صفحة 9 من المقارنة Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة Samsung 870 Evo Sata 2 5 Inch 250Gbمع Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb

الميزة	Samsung 870 Evo Sata 2 5 Inch 250Gb	Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية	560 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	530 ميجابايت في الثانية (mb/s)	2300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	true	true
نوع الذاكرة DRAM
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
الجهد التشغيلي	5 فولت (v)	3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 150 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1,500,000 ساعة (MTBF) / 150 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة		5 واط في وضع القراءة / 4.2 واط في وضع الكتابة / 0.03 واط في وضع الاستعداد
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
تقنية التشفير
الشهادات والتصديقات		-
الحجم والأبعاد	6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)	2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج	45 جرام (g)	8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	false	false
الميزات الإضافية	-

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Adata Legend 710 Nvme M2 1Tbمع Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb

أدا VS سامسونغ

الميزة	Adata Legend 710 Nvme M2 1Tb	Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية	2400 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	1800 ميجابايت في الثانية (mb/s)	2300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	false	true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 260 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1,500,000 ساعة (MTBF) / 150 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
تقنية التشفير
الميزات الإضافية
الحجم والأبعاد	3.13 × 22 × 80 مم مع مبدد حراري / 2.15 × 22 × 80 مم بدون مبدد حراري	2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج	9 جرام مع المشتت الحراري ** 6.2 جرام بدون المشتت الحراري	8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	false	false
نوع الذاكرة DRAM	-
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
استهلاك الطاقة	-	5 واط في وضع القراءة / 4.2 واط في وضع الكتابة / 0.03 واط في وضع الاستعداد

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gbمع Samsung Pm1735 Mzplj1T6Hbjr 00007 16Tb

سامسونغ VS سامسونغ

الميزة	Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb	Samsung Pm1735 Mzplj1T6Hbjr 00007 16Tb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة	1.6 تيرابايت (tb)
سرعة القراءة التسلسلية	7000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	2400 ميجابايت في الثانية (mb/s)	2300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	false	true
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	false	true
مواصفات ذاكرة الفلاش	-
وحدة التحكم	-
نوع الذاكرة DRAM	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط	-	1,500,000 ساعة (MTBF) / 150 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة	-	5 واط في وضع القراءة / 4.2 واط في وضع الكتابة / 0.03 واط في وضع الاستعداد
تقنية التشفير	-
الميزات الإضافية	-
الحجم والأبعاد	-	2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج	-	8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Asus Rog Strix Arion Usb 32 Gen 2X1 256Gbمع Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb

أسوس VS سامسونغ

الميزة	Asus Rog Strix Arion Usb 32 Gen 2X1 256Gb	Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb
نوع استخدام الذاكرة	خارجي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تصميم وأبعاد الجهاز
نوع الاتصال	Type-C إلى Type-A من نوع USB 3.2 Gen 2	-
سعة الذاكرة
ذاكرة DRAM	false	true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 إلى 40 درجة مئوية
الجهد التشغيلي	5 فولت (v)	3.3 فولت (v)
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	false	true
الأنظمة المتوافقة	ويندوز 7 وما فوق / Mac OS® X 10.6 وما فوق / أندرويد (الأجهزة التي تدعم OTG)	-
الميزات الإضافية	سرعة نقل بيانات تصل إلى 10 جيجابت/ثانية / يدعم SSD بأحجام 2230/2242/2260/2280 / يتميز بحامل بخطاف على شكل حرف R لسهولة الحمل / إضاءة ARGB مع دعم ASUS Aura Sync و ROG Strix Arion
مادة الهيكل	ألومنيوم	-
الحجم والأبعاد	10.9 * 47.7 * 124.5 مليمتر (mm)	2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج	98 جرام (g)	8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	true	false
محتويات العلبة	كابل USB-C إلى USB-A / كابل USB-C إلى USB-C / دبوس إخراج / دليل المستخدم	-
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
مواصفات ذاكرة الفلاش	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة التسلسلية	-	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	-	2300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
نوع الذاكرة DRAM	-
العمر الافتراضي المتوسط	-	1,500,000 ساعة (MTBF) / 150 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة	-	5 واط في وضع القراءة / 4.2 واط في وضع الكتابة / 0.03 واط في وضع الاستعداد
تقنية التشفير	-

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gbمع Team Group T-Force CARDEA Zero Z340 NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

إم جي VS سامسونغ

الميزة	Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb	Team Group T-Force CARDEA Zero Z340 NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية	3400 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	2000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	2300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	true	true
نوع الذاكرة DRAM
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
الجهد التشغيلي	3.3 فولت (v)	3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط	2,000,000 ساعة (MTBF) / 800 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1,500,000 ساعة (MTBF) / 150 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
الأنظمة المتوافقة	Windows الإصدار Vista والإصدارات الأحدث / Linux Kernel 2.6.33 والإصدارات الأحدث	-
الحجم والأبعاد	3.7 * 22 * 80 مليمتر (mm)	2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج	9 جرام (g)	8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	false	false
استهلاك الطاقة	-	5 واط في وضع القراءة / 4.2 واط في وضع الكتابة / 0.03 واط في وضع الاستعداد
تقنية التشفير	-
الميزات الإضافية	-

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Msi Spatium M480 Pro Nvme M2 1Tbمع Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb

إم إس آي VS سامسونغ

الميزة	Msi Spatium M480 Pro Nvme M2 1Tb	Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية	7400 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	6000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	2300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	true	true
نوع الذاكرة DRAM	DDR4 مع ذاكرة تخزين مؤقت 1 جيجابايت
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط	1,600,000 ساعة (MTBF) / 700 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1,500,000 ساعة (MTBF) / 150 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة		5 واط في وضع القراءة / 4.2 واط في وضع الكتابة / 0.03 واط في وضع الاستعداد
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
تقنية التشفير
الميزات الإضافية	خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E)
الحجم والأبعاد	2.15 * 22 * 80 مليمتر (mm)	2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج	9.7 جرام (g)	8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	false	false
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Corsair Mp700 Pro Heatsink Nvme M2 2Tbمع Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb

كورسير VS سامسونغ

الميزة	Corsair Mp700 Pro Heatsink Nvme M2 2Tb	Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة	2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	12400 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	11800 ميجابايت في الثانية (mb/s)	2300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	false	true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
الجهد التشغيلي	3.3 فولت (v)	3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط	1,600,000 ساعة (MTBF) / 1400 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1,500,000 ساعة (MTBF) / 150 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة		5 واط في وضع القراءة / 4.2 واط في وضع الكتابة / 0.03 واط في وضع الاستعداد
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
تقنية التشفير
الأنظمة المتوافقة	Windows 10, 11 / macOS X	-
الميزات الإضافية
وزن المنتج	11 جرام (g)	8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	false	false
وحدة التحكم	-
نوع الذاكرة DRAM	-
الحجم والأبعاد	-	2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gbمع Western Digital Blue Wds100T3B0A Sata 25 Inch 1Tb

بلو VS سامسونغ

الميزة	Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb	Western Digital Blue Wds100T3B0A Sata 25 Inch 1Tb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	560 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	520 ميجابايت في الثانية (mb/s)	2300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	false	true
العمر الافتراضي المتوسط	1,750,000 ساعة (MTBF) / 400 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1,500,000 ساعة (MTBF) / 150 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة		5 واط في وضع القراءة / 4.2 واط في وضع الكتابة / 0.03 واط في وضع الاستعداد
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	false	true
الميزات الإضافية
الشهادات والتصديقات		-
خيارات الألوان	أزرق	-
الحجم والأبعاد	7 * 69.85 * 100.2 مليمتر (mm)	2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج	34.6 جرام (g)	8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	false	false
وحدة التحكم	-
نوع الذاكرة DRAM	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
تقنية التشفير	-

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Hp S750 Sata 25 Inch 512Gbمع Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb

إتش بي VS سامسونغ

الميزة	Hp S750 Sata 25 Inch 512Gb	Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية	560 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	520 ميجابايت في الثانية (mb/s)	2300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	false	true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط	2,000,000 (MTBF) ساعة (h)	1,500,000 ساعة (MTBF) / 150 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة		5 واط في وضع القراءة / 4.2 واط في وضع الكتابة / 0.03 واط في وضع الاستعداد
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
الميزات الإضافية
الشهادات والتصديقات		-
الحجم والأبعاد	السماكة 6.7 مم	2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج	50 جرام (g)	8 جرام (g)
نوع الذاكرة DRAM	-
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
تقنية التشفير	-
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Intel Ssd Dc P4510 Nvme U2 2Tbمع Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb

إنتل VS سامسونغ

الميزة	Intel Ssd Dc P4510 Nvme U2 2Tb	Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة
سعة الذاكرة	2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	2000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	2300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	false	true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط	2,000,000 ساعة (MTBF) / 2.61 بيتابايت مكتوبة (PBW)	1,500,000 ساعة (MTBF) / 150 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة	12 واط في الوضع النشط / 5 واط في وضع الخمول	5 واط في وضع القراءة / 4.2 واط في وضع الكتابة / 0.03 واط في وضع الاستعداد
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	true	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
تقنية التشفير
الحجم والأبعاد	السماكة 15 مم	2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج	139 جرام (g)	8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	false	false
وحدة التحكم	-
نوع الذاكرة DRAM	-
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
الميزات الإضافية	-

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Intel Ssd 665P Series Nvme M2 1Tbمع Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb

إنتل VS سامسونغ

الميزة	Intel Ssd 665P Series Nvme M2 1Tb	Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية	2000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	1925 ميجابايت في الثانية (mb/s)	2300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	true	true
نوع الذاكرة DRAM
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط	1,600,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1,500,000 ساعة (MTBF) / 150 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة	0.1 واط في الوضع النشط / 0.04 واط في وضع الخمول	5 واط في وضع القراءة / 4.2 واط في وضع الكتابة / 0.03 واط في وضع الاستعداد
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	false	true
تقنية التشفير
الحجم والأبعاد	22 * 80 مليمتر (mm)	2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج	10 جرام (g)	8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	false	false
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
الميزات الإضافية	-

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Adata Xpg Spectrix S20G Nvme M2 500Gbمع Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb

أدا VS سامسونغ

الميزة	Adata Xpg Spectrix S20G Nvme M2 500Gb	Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	2500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	1800 ميجابايت في الثانية (mb/s)	2300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	false	true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
الجهد التشغيلي	3.3 فولت (v)	3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط	2,000,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1,500,000 ساعة (MTBF) / 150 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	false	true
تقنية التشفير
الميزات الإضافية
الشهادات والتصديقات		-
الحجم والأبعاد	7.55 * 22.1 * 80 مليمتر (mm)	2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج	15.4 جرام (g)	8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	true	false
وحدة التحكم	-
نوع الذاكرة DRAM	-
استهلاك الطاقة	-	5 واط في وضع القراءة / 4.2 واط في وضع الكتابة / 0.03 واط في وضع الاستعداد

عرض تفاصيل المقارنة