صفحة 7 من المقارنة Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة Adata Gammix S10 512Gbمع Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb

الميزة

Adata Gammix S10 512Gb

Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية 1800 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 850 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM true true
نوع الذاكرة DRAM
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 ساعة (MTBF) / 320 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,500,000 ساعة (MTBF) / 150 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة 0.33 واط في الوضع النشط / 0.14 واط في وضع الاستعداد 5 واط في وضع القراءة / 4.2 واط في وضع الكتابة / 0.03 واط في وضع الاستعداد
دعم NCQ false false
دعم TRIM false true
دعم RAID true false
دعم S.M.A.R.T false true
الميزات الإضافية
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm) 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج 8 جرام (g) 8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
تقنية التشفير -

مقارنة Samsung 870 Qvo Sata 25 Inch 2Tbمع Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb

الميزة

Samsung 870 Qvo Sata 25 Inch 2Tb

Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية 560 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 530 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM true true
نوع الذاكرة DRAM
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
الجهد التشغيلي 5 فولت (v) 3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 720 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,500,000 ساعة (MTBF) / 150 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة 5 واط في وضع القراءة / 4.2 واط في وضع الكتابة / 0.03 واط في وضع الاستعداد
دعم NCQ false false
دعم TRIM true true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true true
تقنية التشفير
الحجم والأبعاد 6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm) 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج 46 جرام (g) 8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
الميزات الإضافية -

مقارنة Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gbمع Silicon Power Slim S55 Sata30 240Gb

الميزة

Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb

Silicon Power Slim S55 Sata30 240Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية 560 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 530 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM false true
الجهد التشغيلي 5 فولت (v) 3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 125 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,500,000 ساعة (MTBF) / 150 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ true false
دعم TRIM true true
دعم RAID true false
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية
الحجم والأبعاد 7 * 69.9 * 100 مليمتر (mm) 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج 63 جرام (g) 8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
استهلاك الطاقة - 5 واط في وضع القراءة / 4.2 واط في وضع الكتابة / 0.03 واط في وضع الاستعداد
تقنية التشفير -

مقارنة Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gbمع Samsung T7 Shield Usb 32 Gen 2 2Tb

الميزة

Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb

Samsung T7 Shield Usb 32 Gen 2 2Tb

نوع استخدام الذاكرة خارجي داخلي
نوع الاتصال Type-C إلى Type-A من نوع USB 3.2 Gen 2 -
سعة الذاكرة 2 تيرابايت (tb)
سرعة القراءة التسلسلية 1050 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 1000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM false true
دعم NCQ false false
دعم TRIM false true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T false true
تقنية التشفير
الميزات الإضافية
الشهادات والتصديقات -
خيارات الألوان أسود، أزرق، رمادي (توب) -
الحجم والأبعاد 13 * 59 * 88 مليمتر (mm) 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج 98 جرام (g) 8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
منفذ الاتصال بالذاكرة -
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
مواصفات ذاكرة الفلاش -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط - 1,500,000 ساعة (MTBF) / 150 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة - 5 واط في وضع القراءة / 4.2 واط في وضع الكتابة / 0.03 واط في وضع الاستعداد

مقارنة Adata Falcon Nvme M2 1Tbمع Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb

الميزة

Adata Falcon Nvme M2 1Tb

Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية 3100 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 1500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 1,800,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,500,000 ساعة (MTBF) / 150 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ false false
دعم TRIM true true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true true
تقنية التشفير
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد 2.9 * 22 * 80 مليمتر (mm) 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج 9 جرام (g) 8 جرام (g)
نوع الذاكرة DRAM -
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
استهلاك الطاقة - 5 واط في وضع القراءة / 4.2 واط في وضع الكتابة / 0.03 واط في وضع الاستعداد
الميزات الإضافية -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة Leven Jm 600 Sata M2 2280 1Tbمع Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb

الميزة

Leven Jm 600 Sata M2 2280 1Tb

Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 470 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM false true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 512 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,500,000 ساعة (MTBF) / 150 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ false false
دعم TRIM false true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true true
الأنظمة المتوافقة Windows 7 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Windows Vista -
الميزات الإضافية خوارزمية LDPC المتقدمة لتصحيح الأخطاء - إضاءة RGB
الحجم والأبعاد 3 * 22 * 80 مليمتر (mm) 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج 6 جرام (g) 8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
وحدة التحكم -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
نوع الذاكرة DRAM -
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
استهلاك الطاقة - 5 واط في وضع القراءة / 4.2 واط في وضع الكتابة / 0.03 واط في وضع الاستعداد
تقنية التشفير -

مقارنة Corsair Mp600 Pro Nh Nvme M2 2Tbمع Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb

الميزة

Corsair Mp600 Pro Nh Nvme M2 2Tb

Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة 2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية 7000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 5700 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM true true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
الجهد التشغيلي 3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط 1,600,000 ساعة (MTBF) / 1400 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,500,000 ساعة (MTBF) / 150 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ false false
دعم TRIM true true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true true
تقنية التشفير
الميزات الإضافية
مؤشر الحالة LED false false
نوع الذاكرة DRAM -
استهلاك الطاقة - 5 واط في وضع القراءة / 4.2 واط في وضع الكتابة / 0.03 واط في وضع الاستعداد
الحجم والأبعاد - 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج - 8 جرام (g)

مقارنة Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gbمع Samsung Pm1643 Sas 25 Inch 768Tb

الميزة

Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb

Samsung Pm1643 Sas 25 Inch 768Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة 7.68 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 2100 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 2000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
الجهد التشغيلي 5 ** 12 فولت (v) 3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 (MTBF) ساعة (h) 1,500,000 ساعة (MTBF) / 150 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة 13.5 واط في الوضع النشط / 5 واط في وضع الاستعداد 5 واط في وضع القراءة / 4.2 واط في وضع الكتابة / 0.03 واط في وضع الاستعداد
دعم NCQ false false
دعم TRIM false true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T false true
الميزات الإضافية مناسب لمعدات الشبكة / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ)
الحجم والأبعاد 14.8 * 69.85 * 100.2 مليمتر (mm) 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج 160 جرام (g) 8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
وحدة التحكم -
نوع الذاكرة DRAM -
تقنية التشفير -

مقارنة Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gbمع Sandisk Pro G40 Usb 32 Gen 2 2Tb

الميزة

Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb

Sandisk Pro G40 Usb 32 Gen 2 2Tb

نوع استخدام الذاكرة خارجي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
نوع الاتصال Type-C إلى Type-A من نوع USB 3.2 Gen 2 -
سعة الذاكرة 2 تيرابايت (tb)
سرعة القراءة التسلسلية 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 2500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM false true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 5 إلى 35 درجة مئوية
دعم NCQ false false
دعم TRIM false true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T false true
الأنظمة المتوافقة Windows 10 والإصدارات الأحدث / macOS 10.13 والإصدارات الأحدث -
مادة الهيكل ألومنيوم -
الحجم والأبعاد 12 * 58 * 111 مليمتر (mm) 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج 121.3 جرام (g) 8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED true false
محتويات العلبة كابل Thunderbolt 3 / كابل USB 3.2 Gen 2 / دليل المستخدم -
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
مواصفات ذاكرة الفلاش -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
نوع الذاكرة DRAM -
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط - 1,500,000 ساعة (MTBF) / 150 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة - 5 واط في وضع القراءة / 4.2 واط في وضع الكتابة / 0.03 واط في وضع الاستعداد
تقنية التشفير -
الميزات الإضافية -

مقارنة Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gbمع Samsung Pm1643 Sas 25 Inch 192Tb

الميزة

Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb

Samsung Pm1643 Sas 25 Inch 192Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة 1.92 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 2100 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 1800 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false true
دعم NCQ false false
دعم TRIM false true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T false true
الميزات الإضافية مناسب لمعدات الشبكة / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ)
الحجم والأبعاد 14.8 * 69.85 * 100.2 مليمتر (mm) 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED false false
وحدة التحكم -
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط - 1,500,000 ساعة (MTBF) / 150 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة - 5 واط في وضع القراءة / 4.2 واط في وضع الكتابة / 0.03 واط في وضع الاستعداد
تقنية التشفير -
وزن المنتج - 8 جرام (g)

مقارنة Adata Gammix S10 1Tbمع Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb

الميزة

Adata Gammix S10 1Tb

Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية 1800 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 840 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM true true
نوع الذاكرة DRAM
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 ساعة (MTBF) / 640 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,500,000 ساعة (MTBF) / 150 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة 0.33 واط في الوضع النشط / 0.14 واط في وضع الاستعداد 5 واط في وضع القراءة / 4.2 واط في وضع الكتابة / 0.03 واط في وضع الاستعداد
دعم NCQ false false
دعم TRIM false true
دعم RAID true false
دعم S.M.A.R.T false true
الميزات الإضافية
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm) 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج 8 جرام (g) 8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
تقنية التشفير -

مقارنة Patriot Viper Vp4300 Lite Nvme M2 2Tbمع Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb

الميزة

Patriot Viper Vp4300 Lite Nvme M2 2Tb

Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة 2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 7400 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 6400 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط 1600 (TBW) تيرابايت (tb) 1,500,000 ساعة (MTBF) / 150 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ false false
دعم TRIM true true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true true
مؤشر الحالة LED false false
وحدة التحكم -
نوع الذاكرة DRAM -
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
استهلاك الطاقة - 5 واط في وضع القراءة / 4.2 واط في وضع الكتابة / 0.03 واط في وضع الاستعداد
تقنية التشفير -
الميزات الإضافية -
الحجم والأبعاد - 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج - 8 جرام (g)