صفحة 4 من المقارنة سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة Biostar M700 256Gbمع سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

الميزة

Biostar M700 256Gb

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 1850 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 950 ميجابايت في الثانية (mb/s) 520 MB/s
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الجهد التشغيلي 3.3 فولت (v) -
دعم NCQ false -
دعم TRIM false true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T false true
تقنية التشفير Yes
الأنظمة المتوافقة --- يبدأ توافق نظام التشغيل هنا --- -
الميزات الإضافية حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E) -
الحجم والأبعاد 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm) M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
وزن المنتج 25 جرام (g) 8 g
مؤشر الحالة LED false -
العمر الافتراضي المتوسط - 1500000 saat

مقارنة سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتامع Teamgroup Mp33 Nvme M2 1Tb

الميزة

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

Teamgroup Mp33 Nvme M2 1Tb

تقنية التشفير Yes -
دعم S.M.A.R.T true true
دعم TRIM true true
سعة الذاكرة 250 GB 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 550 MB/s 1800 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 520 MB/s 1500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 1500000 saat 1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm) 3.8 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 8 g 6 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - false
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
دعم NCQ - false
دعم RAID - false
الأنظمة المتوافقة - Windows الإصدار 7 والإصدارات الأحدث / Linux Kernel 2.6.33 والإصدارات الأحدث
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة Oscoo ON900 NVMe M.2 بسعة 128 جيجابايتمع سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

الميزة

Oscoo ON900 NVMe M.2 بسعة 128 جيجابايت

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 2600 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 1700 ميجابايت في الثانية (mb/s) 520 MB/s
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الجهد التشغيلي 3.3 فولت (v) -
العمر الافتراضي المتوسط 400 (TBW) تيرابايت (tb) 1500000 saat
دعم NCQ false -
دعم TRIM false true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T false true
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد 4.1 * 22 * 80 مليمتر (mm) M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
تقنية التشفير - Yes
وزن المنتج - 8 g

مقارنة Addlink S20 Sata 2 5 Inch 256Gbمع سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

الميزة

Addlink S20 Sata 2 5 Inch 256Gb

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة -
سعة الذاكرة 250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 510 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 400 ميجابايت في الثانية (mb/s) 520 MB/s
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الجهد التشغيلي -
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 ساعة (MTBF) / 130 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1500000 saat
دعم NCQ false -
دعم TRIM false true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T false true
الأنظمة المتوافقة Windows / macOS X / Linux -
الميزات الإضافية خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) -
مؤشر الحالة LED false -
تقنية التشفير - Yes
الحجم والأبعاد - M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
وزن المنتج - 8 g

مقارنة Apacer As340 Panther 120Gbمع سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

الميزة

Apacer As340 Panther 120Gb

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة -
سعة الذاكرة 250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 550 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 520 MB/s
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 (MTBF) ساعة (h) 1500000 saat
استهلاك الطاقة 1.26 واط في الوضع النشط / 0.32 واط في وضع الاستعداد -
دعم NCQ true -
دعم TRIM true true
دعم RAID true -
دعم S.M.A.R.T false true
الميزات الإضافية -
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد 7 * 69.9 * 100 مليمتر (mm) M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
وزن المنتج 60 جرام (g) 8 g
مؤشر الحالة LED false -
تقنية التشفير - Yes

مقارنة Pny Cs900 120Gbمع سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

الميزة

Pny Cs900 120Gb

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة -
سعة الذاكرة 250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 515 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 490 ميجابايت في الثانية (mb/s) 520 MB/s
ذاكرة DRAM false -
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 (MTBF) ساعة (h) 1500000 saat
دعم NCQ true -
دعم TRIM true true
دعم RAID true -
دعم S.M.A.R.T false true
الحجم والأبعاد 6.3 * 69.85 * 99 مليمتر (mm) M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
وزن المنتج 45 جرام (g) 8 g
مؤشر الحالة LED false -
تقنية التشفير - Yes
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 - 70 °C

مقارنة Intel Optane ذاكرة M10 Pcie M2 16Gbمع سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

الميزة

Intel Optane ذاكرة M10 Pcie M2 16Gb

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 900 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 150 ميجابايت في الثانية (mb/s) 520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 1,600,000 ساعة (MTBF) / 365 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1500000 saat
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false -
دعم TRIM false true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T false true
الحجم والأبعاد 9 * 22 * 80 مليمتر (mm) M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
وزن المنتج 10 جرام (g) 8 g
مؤشر الحالة LED false -
تقنية التشفير - Yes

مقارنة سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتامع Western Digital Blue Wds100T1B0B Sata M2 1Tb

الميزة

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

Western Digital Blue Wds100T1B0B Sata M2 1Tb

تقنية التشفير Yes -
دعم S.M.A.R.T true true
دعم TRIM true false
سعة الذاكرة 250 GB 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 550 MB/s 545 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 520 MB/s 525 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 1500000 saat 1,750,000 ساعة (MTTF) / 400 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 إلى 70 درجة مئوية
الحجم والأبعاد M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm) 1.5 x 22 x 80 مم
وزن المنتج 8 g 7 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 100,000 عملية إدخال/إخراج في الثانية (IOPS)
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 80,000 عملية إدخال/إخراج في الثانية (IOPS)
ذاكرة DRAM - false
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ - false
دعم RAID - false
الميزات الإضافية -
الشهادات والتصديقات -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتامع Silicon Power V55 480Gb

الميزة

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

Silicon Power V55 480Gb

تقنية التشفير Yes -
دعم S.M.A.R.T true true
دعم TRIM true true
سعة الذاكرة 250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 550 MB/s 560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 520 MB/s 530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 1500000 saat 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C -
الحجم والأبعاد M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm) 7 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج 8 g 63 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز - 2.5 بوصة
ذاكرة DRAM - false
دعم NCQ - true
دعم RAID - true
الميزات الإضافية -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتامع Silicon Power V85 480Gb

الميزة

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

Silicon Power V85 480Gb

تقنية التشفير Yes -
دعم S.M.A.R.T true true
دعم TRIM true true
سعة الذاكرة 250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 550 MB/s 530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 520 MB/s 510 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 1500000 saat 2,500,000 (MTBF) ساعة (h)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C -
الحجم والأبعاد M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm) 7 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج 8 g 63 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز - 2.5 بوصة
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - false
دعم NCQ - true
دعم RAID - true
الميزات الإضافية -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتامع Twinmos Nvme M 2 1Tb

الميزة

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

Twinmos Nvme M 2 1Tb

تقنية التشفير Yes -
دعم S.M.A.R.T true true
دعم TRIM true true
سعة الذاكرة 250 GB 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 550 MB/s 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 520 MB/s 3080 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 1500000 saat 1,000,000 ساعة (MTBF) / 1000 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm) -
وزن المنتج 8 g -
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - false
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
دعم NCQ - true
دعم RAID - false
الأنظمة المتوافقة - Windows XP والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية - إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
الشهادات والتصديقات -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتامع Samsung Mz Dpc256Ta02 256Gb

الميزة

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

Samsung Mz Dpc256Ta02 256Gb

تقنية التشفير Yes -
دعم S.M.A.R.T true false
دعم TRIM true false
سعة الذاكرة 250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 550 MB/s -
سرعة الكتابة التسلسلية 520 MB/s -
العمر الافتراضي المتوسط 1500000 saat -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C -
الحجم والأبعاد M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm) 13 * 8 * 1 مليمتر (mm)
وزن المنتج 8 g 30 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز - عامل الشكل الخاص بـ Apple
ذاكرة DRAM - false
دعم NCQ - false
دعم RAID - false
مؤشر الحالة LED - false