صفحة 4 من المقارنة Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

$مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI828 {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb$

مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI828مع Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb

علامة تجارية غير معروفة VS سامسونغ

الميزة	قرص صلب داخلي AGI Technology AI828	Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
سعة الذاكرة	2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية	7400 MB/s	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	6700 MB/s	2300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط	1500	1,500,000 ساعة (MTBF) / 150 تيرابايت مكتوبة (TBW)
الجهد التشغيلي	3.3 V	3.3 فولت (v)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 3.5 mm)	2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج	7.5 g	8 جرام (g)
دعم S.M.A.R.T	true	true
دعم TRIM	true	true
الشهادات والتصديقات	BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	true
نوع الذاكرة DRAM	-
استهلاك الطاقة	-	5 واط في وضع القراءة / 4.2 واط في وضع الكتابة / 0.03 واط في وضع الاستعداد
دعم NCQ	-	false
دعم RAID	-	false
تقنية التشفير	-
الميزات الإضافية	-
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة SSD داخلي لينوفو 4XB7A87526 {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb$

مقارنة SSD داخلي لينوفو 4XB7A87526مع Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb

لينوفو VS سامسونغ

الميزة	SSD داخلي لينوفو 4XB7A87526	Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb
سعة الذاكرة	1.92 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	V-NAND TLC
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	97000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	31000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	2000000 saat	1,500,000 ساعة (MTBF) / 150 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2.5" (70 * 100 * 7 mm)	2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج	70 g	8 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تقنية التشفير	Yes
دعم S.M.A.R.T	true	true
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة التسلسلية	-	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	-	2300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	-	true
نوع الذاكرة DRAM	-
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
استهلاك الطاقة	-	5 واط في وضع القراءة / 4.2 واط في وضع الكتابة / 0.03 واط في وضع الاستعداد
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	false
الميزات الإضافية	-
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة قرص صلب داخلي HP Z Turbo 4TB M.2 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC Z4/Z6 Kit SSD {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb$

مقارنة قرص صلب داخلي HP Z Turbo 4TB M.2 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC Z4/Z6 Kit SSDمع Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb

إتش بي VS سامسونغ

الميزة	قرص صلب داخلي HP Z Turbo 4TB M.2 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC Z4/Z6 Kit SSD	Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb
وزن المنتج	164 g	8 جرام (g)
الحجم والأبعاد	82 * 30 * 12 mm	2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
محتويات العلبة	Z Turbo 4TB 2280 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC M.2 Z4/Z6 Kit SSD, heatsink, install guide, warranty card, product notices	-
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة	-
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
سعة الذاكرة	-
مواصفات ذاكرة الفلاش	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة التسلسلية	-	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	-	2300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	true
نوع الذاكرة DRAM	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط	-	1,500,000 ساعة (MTBF) / 150 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة	-	5 واط في وضع القراءة / 4.2 واط في وضع الكتابة / 0.03 واط في وضع الاستعداد
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	true
تقنية التشفير	-
الميزات الإضافية	-
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة قرص صلب داخلي جيجابايت اوروس Gen4 7300 {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb$

مقارنة قرص صلب داخلي جيجابايت اوروس Gen4 7300مع Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb

جيجابايت VS سامسونغ

الميزة	قرص صلب داخلي جيجابايت اوروس Gen4 7300	Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تقنية التشفير	Yes
دعم S.M.A.R.T	true	true
دعم TRIM	true	true
سعة الذاكرة	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D TLC NAND
سرعة القراءة التسلسلية	7300 MB/s	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	6000 MB/s	2300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط	700	1,500,000 ساعة (MTBF) / 150 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.3 mm)	2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	true
نوع الذاكرة DRAM	-
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
استهلاك الطاقة	-	5 واط في وضع القراءة / 4.2 واط في وضع الكتابة / 0.03 واط في وضع الاستعداد
دعم NCQ	-	false
دعم RAID	-	false
الميزات الإضافية	-
وزن المنتج	-	8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة قرص صلب داخلي DELL 960GB SAS Mixed Use 12Gbps 2.5in Hot-plug PM5-V {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb$

مقارنة قرص صلب داخلي DELL 960GB SAS Mixed Use 12Gbps 2.5in Hot-plug PM5-Vمع Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb

ديل VS سامسونغ

الميزة	قرص صلب داخلي DELL 960GB SAS Mixed Use 12Gbps 2.5in Hot-plug PM5-V	Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb
سعة الذاكرة	960 GB
الحجم والأبعاد	2.5"	2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة	SAS
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
مواصفات ذاكرة الفلاش	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة التسلسلية	-	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	-	2300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	true
نوع الذاكرة DRAM	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط	-	1,500,000 ساعة (MTBF) / 150 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة	-	5 واط في وضع القراءة / 4.2 واط في وضع الكتابة / 0.03 واط في وضع الاستعداد
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	true
تقنية التشفير	-
الميزات الإضافية	-
وزن المنتج	-	8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة محرك أقراص DELL 345-BGPN SSD الداخلي {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb$

مقارنة محرك أقراص DELL 345-BGPN SSD الداخليمع Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb

ديل VS سامسونغ

الميزة	محرك أقراص DELL 345-BGPN SSD الداخلي	Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb
سعة الذاكرة	1.6 TB
الحجم والأبعاد	2.5"	2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة	SAS
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تقنية التشفير	Yes
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
مواصفات ذاكرة الفلاش	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة التسلسلية	-	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	-	2300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	true
نوع الذاكرة DRAM	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط	-	1,500,000 ساعة (MTBF) / 150 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة	-	5 واط في وضع القراءة / 4.2 واط في وضع الكتابة / 0.03 واط في وضع الاستعداد
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	true
الميزات الإضافية	-
وزن المنتج	-	8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة لينوفو 4XB1M86954 قرص صلب داخلي {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb$

مقارنة لينوفو 4XB1M86954 قرص صلب داخليمع Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb

لينوفو VS سامسونغ

الميزة	لينوفو 4XB1M86954 قرص صلب داخلي	Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb
سعة الذاكرة	512 GB
سرعة القراءة التسلسلية	6900 MB/s	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	4400 MB/s	2300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 80 °C
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (80 * 22 * 2.23 mm)	2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج	7.2 g	8 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز	-
مواصفات ذاكرة الفلاش	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	true
نوع الذاكرة DRAM	-
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط	-	1,500,000 ساعة (MTBF) / 150 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة	-	5 واط في وضع القراءة / 4.2 واط في وضع الكتابة / 0.03 واط في وضع الاستعداد
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	true
تقنية التشفير	-
الميزات الإضافية	-
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 1 تيرابايت {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb$

مقارنة كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 1 تيرابايتمع Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb

كينغستون VS سامسونغ

الميزة	كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 1 تيرابايت	Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb
سعة الذاكرة	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D TLC
سرعة القراءة التسلسلية	14200 MB/s	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	11000 MB/s	2300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	2200000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	2150000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	2000000 saat	1,500,000 ساعة (MTBF) / 150 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.3 mm)	2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج	7.3 g	8 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 5.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
ذاكرة DRAM	-	true
نوع الذاكرة DRAM	-
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
استهلاك الطاقة	-	5 واط في وضع القراءة / 4.2 واط في وضع الكتابة / 0.03 واط في وضع الاستعداد
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	true
تقنية التشفير	-
الميزات الإضافية	-
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة لينوفو 4XB7A90874 قرص صلب داخلي {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb$

مقارنة لينوفو 4XB7A90874 قرص صلب داخليمع Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb

لينوفو VS سامسونغ

الميزة	لينوفو 4XB7A90874 قرص صلب داخلي	Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb
سعة الذاكرة	960 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش	V-NAND TLC
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	81000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	28000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	2000000 saat	1,500,000 ساعة (MTBF) / 150 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2.5" (70 * 100 * 7 mm)	2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين	No
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
دعم S.M.A.R.T	true	true
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة التسلسلية	-	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	-	2300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	-	true
نوع الذاكرة DRAM	-
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
استهلاك الطاقة	-	5 واط في وضع القراءة / 4.2 واط في وضع الكتابة / 0.03 واط في وضع الاستعداد
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	false
تقنية التشفير	-
الميزات الإضافية	-
وزن المنتج	-	8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb {request()->input('language_config')['common']['with']} محرك أقراص سامسونج PM883 SSD الداخلي$

مقارنة Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gbمع محرك أقراص سامسونج PM883 SSD الداخلي

سامسونغ VS سامسونج

الميزة	Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb	محرك أقراص سامسونج PM883 SSD الداخلي
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة		3.84 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		-
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	2300 ميجابايت في الثانية (mb/s)	520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		30000 IOPS
ذاكرة DRAM	true	-
نوع الذاكرة DRAM		-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 - 70 °C
الجهد التشغيلي	3.3 فولت (v)	-
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 150 تيرابايت مكتوبة (TBW)	-
استهلاك الطاقة	5 واط في وضع القراءة / 4.2 واط في وضع الكتابة / 0.03 واط في وضع الاستعداد	-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	-
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	-
تقنية التشفير		-
الميزات الإضافية		-
الحجم والأبعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)	2.5"
وزن المنتج	8 جرام (g)	58 g
مؤشر الحالة LED	false	-
خيارات الألوان	-	Siyah

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb$

مقارنة سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتامع Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb

سامسونج VS سامسونغ

الميزة	سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا	Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb
تقنية التشفير	Yes
دعم S.M.A.R.T	true	true
دعم TRIM	true	true
سعة الذاكرة	250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش	V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية	550 MB/s	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	520 MB/s	2300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط	1500000 saat	1,500,000 ساعة (MTBF) / 150 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)	2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج	8 g	8 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	true
نوع الذاكرة DRAM	-
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
استهلاك الطاقة	-	5 واط في وضع القراءة / 4.2 واط في وضع الكتابة / 0.03 واط في وضع الاستعداد
دعم NCQ	-	false
دعم RAID	-	false
الميزات الإضافية	-
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة قرص صلب داخلي كينغستون NV1 M.2 NVMe {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb$

مقارنة قرص صلب داخلي كينغستون NV1 M.2 NVMeمع Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb

كينغستون VS سامسونغ

الميزة	قرص صلب داخلي كينغستون NV1 M.2 NVMe	Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb
سعة الذاكرة	2 TB
سرعة القراءة التسلسلية	2100 MB/s	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	1700 MB/s	2300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط	480	1,500,000 ساعة (MTBF) / 150 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	M.2 (22 * 80 * 2.1 mm)	2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج	7 g	8 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 3.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
الشهادات والتصديقات	CE, RoHS	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
مواصفات ذاكرة الفلاش	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	true
نوع الذاكرة DRAM	-
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
استهلاك الطاقة	-	5 واط في وضع القراءة / 4.2 واط في وضع الكتابة / 0.03 واط في وضع الاستعداد
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	true
تقنية التشفير	-
الميزات الإضافية	-
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة