صفحة 2 من المقارنة Samsung 870 Evo Sata 2 5 Inch 4Tb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة قرص صلب داخلي كينغستون NV3 M.2 2230 NVMe بسعة 1 تيرابايتمع Samsung 870 Evo Sata 2 5 Inch 4Tb

الميزة	قرص صلب داخلي كينغستون NV3 M.2 2230 NVMe بسعة 1 تيرابايت	Samsung 870 Evo Sata 2 5 Inch 4Tb
سعة الذاكرة	1 TB	4 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية	6000 MB/s	560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	4000 MB/s	530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط	320	1,500,000 ساعة (MTBF) / 2400 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2230 (22 x 30 mm) (30 * 22 * 2.3 mm)	6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج	2.8 g	45 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز	-	2.5 بوصة
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	true
نوع الذاكرة DRAM	-
الجهد التشغيلي	-	5 فولت (v)
استهلاك الطاقة	-
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	true
تقنية التشفير	-
الشهادات والتصديقات	-

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI828مع Samsung 870 Evo Sata 2 5 Inch 4Tb

علامة تجارية غير معروفة VS سامسونغ

الميزة	قرص صلب داخلي AGI Technology AI828	Samsung 870 Evo Sata 2 5 Inch 4Tb
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
سعة الذاكرة	2 TB	4 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية	7400 MB/s	560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	6700 MB/s	530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط	1500	1,500,000 ساعة (MTBF) / 2400 تيرابايت مكتوبة (TBW)
الجهد التشغيلي	3.3 V	5 فولت (v)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 3.5 mm)	6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج	7.5 g	45 جرام (g)
دعم S.M.A.R.T	true	true
دعم TRIM	true	true
الشهادات والتصديقات	BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS
تصميم وأبعاد الجهاز	-	2.5 بوصة
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	true
نوع الذاكرة DRAM	-
استهلاك الطاقة	-
دعم NCQ	-	false
دعم RAID	-	false
تقنية التشفير	-

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI298مع Samsung 870 Evo Sata 2 5 Inch 4Tb

علامة تجارية غير معروفة VS سامسونغ

الميزة	قرص صلب داخلي AGI Technology AI298	Samsung 870 Evo Sata 2 5 Inch 4Tb
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 3.0
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
سعة الذاكرة	1 TB	4 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية	3200 MB/s	560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	1700 MB/s	530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط	600	1,500,000 ساعة (MTBF) / 2400 تيرابايت مكتوبة (TBW)
الجهد التشغيلي	3.3 V	5 فولت (v)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 3.5 mm)	6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج	6 g	45 جرام (g)
الشهادات والتصديقات	BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS, VCCI
تصميم وأبعاد الجهاز	-	2.5 بوصة
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	true
نوع الذاكرة DRAM	-
استهلاك الطاقة	-
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	true
تقنية التشفير	-

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 2 تيرابايتمع Samsung 870 Evo Sata 2 5 Inch 4Tb

كينغستون VS سامسونغ

الميزة	كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 2 تيرابايت	Samsung 870 Evo Sata 2 5 Inch 4Tb
سعة الذاكرة	2 TB	4 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D TLC
سرعة القراءة التسلسلية	14700 MB/s	560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	14000 MB/s	530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	2200000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	2200000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	2000000 saat	1,500,000 ساعة (MTBF) / 2400 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.3 mm)	6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج	7.7 g	45 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 5.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز	-	2.5 بوصة
وحدة التحكم	-
ذاكرة DRAM	-	true
نوع الذاكرة DRAM	-
الجهد التشغيلي	-	5 فولت (v)
استهلاك الطاقة	-
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	true
تقنية التشفير	-
الشهادات والتصديقات	-

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI828مع Samsung 870 Evo Sata 2 5 Inch 4Tb

علامة تجارية غير معروفة VS سامسونغ

الميزة	قرص صلب داخلي AGI Technology AI828	Samsung 870 Evo Sata 2 5 Inch 4Tb
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
سعة الذاكرة	2 TB	4 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية	7400 MB/s	560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	6700 MB/s	530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط	1500	1,500,000 ساعة (MTBF) / 2400 تيرابايت مكتوبة (TBW)
الجهد التشغيلي	3.3 V	5 فولت (v)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 3.5 mm)	6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج	7.5 g	45 جرام (g)
دعم S.M.A.R.T	true	true
دعم TRIM	true	true
الشهادات والتصديقات	BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS
تصميم وأبعاد الجهاز	-	2.5 بوصة
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	true
نوع الذاكرة DRAM	-
استهلاك الطاقة	-
دعم NCQ	-	false
دعم RAID	-	false
تقنية التشفير	-

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة SSD داخلي لينوفو 4XB1D04758مع Samsung 870 Evo Sata 2 5 Inch 4Tb

لينوفو VS سامسونغ

الميزة	SSD داخلي لينوفو 4XB1D04758	Samsung 870 Evo Sata 2 5 Inch 4Tb
سعة الذاكرة	2 TB	4 تيرابايت (tb)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 76 °C
الحجم والأبعاد	M.2 (80 * 22 * 2.38 mm)	6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج	9 g	45 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز	-	2.5 بوصة
مواصفات ذاكرة الفلاش	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة التسلسلية	-	560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	-	530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	true
نوع الذاكرة DRAM	-
الجهد التشغيلي	-	5 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط	-	1,500,000 ساعة (MTBF) / 2400 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة	-
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	true
تقنية التشفير	-
الشهادات والتصديقات	-

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة كينغستون 7.68 تيرابايت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe SSD للمؤسساتمع Samsung 870 Evo Sata 2 5 Inch 4Tb

كينغستون VS سامسونغ

الميزة	كينغستون 7.68 تيرابايت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe SSD للمؤسسات	Samsung 870 Evo Sata 2 5 Inch 4Tb
تقنية التشفير	Yes
سعة الذاكرة	7.68 TB	4 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D eTLC
سرعة القراءة التسلسلية	14000 MB/s	560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	10000 MB/s	530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	2800000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	500000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	2000000 saat	1,500,000 ساعة (MTBF) / 2400 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	U.2 (69.8 * 100.5 * 14.8 mm)	6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج	151.3 g	45 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 5.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز	-	2.5 بوصة
وحدة التحكم	-
ذاكرة DRAM	-	true
نوع الذاكرة DRAM	-
الجهد التشغيلي	-	5 فولت (v)
استهلاك الطاقة	-
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	true
الشهادات والتصديقات	-

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة SSD داخلي لينوفو 4XB7A90875مع Samsung 870 Evo Sata 2 5 Inch 4Tb

لينوفو VS سامسونغ

الميزة	SSD داخلي لينوفو 4XB7A90875	Samsung 870 Evo Sata 2 5 Inch 4Tb
سعة الذاكرة	1.92 TB	4 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش	V-NAND TLC
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	82000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	28000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	2000000 saat	1,500,000 ساعة (MTBF) / 2400 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2.5" (70 * 100 * 7 mm)	6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين	No
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
دعم S.M.A.R.T	true	true
تصميم وأبعاد الجهاز	-	2.5 بوصة
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة التسلسلية	-	560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	-	530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	-	true
نوع الذاكرة DRAM	-
الجهد التشغيلي	-	5 فولت (v)
استهلاك الطاقة	-
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	false
تقنية التشفير	-
الشهادات والتصديقات	-
وزن المنتج	-	45 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتامع Samsung 870 Evo Sata 2 5 Inch 4Tb

سامسونج VS سامسونغ

الميزة	سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا	Samsung 870 Evo Sata 2 5 Inch 4Tb
تقنية التشفير	Yes
دعم S.M.A.R.T	true	true
دعم TRIM	true	true
سعة الذاكرة	250 GB	4 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش	V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية	550 MB/s	560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	520 MB/s	530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط	1500000 saat	1,500,000 ساعة (MTBF) / 2400 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)	6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج	8 g	45 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-	2.5 بوصة
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	true
نوع الذاكرة DRAM	-
الجهد التشغيلي	-	5 فولت (v)
استهلاك الطاقة	-
دعم NCQ	-	false
دعم RAID	-	false
الشهادات والتصديقات	-

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Samsung 870 Evo Sata 2 5 Inch 4Tbمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 4TB (موديل MZ-77Q4T0)

سامسونغ VS سامسونج

الميزة	Samsung 870 Evo Sata 2 5 Inch 4Tb	قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 4TB (موديل MZ-77Q4T0)
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة	-
سعة الذاكرة	4 تيرابايت (tb)	4 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		V-NAND MLC
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	560 ميجابايت في الثانية (mb/s)	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	530 ميجابايت في الثانية (mb/s)	530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		88000 IOPS
ذاكرة DRAM	true	-
نوع الذاكرة DRAM		-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 - 70 °C
الجهد التشغيلي	5 فولت (v)	5 V
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 2400 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1500000 saat
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
تقنية التشفير		Yes
الشهادات والتصديقات		-
الحجم والأبعاد	6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)	2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)
وزن المنتج	45 جرام (g)	46 g

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة SSD داخلي لينوفو 4XB7A87526مع Samsung 870 Evo Sata 2 5 Inch 4Tb

لينوفو VS سامسونغ

الميزة	SSD داخلي لينوفو 4XB7A87526	Samsung 870 Evo Sata 2 5 Inch 4Tb
سعة الذاكرة	1.92 TB	4 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش	V-NAND TLC
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	97000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	31000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	2000000 saat	1,500,000 ساعة (MTBF) / 2400 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2.5" (70 * 100 * 7 mm)	6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج	70 g	45 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تقنية التشفير	Yes
دعم S.M.A.R.T	true	true
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-	2.5 بوصة
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة التسلسلية	-	560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	-	530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	-	true
نوع الذاكرة DRAM	-
الجهد التشغيلي	-	5 فولت (v)
استهلاك الطاقة	-
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	false
الشهادات والتصديقات	-

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة قرص صلب داخلي HP Z Turbo 4TB M.2 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC Z4/Z6 Kit SSDمع Samsung 870 Evo Sata 2 5 Inch 4Tb

إتش بي VS سامسونغ

الميزة	قرص صلب داخلي HP Z Turbo 4TB M.2 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC Z4/Z6 Kit SSD	Samsung 870 Evo Sata 2 5 Inch 4Tb
وزن المنتج	164 g	45 جرام (g)
الحجم والأبعاد	82 * 30 * 12 mm	6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)
محتويات العلبة	Z Turbo 4TB 2280 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC M.2 Z4/Z6 Kit SSD, heatsink, install guide, warranty card, product notices	-
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة	-
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-	2.5 بوصة
سعة الذاكرة	-	4 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة التسلسلية	-	560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	-	530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	true
نوع الذاكرة DRAM	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
الجهد التشغيلي	-	5 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط	-	1,500,000 ساعة (MTBF) / 2400 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة	-
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	true
تقنية التشفير	-
الشهادات والتصديقات	-

عرض تفاصيل المقارنة