صفحة 10 من المقارنة Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة Adata Se770G Usb 32 Gen 2 1Tbمع Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tb

الميزة	Adata Se770G Usb 32 Gen 2 1Tb	Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tb
نوع استخدام الذاكرة	خارجي	داخلي
نوع الاتصال	Type-C إلى Type-C من نوع USB 3.2 Gen 2	-
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)	1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	1000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	800 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	false	true
الجهد التشغيلي	5 فولت (v)	3.3 فولت (v)
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	false	true
الأنظمة المتوافقة	Windows / macOS / Linux / Android	-
الحجم والأبعاد	18 * 57.5 * 99.5 مليمتر (mm)	2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج	136 جرام (g)	8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	false	false
محتويات العلبة	كابل USB 3.2 Type-C إلى C / كابل USB 3.2 Type-C إلى A / دليل المستخدم	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	-
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
نوع الذاكرة DRAM	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
العمر الافتراضي المتوسط	-	1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة	-
تقنية التشفير	-

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Adata Premier Sp550 120Gbمع Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tb

أدا VS سامسونغ

الميزة	Adata Premier Sp550 120Gb	Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة
سعة الذاكرة		1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية	560 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	410 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	true	true
نوع الذاكرة DRAM
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 90 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ	true	false
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	true	false
دعم S.M.A.R.T	false	true
الميزات الإضافية		-
الشهادات والتصديقات		-
الحجم والأبعاد	7 * 69.85 * 100.45 مليمتر (mm)	2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج	47.5 جرام (g)	8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	false	false
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
استهلاك الطاقة	-
تقنية التشفير	-

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Adata Xpg Gammix S70 Nvme M2 2Tbمع Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tb

أدا VS سامسونغ

الميزة	Adata Xpg Gammix S70 Nvme M2 2Tb	Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة	2 تيرابايت (tb)	1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية	7400 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	6700 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	true	true
نوع الذاكرة DRAM
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط	2,000,000 ساعة (MTBF) / 1480 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	true	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
تقنية التشفير
الميزات الإضافية		-
الشهادات والتصديقات		-
الحجم والأبعاد	15 * 25.2 * 80 مليمتر (mm)	2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج	34 جرام (g)	8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	false	false
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
استهلاك الطاقة	-

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tbمع Western Digital Green Sn350 Nvme M2 500Gb

ويسترن ديجيتال VS سامسونغ

الميزة	Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tb	Western Digital Green Sn350 Nvme M2 500Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة		1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	1500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	2400 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	false	true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط	1,000,000 ساعة (MTTF) / 60 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
الميزات الإضافية		-
الشهادات والتصديقات		-
الحجم والأبعاد	2.38 * 22 * 80 مليمتر (mm)	2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج	7.5 جرام (g)	8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	false	false
وحدة التحكم	-
نوع الذاكرة DRAM	-
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
استهلاك الطاقة	-
تقنية التشفير	-

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tbمع Sandisk Pro G40 Usb 32 Gen 2 1Tb

سانديسك VS سامسونغ

الميزة	Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tb	Sandisk Pro G40 Usb 32 Gen 2 1Tb
نوع استخدام الذاكرة	خارجي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
نوع الاتصال	Type-C إلى Type-A من نوع USB 3.2 Gen 2	-
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)	1 تيرابايت (tb)
سرعة القراءة التسلسلية	3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	2500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	false	true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	5 إلى 35 درجة مئوية
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	false	true
الأنظمة المتوافقة	Windows 10 والإصدارات الأحدث / macOS 10.13 والإصدارات الأحدث	-
مادة الهيكل	ألومنيوم	-
الحجم والأبعاد	12 * 58 * 111 مليمتر (mm)	2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج	121.2 جرام (g)	8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	true	false
محتويات العلبة	كابل Thunderbolt 3 / كابل USB 3.2 Gen 2 / دليل المستخدم	-
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
مواصفات ذاكرة الفلاش	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
نوع الذاكرة DRAM	-
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط	-	1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة	-
تقنية التشفير	-

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Corsair Mp600 Pro Nh Nvme M2 2Tbمع Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tb

كورسير VS سامسونغ

الميزة	Corsair Mp600 Pro Nh Nvme M2 2Tb	Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة	2 تيرابايت (tb)	1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية	7000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	5700 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	true	true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
الجهد التشغيلي		3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط	1,600,000 ساعة (MTBF) / 1400 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
تقنية التشفير
الميزات الإضافية		-
مؤشر الحالة LED	false	false
نوع الذاكرة DRAM	-
استهلاك الطاقة	-
الحجم والأبعاد	-	2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج	-	8 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Corsair Mp600 Core Gen4 Nvme M 2 2Tbمع Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tb

كورسير VS سامسونغ

الميزة	Corsair Mp600 Core Gen4 Nvme M 2 2Tb	Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة	2 تيرابايت (tb)	1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية	4950 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	3700 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	false	true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
الجهد التشغيلي	3.3 فولت (v)	3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط	1,800,000 ساعة (MTBF) / 450 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة	6.3 واط (وضع القراءة) / 6.3 واط (وضع الكتابة) / أقل من 5 مللي واط (وضع DevSlp)
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	false	true
تقنية التشفير
الميزات الإضافية		-
الحجم والأبعاد	15 * 23 * 80 مليمتر (mm)	2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج	34 جرام (g)	8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	false	false
نوع الذاكرة DRAM	-

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Apacer As2280P4 Nvme M2 512Gbمع Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tb

إيسر VS سامسونغ

الميزة	Apacer As2280P4 Nvme M2 512Gb	Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة		1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	2100 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	1500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	false	true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
الجهد التشغيلي	3.3 فولت (v)	3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 350 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
الشهادات والتصديقات		-
الحجم والأبعاد	2.38 * 22 * 80 مليمتر (mm)	2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج	6.8 جرام (g)	8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	false	false
وحدة التحكم	-
نوع الذاكرة DRAM	-
تقنية التشفير	-

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tbمع Samsung PM9B1 NVMe M.2 2242 بسعة 256 جيجابايت

سامسونغ VS سامسونغ

الميزة	Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tb	Samsung PM9B1 NVMe M.2 2242 بسعة 256 جيجابايت
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة		1 تيرابايت (tb)
سرعة القراءة التسلسلية	2400 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	940 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	false	true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 إلى 70 درجة مئوية
الجهد التشغيلي	3.3 فولت (v)	3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط	1,750,000 (MTTF) ساعة (h)	1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW)
الحجم والأبعاد	2.3 * 22 * 42 مليمتر (mm)	2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج	3.9 جرام (g)	8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	false	false
مواصفات ذاكرة الفلاش	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
نوع الذاكرة DRAM	-
استهلاك الطاقة	-
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	true
تقنية التشفير	-

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Patriot Viper Vp4300 Lite Nvme M2 2Tbمع Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tb

باتريوت VS سامسونغ

الميزة	Patriot Viper Vp4300 Lite Nvme M2 2Tb	Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة	2 تيرابايت (tb)	1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	7400 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	6400 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	false	true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط	1600 (TBW) تيرابايت (tb)	1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
مؤشر الحالة LED	false	false
وحدة التحكم	-
نوع الذاكرة DRAM	-
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
استهلاك الطاقة	-
تقنية التشفير	-
الحجم والأبعاد	-	2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج	-	8 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Msi Spatium M480 Play Nvme M2 1Tbمع Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tb

إم إس آي VS سامسونغ

الميزة	Msi Spatium M480 Play Nvme M2 1Tb	Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)	1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية	7000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	5500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	true	true
نوع الذاكرة DRAM	DDR4 مع ذاكرة تخزين مؤقت 1 جيجابايت
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط	1,600,000 ساعة (MTBF) / 700 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
تقنية التشفير
الميزات الإضافية	خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E)	-
الحجم والأبعاد	2.15 * 22 * 80 مليمتر (mm)	2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج	9.7 جرام (g)	8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	false	false
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Msi Spatium M460 Nvme M2 2Tbمع Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tb

إم إس آي VS سامسونغ

الميزة	Msi Spatium M460 Nvme M2 2Tb	Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة	2 تيرابايت (tb)	1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية	4900 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	4400 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	false	true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 1200 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
تقنية التشفير
الميزات الإضافية	ترميز LPDC / خوارزمية رمز تصحيح الخطأ (ECC) / ميزة Pyrite لتشفير وأمن البيانات	-
الحجم والأبعاد	2.15 x 22 x 80 مم	2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED	false	false
نوع الذاكرة DRAM	-
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
وزن المنتج	-	8 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة