صفحة 5 من المقارنة سامسونج 860 برو SSD داخلي

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 4 تيرابايتمع سامسونج 860 برو SSD داخلي

الميزة

كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 4 تيرابايت

سامسونج 860 برو SSD داخلي

سعة الذاكرة 4 TB 2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D TLC 3D MLC
سرعة القراءة التسلسلية 14800 MB/s 560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 14000 MB/s 530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 2200000 IOPS 100000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 2200000 IOPS 90000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 2000000 saat 4800
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.3 mm) 2.5" (100 * 6.86 * 69.8 mm)
وزن المنتج 7.7 g 95.25 g
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 5.0 Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes -
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
تقنية التشفير - 256-bit AES
دعم S.M.A.R.T - true
دعم TRIM - true

مقارنة قرص صلب داخلي كينغستون NV3 M.2 2230 NVMe بسعة 1 تيرابايتمع سامسونج 860 برو SSD داخلي

الميزة

قرص صلب داخلي كينغستون NV3 M.2 2230 NVMe بسعة 1 تيرابايت

سامسونج 860 برو SSD داخلي

سعة الذاكرة 1 TB 2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND 3D MLC
سرعة القراءة التسلسلية 6000 MB/s 560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 4000 MB/s 530 MB/s
العمر الافتراضي المتوسط 320 4800
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2230 (22 x 30 mm) (30 * 22 * 2.3 mm) 2.5" (100 * 6.86 * 69.8 mm)
وزن المنتج 2.8 g 95.25 g
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0 Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes -
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
تقنية التشفير - 256-bit AES
دعم S.M.A.R.T - true
دعم TRIM - true
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 100000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 90000 IOPS

مقارنة iStorage Kanguru Defender SED30 قرص صلب داخلي NVMe M.2 ذاتي التشفير 1 تيرابايتمع سامسونج 860 برو SSD داخلي

الميزة

iStorage Kanguru Defender SED30 قرص صلب داخلي NVMe M.2 ذاتي التشفير 1 تيرابايت

سامسونج 860 برو SSD داخلي

تقنية التشفير Yes 256-bit AES
سعة الذاكرة 1 TB 2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D TLC 3D MLC
سرعة القراءة التسلسلية 7200 MB/s 560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 6500 MB/s 530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 1000000 IOPS 100000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 1000000 IOPS 90000 IOPS
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 mm * 80 mm) 2.5" (100 * 6.86 * 69.8 mm)
وزن المنتج 14 g 95.25 g
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0 Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes -
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
دعم S.M.A.R.T - true
دعم TRIM - true
العمر الافتراضي المتوسط - 4800

مقارنة جيجابايت Nvme M2 256Gbمع سامسونج 860 برو SSD داخلي

الميزة

جيجابايت Nvme M2 256Gb

سامسونج 860 برو SSD داخلي

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D MLC
سرعة القراءة التسلسلية 1700 ميجابايت في الثانية (mb/s) 560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 1100 ميجابايت في الثانية (mb/s) 530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 100000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 90000 IOPS
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 (MTBF) ساعة (h) 4800
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية دعم HMB (مخزن الذاكرة المضيف) / برنامج SSD Tool box -
الحجم والأبعاد 2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm) 2.5" (100 * 6.86 * 69.8 mm)
مؤشر الحالة LED false -
تقنية التشفير - 256-bit AES
وزن المنتج - 95.25 g

مقارنة Msi Spatium M480 Nvme M2 2Tbمع سامسونج 860 برو SSD داخلي

الميزة

Msi Spatium M480 Nvme M2 2Tb

سامسونج 860 برو SSD داخلي

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 2 تيرابايت (tb) 2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D MLC
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 7000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 6800 ميجابايت في الثانية (mb/s) 530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 100000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 90000 IOPS
ذاكرة DRAM true -
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 70 درجة مئوية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 1,600,000 ساعة (MTBF) / 1400 تيرابايت مكتوبة (TBW) 4800
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true true
تقنية التشفير 256-bit AES
الميزات الإضافية خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E) -
الحجم والأبعاد 2.15 * 22 * 80 مليمتر (mm) 2.5" (100 * 6.86 * 69.8 mm)
وزن المنتج 9.7 جرام (g) 95.25 g
مؤشر الحالة LED false -

مقارنة SSD داخلي لينوفو 4XB7A14049مع سامسونج 860 برو SSD داخلي

الميزة

SSD داخلي لينوفو 4XB7A14049

سامسونج 860 برو SSD داخلي

سعة الذاكرة 240 GB 2 TB
سرعة القراءة التسلسلية 540 MB/s 560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 250 MB/s 530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 78000 IOPS 100000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 26000 IOPS 90000 IOPS
الحجم والأبعاد M.2 2.5" (100 * 6.86 * 69.8 mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 2.0 Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين No -
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
تقنية التشفير - 256-bit AES
دعم S.M.A.R.T - true
دعم TRIM - true
مواصفات ذاكرة الفلاش - 3D MLC
العمر الافتراضي المتوسط - 4800
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 - 70 °C
وزن المنتج - 95.25 g

مقارنة سامسونج 860 برو SSD داخليمع TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت

الميزة

سامسونج 860 برو SSD داخلي

TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت

تقنية التشفير 256-bit AES -
دعم S.M.A.R.T true true
دعم TRIM true -
سعة الذاكرة 2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D MLC
سرعة القراءة التسلسلية 560 MB/s 2455 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 530 MB/s 1832 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 100000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 90000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 4800 1,500,000 ساعة (MTBF) / 1000 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2.5" (100 * 6.86 * 69.8 mm) -
وزن المنتج 95.25 g -
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
ذاكرة DRAM - false
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
دعم NCQ - true
دعم RAID - false
الأنظمة المتوافقة - Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية - إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
الشهادات والتصديقات -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة كينغستون 3.84 تيرابايت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe SSD للمؤسساتمع سامسونج 860 برو SSD داخلي

الميزة

كينغستون 3.84 تيرابايت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe SSD للمؤسسات

سامسونج 860 برو SSD داخلي

تقنية التشفير Yes 256-bit AES
سعة الذاكرة 3.84 TB 2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D eTLC 3D MLC
سرعة القراءة التسلسلية 14000 MB/s 560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 5800 MB/s 530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 2700000 IOPS 100000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 300000 IOPS 90000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 2000000 saat 4800
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد U.2 (69.8 * 100.5 * 14.8 mm) 2.5" (100 * 6.86 * 69.8 mm)
وزن المنتج 146.2 g 95.25 g
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 5.0 Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes -
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
دعم S.M.A.R.T - true
دعم TRIM - true

مقارنة قرص صلب داخلي كينغستون NV3 M.2 2230 NVMe بسعة 2 تيرابايتمع سامسونج 860 برو SSD داخلي

الميزة

قرص صلب داخلي كينغستون NV3 M.2 2230 NVMe بسعة 2 تيرابايت

سامسونج 860 برو SSD داخلي

سعة الذاكرة 2 TB 2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND 3D MLC
سرعة القراءة التسلسلية 6000 MB/s 560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 5000 MB/s 530 MB/s
العمر الافتراضي المتوسط 640 4800
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2230 (22 x 30 mm) (30 * 22 * 2.3 mm) 2.5" (100 * 6.86 * 69.8 mm)
وزن المنتج 2.8 g 95.25 g
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0 Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes -
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
تقنية التشفير - 256-bit AES
دعم S.M.A.R.T - true
دعم TRIM - true
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 100000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 90000 IOPS

مقارنة سامسونج 860 برو SSD داخليمع Samsung Pm9A1 Nvme M2 512Gb

الميزة

سامسونج 860 برو SSD داخلي

Samsung Pm9A1 Nvme M2 512Gb

تقنية التشفير 256-bit AES -
دعم S.M.A.R.T true false
دعم TRIM true true
سعة الذاكرة 2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D MLC
سرعة القراءة التسلسلية 560 MB/s 6900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 530 MB/s 5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 100000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 90000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 4800 -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C -
الحجم والأبعاد 2.5" (100 * 6.86 * 69.8 mm) 2.38 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 95.25 g -
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM -
دعم NCQ - false
دعم RAID - false
الشهادات والتصديقات -

مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI828مع سامسونج 860 برو SSD داخلي

علامة تجارية غير معروفة VS سامسونج
الميزة

قرص صلب داخلي AGI Technology AI828

سامسونج 860 برو SSD داخلي

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes -
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0 Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
سعة الذاكرة 2 TB 2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND 3D MLC
سرعة القراءة التسلسلية 7400 MB/s 560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 6700 MB/s 530 MB/s
العمر الافتراضي المتوسط 1500 4800
الجهد التشغيلي 3.3 V -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 3.5 mm) 2.5" (100 * 6.86 * 69.8 mm)
وزن المنتج 7.5 g 95.25 g
دعم S.M.A.R.T true true
دعم TRIM true true
الشهادات والتصديقات BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS -
تقنية التشفير - 256-bit AES
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 100000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 90000 IOPS

مقارنة سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتامع سامسونج 860 برو SSD داخلي

الميزة

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

سامسونج 860 برو SSD داخلي

تقنية التشفير Yes 256-bit AES
دعم S.M.A.R.T true true
دعم TRIM true true
سعة الذاكرة 250 GB 2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC 3D MLC
سرعة القراءة التسلسلية 550 MB/s 560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 520 MB/s 530 MB/s
العمر الافتراضي المتوسط 1500000 saat 4800
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm) 2.5" (100 * 6.86 * 69.8 mm)
وزن المنتج 8 g 95.25 g
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 100000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 90000 IOPS