPC ECC، حماية البيانات من طرف إلى طرف
الحجم والأبعاد	M.2 2280	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)
محتويات العلبة	SSD، وثائق	-
تصميم وأبعاد الجهاز	عامل شكل M.2 2280
سرعة الكتابة التسلسلية	-	6900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	true
نوع الذاكرة DRAM	-	2 جيجابايت نوع SDRAM
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط	-	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
استهلاك الطاقة	-
دعم NCQ	-	false
دعم RAID	-	false
وزن المنتج	-	9 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Samsung 990 Pro Nvme M2 2Tbمع SSD داخلي سيجيت Nytro 5350S

سامسونغ VS سيجيت

الميزة	Samsung 990 Pro Nvme M2 2Tb	SSD داخلي سيجيت Nytro 5350S
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين		Yes
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة	2 تيرابايت (tb)	15 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		3D eTLC
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	7450 ميجابايت في الثانية (mb/s)	7400 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	6900 ميجابايت في الثانية (mb/s)	7200 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		1700000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		195000 IOPS
ذاكرة DRAM	true	-
نوع الذاكرة DRAM	2 جيجابايت نوع SDRAM	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 - 70 °C
الجهد التشغيلي	3.3 فولت (v)	12 V
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)	2500000 saat
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	-
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	false	-
الميزات الإضافية		-
الحجم والأبعاد	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)	2.5" (70.1 * 100.4 * 14.9 mm)
وزن المنتج	9 جرام (g)	205 g
مؤشر الحالة LED	false	-

عرض تفاصيل المقارنة