مقارنة Samsung 860 Qvo 2Tb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

$مقارنة Samsung 860 Qvo 2Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} Seagate BarraCuda Q1 محرك أقراص صلبة داخلي$

مقارنة Samsung 860 Qvo 2Tbمع Seagate BarraCuda Q1 محرك أقراص صلبة داخلي

سامسونغ VS سيجيت

الميزة	Samsung 860 Qvo 2Tb	Seagate BarraCuda Q1 محرك أقراص صلبة داخلي
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة	-
سعة الذاكرة	2 تيرابايت (tb)	960 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش		QLC 3D NAND
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	550 ميجابايت في الثانية (mb/s)	550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	520 ميجابايت في الثانية (mb/s)	500 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	true	-
نوع الذاكرة DRAM		-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 - 70 °C
الجهد التشغيلي	5 فولت (v)	-
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 720 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1800000 saat
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
تقنية التشفير		-
الحجم والأبعاد	6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)	2.5" (70.1 * 100.4 * 7.1 mm)
وزن المنتج	62 جرام (g)	40 g
مؤشر الحالة LED	false	-
الشهادات والتصديقات	-	RoHS

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة Samsung 860 Qvo 2Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} محرك أقراص سيجيت Nytro 5000 SSD الداخلي$

مقارنة Samsung 860 Qvo 2Tbمع محرك أقراص سيجيت Nytro 5000 SSD الداخلي

سامسونغ VS سيجيت

الميزة	Samsung 860 Qvo 2Tb	محرك أقراص سيجيت Nytro 5000 SSD الداخلي
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		PCI Express 3.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين		Yes
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة	-
سعة الذاكرة	2 تيرابايت (tb)	1.92 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		3D cMLC
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	550 ميجابايت في الثانية (mb/s)	-
سرعة الكتابة التسلسلية	520 ميجابايت في الثانية (mb/s)	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		245000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		28000 IOPS
ذاكرة DRAM	true	-
نوع الذاكرة DRAM		-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		-
الجهد التشغيلي	5 فولت (v)	-
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 720 تيرابايت مكتوبة (TBW)	2000000 saat
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	-
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	-
تقنية التشفير		-
الحجم والأبعاد	6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)	M.2 (22 * 110 * 2 mm)
وزن المنتج	62 جرام (g)	14 g
مؤشر الحالة LED	false	-
خيارات الألوان	-	Black, Green

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة كينغستون NV3 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2230 سعة 500 جيجابايت {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 860 Qvo 2Tb$

مقارنة كينغستون NV3 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2230 سعة 500 جيجابايتمع Samsung 860 Qvo 2Tb

كينغستون VS سامسونغ

الميزة	كينغستون NV3 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2230 سعة 500 جيجابايت	Samsung 860 Qvo 2Tb
سعة الذاكرة	500 GB	2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية	5000 MB/s	550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	3000 MB/s	520 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط	160	1,500,000 ساعة (MTBF) / 720 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2230 (22 x 30 mm) (30 * 22 * 2.3 mm)	6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج	2.6 g	62 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز	-	2.5 بوصة
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	true
نوع الذاكرة DRAM	-
الجهد التشغيلي	-	5 فولت (v)
استهلاك الطاقة	-
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	true
تقنية التشفير	-
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة قرص صلب داخلي فيليبس FM24SS120B/00 {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 860 Qvo 2Tb$

مقارنة قرص صلب داخلي فيليبس FM24SS120B/00مع Samsung 860 Qvo 2Tb

فيليبس VS سامسونغ

الميزة	قرص صلب داخلي فيليبس FM24SS120B/00	Samsung 860 Qvo 2Tb
سعة الذاكرة	240 GB	2 تيرابايت (tb)
سرعة القراءة التسلسلية	450 MB/s	550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	360 MB/s	520 ميجابايت في الثانية (mb/s)
الجهد التشغيلي	5 V	5 فولت (v)
الحجم والأبعاد	2.5" (100 * 7 * 70 mm)	6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج	38.2 g	62 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-	2.5 بوصة
مواصفات ذاكرة الفلاش	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	true
نوع الذاكرة DRAM	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
العمر الافتراضي المتوسط	-	1,500,000 ساعة (MTBF) / 720 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة	-
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	true
تقنية التشفير	-
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة قرص صلب داخلي ADATA SMAR-980B-2TCS {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 860 Qvo 2Tb$

مقارنة قرص صلب داخلي ADATA SMAR-980B-2TCSمع Samsung 860 Qvo 2Tb

أداتا VS سامسونغ

الميزة	قرص صلب داخلي ADATA SMAR-980B-2TCS	Samsung 860 Qvo 2Tb
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 5.0
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تقنية التشفير	Yes
سعة الذاكرة	2 TB	2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية	14000 MB/s	550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	13000 MB/s	520 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	2000000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	1650000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	1480	1,500,000 ساعة (MTBF) / 720 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (80 * 22 * 4.5 mm)	6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج	12 g	62 جرام (g)
الشهادات والتصديقات	BSMI, CE, EAC, Federal Communications Commission (FCC), KC, RCM, RoHS, UKCA	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-	2.5 بوصة
وحدة التحكم	-
ذاكرة DRAM	-	true
نوع الذاكرة DRAM	-
الجهد التشغيلي	-	5 فولت (v)
استهلاك الطاقة	-
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	true
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة Samsung 860 Qvo 2Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} SSD داخلي سيجيت Nytro 5350S$

مقارنة Samsung 860 Qvo 2Tbمع SSD داخلي سيجيت Nytro 5350S

سامسونغ VS سيجيت

الميزة	Samsung 860 Qvo 2Tb	SSD داخلي سيجيت Nytro 5350S
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين		Yes
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة	-
سعة الذاكرة	2 تيرابايت (tb)	15 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		3D eTLC
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	550 ميجابايت في الثانية (mb/s)	7400 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	520 ميجابايت في الثانية (mb/s)	7200 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		1700000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		195000 IOPS
ذاكرة DRAM	true	-
نوع الذاكرة DRAM		-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 - 70 °C
الجهد التشغيلي	5 فولت (v)	12 V
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 720 تيرابايت مكتوبة (TBW)	2500000 saat
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	-
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	-
تقنية التشفير		-
الحجم والأبعاد	6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)	2.5" (70.1 * 100.4 * 14.9 mm)
وزن المنتج	62 جرام (g)	205 g
مؤشر الحالة LED	false	-

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة قرص صلب داخلي كينغستون NV3 M.2 2230 NVMe بسعة 2 تيرابايت {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 860 Qvo 2Tb$

مقارنة قرص صلب داخلي كينغستون NV3 M.2 2230 NVMe بسعة 2 تيرابايتمع Samsung 860 Qvo 2Tb

كينغستون VS سامسونغ

الميزة	قرص صلب داخلي كينغستون NV3 M.2 2230 NVMe بسعة 2 تيرابايت	Samsung 860 Qvo 2Tb
سعة الذاكرة	2 TB	2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية	6000 MB/s	550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	5000 MB/s	520 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط	640	1,500,000 ساعة (MTBF) / 720 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2230 (22 x 30 mm) (30 * 22 * 2.3 mm)	6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج	2.8 g	62 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز	-	2.5 بوصة
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	true
نوع الذاكرة DRAM	-
الجهد التشغيلي	-	5 فولت (v)
استهلاك الطاقة	-
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	true
تقنية التشفير	-
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 860 Qvo 2Tb$

مقارنة مع Samsung 860 Qvo 2Tb

كروشيال VS سامسونغ

الميزة		Samsung 860 Qvo 2Tb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة	M.2
تفاصيل الاتصال بالتخزين	NVMe PCIe Gen4 x4
نوع الاتصال	PCIe Gen4 NVMe	-
سرعة القراءة التسلسلية	تصل إلى 7,100 ميجابايت/ثانية	550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	تصل إلى 6,000 ميجابايت/ثانية	520 ميجابايت في الثانية (mb/s)
مواصفات ذاكرة الفلاش	Micron G8 NAND
الأنظمة المتوافقة	Windows، أجهزة الكمبيوتر المحمولة، أجهزة الكمبيوتر المكتبية، وحدات تحكم الألعاب المحمولة المختارة (ROG Ally X، Lenovo Legion Go، AYANEO Kun)	-
الميزات الإضافية	برنامج استعادة بيانات Acronis، التحكم الحراري	-
الحجم والأبعاد	M.2 2280	6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)
محتويات العلبة	ترخيص/مفتاح برنامج استعادة بيانات Acronis	-
تصميم وأبعاد الجهاز	عامل شكل M.2 2280	2.5 بوصة
سعة الذاكرة	-	2 تيرابايت (tb)
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	true
نوع الذاكرة DRAM	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
الجهد التشغيلي	-	5 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط	-	1,500,000 ساعة (MTBF) / 720 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة	-
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	true
تقنية التشفير	-
وزن المنتج	-	62 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة محرك أقراص لينوفو 4XB7A90886 SSD الداخلي {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 860 Qvo 2Tb$

مقارنة محرك أقراص لينوفو 4XB7A90886 SSD الداخليمع Samsung 860 Qvo 2Tb

لينوفو VS سامسونغ

الميزة	محرك أقراص لينوفو 4XB7A90886 SSD الداخلي	Samsung 860 Qvo 2Tb
سعة الذاكرة	1.92 TB	2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش	V-NAND TLC
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	82000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	47500 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	2000000 saat	1,500,000 ساعة (MTBF) / 720 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2.5" (70 * 100 * 7 mm)	6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين	No
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تقنية التشفير	No
دعم S.M.A.R.T	true	true
تصميم وأبعاد الجهاز	-	2.5 بوصة
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة التسلسلية	-	550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	-	520 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	-	true
نوع الذاكرة DRAM	-
الجهد التشغيلي	-	5 فولت (v)
استهلاك الطاقة	-
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	false
وزن المنتج	-	62 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة قرص صلب داخلي كينغستون NV1 M.2 NVMe {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 860 Qvo 2Tb$

مقارنة قرص صلب داخلي كينغستون NV1 M.2 NVMeمع Samsung 860 Qvo 2Tb

كينغستون VS سامسونغ

الميزة	قرص صلب داخلي كينغستون NV1 M.2 NVMe	Samsung 860 Qvo 2Tb
سعة الذاكرة	2 TB	2 تيرابايت (tb)
سرعة القراءة التسلسلية	2100 MB/s	550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	1700 MB/s	520 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط	480	1,500,000 ساعة (MTBF) / 720 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	M.2 (22 * 80 * 2.1 mm)	6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج	7 g	62 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 3.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
الشهادات والتصديقات	CE, RoHS	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-	2.5 بوصة
مواصفات ذاكرة الفلاش	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	true
نوع الذاكرة DRAM	-
الجهد التشغيلي	-	5 فولت (v)
استهلاك الطاقة	-
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	true
تقنية التشفير	-
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة قرص صلب داخلي جيجابايت اوروس Gen4 7300 {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 860 Qvo 2Tb$

مقارنة قرص صلب داخلي جيجابايت اوروس Gen4 7300مع Samsung 860 Qvo 2Tb

جيجابايت VS سامسونغ

الميزة	قرص صلب داخلي جيجابايت اوروس Gen4 7300	Samsung 860 Qvo 2Tb
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تقنية التشفير	Yes
دعم S.M.A.R.T	true	true
دعم TRIM	true	true
سعة الذاكرة	1 TB	2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D TLC NAND
سرعة القراءة التسلسلية	7300 MB/s	550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	6000 MB/s	520 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط	700	1,500,000 ساعة (MTBF) / 720 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.3 mm)	6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)
تصميم وأبعاد الجهاز	-	2.5 بوصة
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	true
نوع الذاكرة DRAM	-
الجهد التشغيلي	-	5 فولت (v)
استهلاك الطاقة	-
دعم NCQ	-	false
دعم RAID	-	false
وزن المنتج	-	62 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI828 {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 860 Qvo 2Tb$

مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI828مع Samsung 860 Qvo 2Tb

علامة تجارية غير معروفة VS سامسونغ

الميزة	قرص صلب داخلي AGI Technology AI828	Samsung 860 Qvo 2Tb
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
سعة الذاكرة	2 TB	2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية	7400 MB/s	550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	6700 MB/s	520 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط	1500	1,500,000 ساعة (MTBF) / 720 تيرابايت مكتوبة (TBW)
الجهد التشغيلي	3.3 V	5 فولت (v)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 3.5 mm)	6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج	7.5 g	62 جرام (g)
دعم S.M.A.R.T	true	true
دعم TRIM	true	true
الشهادات والتصديقات	BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-	2.5 بوصة
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	true
نوع الذاكرة DRAM	-
استهلاك الطاقة	-
دعم NCQ	-	false
دعم RAID	-	false
تقنية التشفير	-
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة