نوع استخدام الذاكرة | اینترنال | اینترنال |
---|---|---|
منفذ الاتصال بالذاكرة | PCIe NVMe | PCIe NVMe |
تفاصيل الاتصال بالتخزين | PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 | PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 |
تصميم وأبعاد الجهاز | 2280 M.2 | 2280 M.2 |
---|
سعة الذاكرة | 500 گیگابایت | 1 ترابایت |
---|---|---|
مواصفات ذاكرة الفلاش | Samsung V-NAND 3-bit MLC | 3D NAND |
وحدة التحكم | Samsung Phoenix | - |
سرعة القراءة التسلسلية | 3400 مگابایت بر ثانیه | 2500 مگابایت بر ثانیه |
سرعة الكتابة التسلسلية | 2300 مگابایت بر ثانیه | 1650 مگابایت بر ثانیه |
سرعة القراءة العشوائية للبيانات | 370,000IOPS | - |
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات | 450,000IOPS | - |
ذاكرة DRAM | دارد | ندارد |
نوع الذاكرة DRAM | 512 مگابایت LPDDR4 | - |
نطاق درجة الحرارة التشغيلية | 0 تا 70 درجه سانتیگراد | 0 تا 70 درجه سانتیگراد |
الجهد التشغيلي | 3.3 ولت | - |
العمر الافتراضي المتوسط | - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW) | 2,000,000 ساعت (MTBF) |
استهلاك الطاقة | - 5.7 وات در حالت خواندن - 5.8 وات در حالت نوشتن - 0.03 وات در حالت آماده باش - 5 میلیوات در حالت DevSlp | - |
---|
دعم NCQ | ندارد | ندارد |
---|---|---|
دعم TRIM | دارد | دارد |
دعم RAID | ندارد | ندارد |
دعم S.M.A.R.T | دارد | دارد |
تقنية التشفير | AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 | - |
الميزات الإضافية | - | - بهینهساز مصرف انرژی APST, ASPM, L1.2 - الگوریتم اصلاح خطا (ECC) - محافظت از دادهها در مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) |
الحجم والأبعاد | 2.38 × 22.15 × 80.15 میلیمتر | 2 × 22 × 80 میلیمتر |
---|---|---|
وزن المنتج | 8 گرم | 6.6 گرم |
مؤشر الحالة LED | ندارد | - |
---|
الشهادات والتصديقات | - | BSMI, CE, FCC, KCC, VCCI, REACH, RoHS |
---|
لا توجد أسئلة حول هذه المقارنة بعد.
كن أول من يطرح سؤالاً!
التقييمات المميزة