صفحة 9 من المقارنة Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة Samsung 870 Evo Sata 2 5 Inch 250Gbمع Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb

الميزة

Samsung 870 Evo Sata 2 5 Inch 250Gb

Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية 560 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 530 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM true true
نوع الذاكرة DRAM
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
الجهد التشغيلي 5 فولت (v) 3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 150 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,500,000 ساعة (MTBF) / 150 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة 5 واط في وضع القراءة / 4.2 واط في وضع الكتابة / 0.03 واط في وضع الاستعداد
دعم NCQ false false
دعم TRIM true true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true true
تقنية التشفير
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد 6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm) 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج 45 جرام (g) 8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
الميزات الإضافية -

مقارنة Adata Legend 710 Nvme M2 1Tbمع Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb

الميزة

Adata Legend 710 Nvme M2 1Tb

Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية 2400 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 1800 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 260 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,500,000 ساعة (MTBF) / 150 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ false false
دعم TRIM false true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true true
تقنية التشفير
الميزات الإضافية
الحجم والأبعاد 3.13 × 22 × 80 مم مع مبدد حراري / 2.15 × 22 × 80 مم بدون مبدد حراري 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج 9 جرام مع المشتت الحراري ** 6.2 جرام بدون المشتت الحراري 8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
نوع الذاكرة DRAM -
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
استهلاك الطاقة - 5 واط في وضع القراءة / 4.2 واط في وضع الكتابة / 0.03 واط في وضع الاستعداد

مقارنة Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gbمع Samsung Pm1735 Mzplj1T6Hbjr 00007 16Tb

الميزة

Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb

Samsung Pm1735 Mzplj1T6Hbjr 00007 16Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة 1.6 تيرابايت (tb)
سرعة القراءة التسلسلية 7000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 2400 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false true
دعم NCQ false false
دعم TRIM false true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T false true
مواصفات ذاكرة الفلاش -
وحدة التحكم -
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط - 1,500,000 ساعة (MTBF) / 150 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة - 5 واط في وضع القراءة / 4.2 واط في وضع الكتابة / 0.03 واط في وضع الاستعداد
تقنية التشفير -
الميزات الإضافية -
الحجم والأبعاد - 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج - 8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة Asus Rog Strix Arion Usb 32 Gen 2X1 256Gbمع Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb

الميزة

Asus Rog Strix Arion Usb 32 Gen 2X1 256Gb

Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb

نوع استخدام الذاكرة خارجي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تصميم وأبعاد الجهاز
نوع الاتصال Type-C إلى Type-A من نوع USB 3.2 Gen 2 -
سعة الذاكرة
ذاكرة DRAM false true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 40 درجة مئوية
الجهد التشغيلي 5 فولت (v) 3.3 فولت (v)
دعم NCQ false false
دعم TRIM false true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T false true
الأنظمة المتوافقة ويندوز 7 وما فوق / Mac OS® X 10.6 وما فوق / أندرويد (الأجهزة التي تدعم OTG) -
الميزات الإضافية سرعة نقل بيانات تصل إلى 10 جيجابت/ثانية / يدعم SSD بأحجام 2230/2242/2260/2280 / يتميز بحامل بخطاف على شكل حرف R لسهولة الحمل / إضاءة ARGB مع دعم ASUS Aura Sync و ROG Strix Arion
مادة الهيكل ألومنيوم -
الحجم والأبعاد 10.9 * 47.7 * 124.5 مليمتر (mm) 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج 98 جرام (g) 8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED true false
محتويات العلبة كابل USB-C إلى USB-A / كابل USB-C إلى USB-C / دبوس إخراج / دليل المستخدم -
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
مواصفات ذاكرة الفلاش -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية - 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية - 2300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
نوع الذاكرة DRAM -
العمر الافتراضي المتوسط - 1,500,000 ساعة (MTBF) / 150 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة - 5 واط في وضع القراءة / 4.2 واط في وضع الكتابة / 0.03 واط في وضع الاستعداد
تقنية التشفير -

مقارنة Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gbمع Team Group T-Force CARDEA Zero Z340 NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

الميزة

Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb

Team Group T-Force CARDEA Zero Z340 NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية 3400 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 2000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM true true
نوع الذاكرة DRAM
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
الجهد التشغيلي 3.3 فولت (v) 3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 ساعة (MTBF) / 800 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,500,000 ساعة (MTBF) / 150 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ false false
دعم TRIM true true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true true
الأنظمة المتوافقة Windows الإصدار Vista والإصدارات الأحدث / Linux Kernel 2.6.33 والإصدارات الأحدث -
الحجم والأبعاد 3.7 * 22 * 80 مليمتر (mm) 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج 9 جرام (g) 8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
استهلاك الطاقة - 5 واط في وضع القراءة / 4.2 واط في وضع الكتابة / 0.03 واط في وضع الاستعداد
تقنية التشفير -
الميزات الإضافية -

مقارنة Msi Spatium M480 Pro Nvme M2 1Tbمع Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb

الميزة

Msi Spatium M480 Pro Nvme M2 1Tb

Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية 7400 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 6000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM true true
نوع الذاكرة DRAM DDR4 مع ذاكرة تخزين مؤقت 1 جيجابايت
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط 1,600,000 ساعة (MTBF) / 700 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,500,000 ساعة (MTBF) / 150 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة 5 واط في وضع القراءة / 4.2 واط في وضع الكتابة / 0.03 واط في وضع الاستعداد
دعم NCQ false false
دعم TRIM true true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true true
تقنية التشفير
الميزات الإضافية خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E)
الحجم والأبعاد 2.15 * 22 * 80 مليمتر (mm) 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج 9.7 جرام (g) 8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)

مقارنة Corsair Mp700 Pro Heatsink Nvme M2 2Tbمع Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb

الميزة

Corsair Mp700 Pro Heatsink Nvme M2 2Tb

Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة 2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 12400 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 11800 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
الجهد التشغيلي 3.3 فولت (v) 3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط 1,600,000 ساعة (MTBF) / 1400 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,500,000 ساعة (MTBF) / 150 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة 5 واط في وضع القراءة / 4.2 واط في وضع الكتابة / 0.03 واط في وضع الاستعداد
دعم NCQ false false
دعم TRIM true true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true true
تقنية التشفير
الأنظمة المتوافقة Windows 10, 11 / macOS X -
الميزات الإضافية
وزن المنتج 11 جرام (g) 8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
وحدة التحكم -
نوع الذاكرة DRAM -
الحجم والأبعاد - 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)

مقارنة Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gbمع Western Digital Blue Wds100T3B0A Sata 25 Inch 1Tb

الميزة

Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb

Western Digital Blue Wds100T3B0A Sata 25 Inch 1Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 560 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 520 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false true
العمر الافتراضي المتوسط 1,750,000 ساعة (MTBF) / 400 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,500,000 ساعة (MTBF) / 150 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة 5 واط في وضع القراءة / 4.2 واط في وضع الكتابة / 0.03 واط في وضع الاستعداد
دعم NCQ false false
دعم TRIM false true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T false true
الميزات الإضافية
الشهادات والتصديقات -
خيارات الألوان أزرق -
الحجم والأبعاد 7 * 69.85 * 100.2 مليمتر (mm) 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج 34.6 جرام (g) 8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
وحدة التحكم -
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
تقنية التشفير -

مقارنة Hp S750 Sata 25 Inch 512Gbمع Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb

الميزة

Hp S750 Sata 25 Inch 512Gb

Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية 560 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 520 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 (MTBF) ساعة (h) 1,500,000 ساعة (MTBF) / 150 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة 5 واط في وضع القراءة / 4.2 واط في وضع الكتابة / 0.03 واط في وضع الاستعداد
دعم NCQ false false
دعم TRIM false true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد السماكة 6.7 مم 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج 50 جرام (g) 8 جرام (g)
نوع الذاكرة DRAM -
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
تقنية التشفير -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة Intel Ssd Dc P4510 Nvme U2 2Tbمع Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb

الميزة

Intel Ssd Dc P4510 Nvme U2 2Tb

Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة 2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 3200 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 2000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 ساعة (MTBF) / 2.61 بيتابايت مكتوبة (PBW) 1,500,000 ساعة (MTBF) / 150 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة 12 واط في الوضع النشط / 5 واط في وضع الخمول 5 واط في وضع القراءة / 4.2 واط في وضع الكتابة / 0.03 واط في وضع الاستعداد
دعم NCQ false false
دعم TRIM false true
دعم RAID true false
دعم S.M.A.R.T true true
تقنية التشفير
الحجم والأبعاد السماكة 15 مم 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج 139 جرام (g) 8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
وحدة التحكم -
نوع الذاكرة DRAM -
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
الميزات الإضافية -

مقارنة Intel Ssd 665P Series Nvme M2 1Tbمع Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb

الميزة

Intel Ssd 665P Series Nvme M2 1Tb

Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية 2000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 1925 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM true true
نوع الذاكرة DRAM
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 1,600,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,500,000 ساعة (MTBF) / 150 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة 0.1 واط في الوضع النشط / 0.04 واط في وضع الخمول 5 واط في وضع القراءة / 4.2 واط في وضع الكتابة / 0.03 واط في وضع الاستعداد
دعم NCQ false false
دعم TRIM false true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T false true
تقنية التشفير
الحجم والأبعاد 22 * 80 مليمتر (mm) 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج 10 جرام (g) 8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
الميزات الإضافية -

مقارنة Adata Xpg Spectrix S20G Nvme M2 500Gbمع Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb

الميزة

Adata Xpg Spectrix S20G Nvme M2 500Gb

Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 2500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 1800 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
الجهد التشغيلي 3.3 فولت (v) 3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,500,000 ساعة (MTBF) / 150 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ false false
دعم TRIM true true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T false true
تقنية التشفير
الميزات الإضافية
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد 7.55 * 22.1 * 80 مليمتر (mm) 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج 15.4 جرام (g) 8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED true false
وحدة التحكم -
نوع الذاكرة DRAM -
استهلاك الطاقة - 5 واط في وضع القراءة / 4.2 واط في وضع الكتابة / 0.03 واط في وضع الاستعداد