مقارنة Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

$مقارنة {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tb$

مقارنة مع Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tb

الميزة		Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة	M.2
تفاصيل الاتصال بالتخزين	NVMe PCIe Gen4 x4
نوع الاتصال	PCIe Gen4 NVMe	-
سرعة القراءة التسلسلية	تصل إلى 7,100 ميجابايت/ثانية	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	تصل إلى 6,000 ميجابايت/ثانية	3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
مواصفات ذاكرة الفلاش	Micron G8 NAND
الأنظمة المتوافقة	Windows، أجهزة الكمبيوتر المحمولة، أجهزة الكمبيوتر المكتبية، وحدات تحكم الألعاب المحمولة المختارة (ROG Ally X، Lenovo Legion Go، AYANEO Kun)	-
الميزات الإضافية	برنامج استعادة بيانات Acronis، التحكم الحراري	-
الحجم والأبعاد	M.2 2280	2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
محتويات العلبة	ترخيص/مفتاح برنامج استعادة بيانات Acronis	-
تصميم وأبعاد الجهاز	عامل شكل M.2 2280
سعة الذاكرة	-	1 تيرابايت (tb)
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	true
نوع الذاكرة DRAM	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط	-	1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة	-
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	true
تقنية التشفير	-
وزن المنتج	-	8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tb$

مقارنة مع Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tb

كينغسبيك VS سامسونغ

الميزة		Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tb
نوع استخدام الذاكرة	محرك أقراص الحالة الصلبة داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة	M.2 2280
تفاصيل الاتصال بالتخزين	NVMe Gen3x4
نوع الاتصال	NVMe Gen3x4	-
سعة الذاكرة	512 جيجابايت	1 تيرابايت (tb)
سرعة القراءة التسلسلية	تصل إلى 2400 ميجابايت/ثانية	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
مواصفات ذاكرة الفلاش	ذاكرة فلاش NAND ثلاثية الأبعاد (TLC/QLC)
وحدة التحكم	وحدة تحكم رئيسية عالية الجودة
دعم TRIM	نعم	true
دعم S.M.A.R.T	نعم	true
الأنظمة المتوافقة	Windows 7-10، RHEL، CentOS، Linux، Ubuntu	-
الميزات الإضافية	تسوية التآكل، LDPC ECC، حماية البيانات من طرف إلى طرف	-
الحجم والأبعاد	M.2 2280	2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
محتويات العلبة	SSD، وثائق	-
تصميم وأبعاد الجهاز	عامل شكل M.2 2280
سرعة الكتابة التسلسلية	-	3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	true
نوع الذاكرة DRAM	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط	-	1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة	-
دعم NCQ	-	false
دعم RAID	-	false
تقنية التشفير	-
وزن المنتج	-	8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} WD_Black SN7100 2TB NVMe SSD$

مقارنة Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tbمع WD_Black SN7100 2TB NVMe SSD

سامسونغ VS سانديسك

الميزة	Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tb	WD_Black SN7100 2TB NVMe SSD
نوع استخدام الذاكرة	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	true	-
نوع الذاكرة DRAM		-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		-
الجهد التشغيلي	3.3 فولت (v)	-
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW)	-
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	-
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	-
تقنية التشفير		-
الحجم والأبعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج	8 جرام (g)	-
مؤشر الحالة LED	false	-
نوع الاتصال	-
الأنظمة المتوافقة	-
الميزات الإضافية	-

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tb {request()->input('language_config')['common']['with']}$

مقارنة Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tbمع

سامسونغ VS سامسونغ

الميزة	Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	ذاكرة فلاش NAND
منفذ الاتصال بالذاكرة		M.2 2280
تفاصيل الاتصال بالتخزين		PCIe Gen 4x4 / PCIe Gen 5x2
تصميم وأبعاد الجهاز		عامل شكل M.2 2280
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)	1 تيرابايت
مواصفات ذاكرة الفلاش		أحدث ذاكرة NAND
وحدة التحكم		وحدة تحكم مطلية بالنيكل
سرعة القراءة التسلسلية	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	7150 ميجابايت/ثانية
سرعة الكتابة التسلسلية	3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	true	-
نوع الذاكرة DRAM		-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		-
الجهد التشغيلي	3.3 فولت (v)	-
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW)	-
استهلاك الطاقة		فعال
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	-
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	-
تقنية التشفير
الحجم والأبعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)	M.2 2280
وزن المنتج	8 جرام (g)	-
مؤشر الحالة LED	false	-
نوع الاتصال	-	NVMe
الأنظمة المتوافقة	-	كمبيوتر شخصي، أجهزة كمبيوتر محمولة
الميزات الإضافية	-	تقنية HMB، Intelligent Turbowrite 2.0
محتويات العلبة	-	SSD (MZ-V9S1T0B/AM)

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tb {request()->input('language_config')['common']['with']}$

مقارنة Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tbمع

سامسونغ VS سامسونغ

الميزة	Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	SSD داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة		M.2 2280
تفاصيل الاتصال بالتخزين		PCIe 4.0 x4 NVMe
تصميم وأبعاد الجهاز		عامل شكل M.2 2280
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)	1 تيرابايت
مواصفات ذاكرة الفلاش		Samsung V-NAND
وحدة التحكم		Samsung Elpis Controller
سرعة القراءة التسلسلية	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	تصل إلى 7,450 ميجابايت/ثانية
سرعة الكتابة التسلسلية	3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)	تصل إلى 6,900 ميجابايت/ثانية
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		تصل إلى 1,400 ألف عملية إدخال/إخراج في الثانية
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		تصل إلى 1,550 ألف عملية إدخال/إخراج في الثانية
ذاكرة DRAM	true	نعم
نوع الذاكرة DRAM		-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 درجة مئوية إلى 70 درجة مئوية
الجهد التشغيلي	3.3 فولت (v)	-
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW)	غير متوفر (لم يتم تحديد TBW في الميزات الأولية)
استهلاك الطاقة		أداء محسّن لكل واط مقارنة بـ 980 PRO
دعم NCQ	false	نعم
دعم TRIM	true	نعم
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	نعم
تقنية التشفير		تشفير AES 256 بت
الحجم والأبعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)	M.2 2280 (80 مم × 22 مم × 2.38 مم)
وزن المنتج	8 جرام (g)	تقريبًا 8.0 جرام
مؤشر الحالة LED	false	-
نوع الاتصال	-	M.2 NVMe PCIe 4.0
الأنظمة المتوافقة	-	Windows، macOS، Linux (مع دعم NVMe)
الميزات الإضافية	-	برنامج Samsung Magician، التحكم الحراري الذكي، متوافق مع PS5
خيارات الألوان	-	أسود
محتويات العلبة	-	SSD، دليل التثبيت، دليل الضمان

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة قرص صلب داخلي DELL 960GB SAS Mixed Use 12Gbps 2.5in Hot-plug PM5-V {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tb$

مقارنة قرص صلب داخلي DELL 960GB SAS Mixed Use 12Gbps 2.5in Hot-plug PM5-Vمع Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tb

ديل VS سامسونغ

الميزة	قرص صلب داخلي DELL 960GB SAS Mixed Use 12Gbps 2.5in Hot-plug PM5-V	Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tb
سعة الذاكرة	960 GB	1 تيرابايت (tb)
الحجم والأبعاد	2.5"	2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة	SAS
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
مواصفات ذاكرة الفلاش	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة التسلسلية	-	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	-	3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	true
نوع الذاكرة DRAM	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط	-	1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة	-
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	true
تقنية التشفير	-
وزن المنتج	-	8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} محرك أقراص سيجيت Nytro 5000 SSD الداخلي$

مقارنة Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tbمع محرك أقراص سيجيت Nytro 5000 SSD الداخلي

سامسونغ VS سيجيت

الميزة	Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tb	محرك أقراص سيجيت Nytro 5000 SSD الداخلي
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		PCI Express 3.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين		Yes
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)	1.92 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		3D cMLC
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	-
سرعة الكتابة التسلسلية	3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		245000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		28000 IOPS
ذاكرة DRAM	true	-
نوع الذاكرة DRAM		-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		-
الجهد التشغيلي	3.3 فولت (v)	-
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW)	2000000 saat
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	-
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	-
تقنية التشفير		-
الحجم والأبعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)	M.2 (22 * 110 * 2 mm)
وزن المنتج	8 جرام (g)	14 g
مؤشر الحالة LED	false	-
خيارات الألوان	-	Black, Green

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة سامسونج 970 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2 {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tb$

مقارنة سامسونج 970 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2مع Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tb

سامسونج VS سامسونغ

الميزة	سامسونج 970 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2	Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tb
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 3.0
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تقنية التشفير	Yes
دعم S.M.A.R.T	true	true
دعم TRIM	true	true
سعة الذاكرة	1 TB	1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش	V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية	3400 MB/s	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	2500 MB/s	3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط	1500000 saat	1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW)
الجهد التشغيلي	3.3 V	3.3 فولت (v)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)	2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج	8 g	8 جرام (g)
خيارات الألوان	Siyah	-
الشهادات والتصديقات	RoHS	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	true
نوع الذاكرة DRAM	-
استهلاك الطاقة	-
دعم NCQ	-	false
دعم RAID	-	false
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة SSD داخلي لينوفو 4XB7A14049 {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tb$

مقارنة SSD داخلي لينوفو 4XB7A14049مع Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tb

لينوفو VS سامسونغ

الميزة	SSD داخلي لينوفو 4XB7A14049	Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tb
سعة الذاكرة	240 GB	1 تيرابايت (tb)
سرعة القراءة التسلسلية	540 MB/s	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	250 MB/s	3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	78000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	26000 IOPS
الحجم والأبعاد	M.2	2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 2.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين	No
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز	-
مواصفات ذاكرة الفلاش	-
وحدة التحكم	-
ذاكرة DRAM	-	true
نوع الذاكرة DRAM	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط	-	1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة	-
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	true
تقنية التشفير	-
وزن المنتج	-	8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة قرص صلب داخلي كينغستون NV1 M.2 NVMe {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tb$

مقارنة قرص صلب داخلي كينغستون NV1 M.2 NVMeمع Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tb

كينغستون VS سامسونغ

الميزة	قرص صلب داخلي كينغستون NV1 M.2 NVMe	Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tb
سعة الذاكرة	2 TB	1 تيرابايت (tb)
سرعة القراءة التسلسلية	2100 MB/s	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	1700 MB/s	3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط	480	1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	M.2 (22 * 80 * 2.1 mm)	2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج	7 g	8 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 3.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
الشهادات والتصديقات	CE, RoHS	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
مواصفات ذاكرة الفلاش	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	true
نوع الذاكرة DRAM	-
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
استهلاك الطاقة	-
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	true
تقنية التشفير	-
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} Seagate BarraCuda Q1 محرك أقراص صلبة داخلي$

مقارنة Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tbمع Seagate BarraCuda Q1 محرك أقراص صلبة داخلي

سامسونغ VS سيجيت

الميزة	Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tb	Seagate BarraCuda Q1 محرك أقراص صلبة داخلي
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)	960 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش		QLC 3D NAND
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)	500 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	true	-
نوع الذاكرة DRAM		-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 - 70 °C
الجهد التشغيلي	3.3 فولت (v)	-
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1800000 saat
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
تقنية التشفير		-
الحجم والأبعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)	2.5" (70.1 * 100.4 * 7.1 mm)
وزن المنتج	8 جرام (g)	40 g
مؤشر الحالة LED	false	-
الشهادات والتصديقات	-	RoHS

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة قرص صلب داخلي جيجابايت اوروس Gen4 7300 {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tb$

مقارنة قرص صلب داخلي جيجابايت اوروس Gen4 7300مع Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tb

جيجابايت VS سامسونغ

الميزة	قرص صلب داخلي جيجابايت اوروس Gen4 7300	Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tb
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تقنية التشفير	Yes
دعم S.M.A.R.T	true	true
دعم TRIM	true	true
سعة الذاكرة	1 TB	1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D TLC NAND
سرعة القراءة التسلسلية	7300 MB/s	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	6000 MB/s	3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط	700	1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.3 mm)	2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	true
نوع الذاكرة DRAM	-
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
استهلاك الطاقة	-
دعم NCQ	-	false
دعم RAID	-	false
وزن المنتج	-	8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة