مقارنة Samsung 860 Qvo 2Tb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة Samsung 860 Qvo 2Tbمع محرك أقراص سيجيت Nytro 5000 SSD الداخلي

الميزة

Samsung 860 Qvo 2Tb

محرك أقراص سيجيت Nytro 5000 SSD الداخلي

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 3.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة -
سعة الذاكرة 2 تيرابايت (tb) 1.92 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D cMLC
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 550 ميجابايت في الثانية (mb/s) -
سرعة الكتابة التسلسلية 520 ميجابايت في الثانية (mb/s) -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 245000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 28000 IOPS
ذاكرة DRAM true -
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
الجهد التشغيلي 5 فولت (v) -
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 720 تيرابايت مكتوبة (TBW) 2000000 saat
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true -
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true -
تقنية التشفير -
الحجم والأبعاد 6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm) M.2 (22 * 110 * 2 mm)
وزن المنتج 62 جرام (g) 14 g
مؤشر الحالة LED false -
خيارات الألوان - Black, Green

مقارنة كينغستون NV3 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2230 سعة 500 جيجابايتمع Samsung 860 Qvo 2Tb

الميزة

كينغستون NV3 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2230 سعة 500 جيجابايت

Samsung 860 Qvo 2Tb

سعة الذاكرة 500 GB 2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية 5000 MB/s 550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 3000 MB/s 520 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 160 1,500,000 ساعة (MTBF) / 720 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2230 (22 x 30 mm) (30 * 22 * 2.3 mm) 6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج 2.6 g 62 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز - 2.5 بوصة
وحدة التحكم -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM -
الجهد التشغيلي - 5 فولت (v)
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - true
تقنية التشفير -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة قرص صلب داخلي فيليبس FM24SS120B/00مع Samsung 860 Qvo 2Tb

الميزة

قرص صلب داخلي فيليبس FM24SS120B/00

Samsung 860 Qvo 2Tb

سعة الذاكرة 240 GB 2 تيرابايت (tb)
سرعة القراءة التسلسلية 450 MB/s 550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 360 MB/s 520 ميجابايت في الثانية (mb/s)
الجهد التشغيلي 5 V 5 فولت (v)
الحجم والأبعاد 2.5" (100 * 7 * 70 mm) 6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج 38.2 g 62 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز - 2.5 بوصة
مواصفات ذاكرة الفلاش -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
العمر الافتراضي المتوسط - 1,500,000 ساعة (MTBF) / 720 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - true
تقنية التشفير -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة قرص صلب داخلي ADATA SMAR-980B-2TCSمع Samsung 860 Qvo 2Tb

الميزة

قرص صلب داخلي ADATA SMAR-980B-2TCS

Samsung 860 Qvo 2Tb

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 5.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تقنية التشفير Yes
سعة الذاكرة 2 TB 2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية 14000 MB/s 550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 13000 MB/s 520 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 2000000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 1650000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 1480 1,500,000 ساعة (MTBF) / 720 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (80 * 22 * 4.5 mm) 6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج 12 g 62 جرام (g)
الشهادات والتصديقات BSMI, CE, EAC, Federal Communications Commission (FCC), KC, RCM, RoHS, UKCA -
تصميم وأبعاد الجهاز - 2.5 بوصة
وحدة التحكم -
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM -
الجهد التشغيلي - 5 فولت (v)
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - true
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة Samsung 860 Qvo 2Tbمع SSD داخلي سيجيت Nytro 5350S

الميزة

Samsung 860 Qvo 2Tb

SSD داخلي سيجيت Nytro 5350S

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة -
سعة الذاكرة 2 تيرابايت (tb) 15 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D eTLC
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 550 ميجابايت في الثانية (mb/s) 7400 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 520 ميجابايت في الثانية (mb/s) 7200 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 1700000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 195000 IOPS
ذاكرة DRAM true -
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الجهد التشغيلي 5 فولت (v) 12 V
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 720 تيرابايت مكتوبة (TBW) 2500000 saat
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true -
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true -
تقنية التشفير -
الحجم والأبعاد 6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm) 2.5" (70.1 * 100.4 * 14.9 mm)
وزن المنتج 62 جرام (g) 205 g
مؤشر الحالة LED false -

مقارنة قرص صلب داخلي كينغستون NV3 M.2 2230 NVMe بسعة 2 تيرابايتمع Samsung 860 Qvo 2Tb

الميزة

قرص صلب داخلي كينغستون NV3 M.2 2230 NVMe بسعة 2 تيرابايت

Samsung 860 Qvo 2Tb

سعة الذاكرة 2 TB 2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية 6000 MB/s 550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 5000 MB/s 520 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 640 1,500,000 ساعة (MTBF) / 720 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2230 (22 x 30 mm) (30 * 22 * 2.3 mm) 6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج 2.8 g 62 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز - 2.5 بوصة
وحدة التحكم -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM -
الجهد التشغيلي - 5 فولت (v)
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - true
تقنية التشفير -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة مع Samsung 860 Qvo 2Tb

الميزة

Samsung 860 Qvo 2Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة M.2
تفاصيل الاتصال بالتخزين NVMe PCIe Gen4 x4
نوع الاتصال PCIe Gen4 NVMe -
سرعة القراءة التسلسلية تصل إلى 7,100 ميجابايت/ثانية 550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية تصل إلى 6,000 ميجابايت/ثانية 520 ميجابايت في الثانية (mb/s)
مواصفات ذاكرة الفلاش Micron G8 NAND
الأنظمة المتوافقة Windows، أجهزة الكمبيوتر المحمولة، أجهزة الكمبيوتر المكتبية، وحدات تحكم الألعاب المحمولة المختارة (ROG Ally X، Lenovo Legion Go، AYANEO Kun) -
الميزات الإضافية برنامج استعادة بيانات Acronis، التحكم الحراري -
الحجم والأبعاد M.2 2280 6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)
محتويات العلبة ترخيص/مفتاح برنامج استعادة بيانات Acronis -
تصميم وأبعاد الجهاز عامل شكل M.2 2280 2.5 بوصة
سعة الذاكرة - 2 تيرابايت (tb)
وحدة التحكم -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
الجهد التشغيلي - 5 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط - 1,500,000 ساعة (MTBF) / 720 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - true
تقنية التشفير -
وزن المنتج - 62 جرام (g)
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة محرك أقراص لينوفو 4XB7A90886 SSD الداخليمع Samsung 860 Qvo 2Tb

الميزة

محرك أقراص لينوفو 4XB7A90886 SSD الداخلي

Samsung 860 Qvo 2Tb

سعة الذاكرة 1.92 TB 2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND TLC
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 82000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 47500 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 2000000 saat 1,500,000 ساعة (MTBF) / 720 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2.5" (70 * 100 * 7 mm) 6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين No
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تقنية التشفير No
دعم S.M.A.R.T true true
تصميم وأبعاد الجهاز - 2.5 بوصة
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية - 550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية - 520 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM -
الجهد التشغيلي - 5 فولت (v)
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - false
وزن المنتج - 62 جرام (g)
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة قرص صلب داخلي كينغستون NV1 M.2 NVMeمع Samsung 860 Qvo 2Tb

الميزة

قرص صلب داخلي كينغستون NV1 M.2 NVMe

Samsung 860 Qvo 2Tb

سعة الذاكرة 2 TB 2 تيرابايت (tb)
سرعة القراءة التسلسلية 2100 MB/s 550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 1700 MB/s 520 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 480 1,500,000 ساعة (MTBF) / 720 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد M.2 (22 * 80 * 2.1 mm) 6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج 7 g 62 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 3.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
الشهادات والتصديقات CE, RoHS -
تصميم وأبعاد الجهاز - 2.5 بوصة
مواصفات ذاكرة الفلاش -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM -
الجهد التشغيلي - 5 فولت (v)
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - true
تقنية التشفير -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة قرص صلب داخلي جيجابايت اوروس Gen4 7300مع Samsung 860 Qvo 2Tb

الميزة

قرص صلب داخلي جيجابايت اوروس Gen4 7300

Samsung 860 Qvo 2Tb

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تقنية التشفير Yes
دعم S.M.A.R.T true true
دعم TRIM true true
سعة الذاكرة 1 TB 2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D TLC NAND
سرعة القراءة التسلسلية 7300 MB/s 550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 6000 MB/s 520 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 700 1,500,000 ساعة (MTBF) / 720 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.3 mm) 6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)
تصميم وأبعاد الجهاز - 2.5 بوصة
وحدة التحكم -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM -
الجهد التشغيلي - 5 فولت (v)
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ - false
دعم RAID - false
وزن المنتج - 62 جرام (g)
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI828مع Samsung 860 Qvo 2Tb

علامة تجارية غير معروفة VS سامسونغ
الميزة

قرص صلب داخلي AGI Technology AI828

Samsung 860 Qvo 2Tb

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
سعة الذاكرة 2 TB 2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية 7400 MB/s 550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 6700 MB/s 520 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 1500 1,500,000 ساعة (MTBF) / 720 تيرابايت مكتوبة (TBW)
الجهد التشغيلي 3.3 V 5 فولت (v)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 3.5 mm) 6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج 7.5 g 62 جرام (g)
دعم S.M.A.R.T true true
دعم TRIM true true
الشهادات والتصديقات BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS -
تصميم وأبعاد الجهاز - 2.5 بوصة
وحدة التحكم -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM -
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ - false
دعم RAID - false
تقنية التشفير -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة قرص صلب داخلي DELL 960GB SAS Mixed Use 12Gbps 2.5in Hot-plug PM5-Vمع Samsung 860 Qvo 2Tb

الميزة

قرص صلب داخلي DELL 960GB SAS Mixed Use 12Gbps 2.5in Hot-plug PM5-V

Samsung 860 Qvo 2Tb

سعة الذاكرة 960 GB 2 تيرابايت (tb)
الحجم والأبعاد 2.5" 6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة SAS
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز - 2.5 بوصة
مواصفات ذاكرة الفلاش -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية - 550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية - 520 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
الجهد التشغيلي - 5 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط - 1,500,000 ساعة (MTBF) / 720 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - true
تقنية التشفير -
وزن المنتج - 62 جرام (g)
مؤشر الحالة LED - false