صفحة 3 من المقارنة Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tbمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 4TB (موديل MZ-77Q4T0)

الميزة

Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tb

قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 4TB (موديل MZ-77Q4T0)

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb) 4 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 3300 ميجابايت في الثانية (mb/s) 530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 88000 IOPS
ذاكرة DRAM true -
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الجهد التشغيلي 3.3 فولت (v) 5 V
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1500000 saat
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true true
تقنية التشفير Yes
الحجم والأبعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm) 2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)
وزن المنتج 8 جرام (g) 46 g
مؤشر الحالة LED false -

مقارنة محرك أقراص كينغستون DC600M 1920G 2.5 بوصة SATA SSD داخلي للمؤسسات (استخدام مختلط)مع Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tb

الميزة

محرك أقراص كينغستون DC600M 1920G 2.5 بوصة SATA SSD داخلي للمؤسسات (استخدام مختلط)

Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tb

سعة الذاكرة 1.92 TB 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D TLC NAND
سرعة القراءة التسلسلية 560 MB/s 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 530 MB/s 3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 94000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 78000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 3504 1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2.5" (69.8 * 100.1 * 7 mm) 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج 69 g 8 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تقنية التشفير No
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM -
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - true
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة قرص صلب داخلي كينغستون NV3 M.2 2230 NVMe بسعة 2 تيرابايتمع Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tb

الميزة

قرص صلب داخلي كينغستون NV3 M.2 2230 NVMe بسعة 2 تيرابايت

Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tb

سعة الذاكرة 2 TB 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية 6000 MB/s 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 5000 MB/s 3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 640 1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2230 (22 x 30 mm) (30 * 22 * 2.3 mm) 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج 2.8 g 8 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM -
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - true
تقنية التشفير -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتامع Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tb

الميزة

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tb

تقنية التشفير Yes
دعم S.M.A.R.T true true
دعم TRIM true true
سعة الذاكرة 250 GB 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 550 MB/s 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 520 MB/s 3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 1500000 saat 1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm) 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج 8 g 8 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM -
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ - false
دعم RAID - false
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tbمع Seagate FireCuda 120 محرك أقراص صلبة داخلي

الميزة

Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tb

Seagate FireCuda 120 محرك أقراص صلبة داخلي

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين No
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb) 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D TLC
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 3300 ميجابايت في الثانية (mb/s) 540 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 100000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 90000 IOPS
ذاكرة DRAM true -
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الجهد التشغيلي 3.3 فولت (v) -
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1400
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true true
تقنية التشفير -
الحجم والأبعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm) 2.5" (70.1 * 100.3 * 7.1 mm)
وزن المنتج 8 جرام (g) 50 g
مؤشر الحالة LED false -
الشهادات والتصديقات - RoHS

مقارنة محرك أقراص Klevv CRAS C910G SSD الداخليمع Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tb

الميزة

محرك أقراص Klevv CRAS C910G SSD الداخلي

Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tb

تقنية التشفير Yes
دعم S.M.A.R.T true true
سعة الذاكرة 2 TB 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D TLC NAND
سرعة القراءة التسلسلية 5200 MB/s 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 4800 MB/s 3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 560000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 615000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 1400 1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW)
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.8 mm) 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج 10 g 8 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
الشهادات والتصديقات UKCA, Federal Communications Commission (FCC), CE -
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - false
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة SSD داخلي لينوفو 4XB7A87526مع Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tb

الميزة

SSD داخلي لينوفو 4XB7A87526

Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tb

سعة الذاكرة 1.92 TB 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND TLC
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 97000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 31000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 2000000 saat 1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2.5" (70 * 100 * 7 mm) 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج 70 g 8 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تقنية التشفير Yes
دعم S.M.A.R.T true true
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية - 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية - 3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM -
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - false
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة SSD داخلي لينوفو 4XB1D04758مع Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tb

الميزة

SSD داخلي لينوفو 4XB1D04758

Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tb

سعة الذاكرة 2 TB 1 تيرابايت (tb)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 76 °C
الحجم والأبعاد M.2 (80 * 22 * 2.38 mm) 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج 9 g 8 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز -
مواصفات ذاكرة الفلاش -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية - 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية - 3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM -
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط - 1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - true
تقنية التشفير -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة قرص صلب داخلي HP Z Turbo 4TB M.2 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC Z4/Z6 Kit SSDمع Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tb

الميزة

قرص صلب داخلي HP Z Turbo 4TB M.2 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC Z4/Z6 Kit SSD

Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tb

وزن المنتج 164 g 8 جرام (g)
الحجم والأبعاد 82 * 30 * 12 mm 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
محتويات العلبة Z Turbo 4TB 2280 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC M.2 Z4/Z6 Kit SSD, heatsink, install guide, warranty card, product notices -
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة -
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة - 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية - 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية - 3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط - 1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - true
تقنية التشفير -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI818مع Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tb

علامة تجارية غير معروفة VS سامسونغ
الميزة

قرص صلب داخلي AGI Technology AI818

Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tb

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
سعة الذاكرة 2 TB 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية 5200 MB/s 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 4700 MB/s 3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 1200 1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW)
الجهد التشغيلي 3.3 V 3.3 فولت (v)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.1 mm) 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج 7.5 g 8 جرام (g)
دعم S.M.A.R.T true true
دعم TRIM true true
الشهادات والتصديقات BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS -
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM -
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ - false
دعم RAID - false
تقنية التشفير -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tbمع Seagate FireCuda 120 محرك أقراص صلبة داخلي

الميزة

Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tb

Seagate FireCuda 120 محرك أقراص صلبة داخلي

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين No
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb) 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D TLC
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 3300 ميجابايت في الثانية (mb/s) 540 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 100000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 90000 IOPS
ذاكرة DRAM true -
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الجهد التشغيلي 3.3 فولت (v) -
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1400
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true true
تقنية التشفير -
الحجم والأبعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm) 2.5" (70.1 * 100.3 * 7.1 mm)
وزن المنتج 8 جرام (g) 50 g
مؤشر الحالة LED false -
الشهادات والتصديقات - RoHS

مقارنة قرص صلب داخلي كينغستون NV3 M.2 2230 NVMe بسعة 1 تيرابايتمع Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tb

الميزة

قرص صلب داخلي كينغستون NV3 M.2 2230 NVMe بسعة 1 تيرابايت

Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tb

سعة الذاكرة 1 TB 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية 6000 MB/s 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 4000 MB/s 3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 320 1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2230 (22 x 30 mm) (30 * 22 * 2.3 mm) 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج 2.8 g 8 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM -
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - true
تقنية التشفير -
مؤشر الحالة LED - false