مقارنة سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة جيجابايت Gp Gsm2Ne8512Gntd Nvme M2 512Gbمع سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

الميزة	جيجابايت Gp Gsm2Ne8512Gntd Nvme M2 512Gb	سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة		250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش		V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية	1200 ميجابايت في الثانية (mb/s)	550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	800 ميجابايت في الثانية (mb/s)	520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	false	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 - 70 °C
الجهد التشغيلي		-
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 200 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1500000 saat
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
الميزات الإضافية	تقنية HMB (مخزن الذاكرة المضيف) لاستخدام جزء صغير من ذاكرة الوصول العشوائي للنظام كذاكرة تخزين مؤقت / إمكانية عرض درجة حرارة الذاكرة / إمكانية المسح الآمن لحذف البيانات بشكل لا رجعة فيه / برنامج SSD Tool Box	-
الحجم والأبعاد	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)	M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
مؤشر الحالة LED	false	-
تقنية التشفير	-	Yes
وزن المنتج	-	8 g

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتامع Western Digital Green Wds120G2G0B M2 120Gb

سامسونج VS دي إس

الميزة	سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا	Western Digital Green Wds120G2G0B M2 120Gb
تقنية التشفير	Yes	-
دعم S.M.A.R.T	true	false
دعم TRIM	true	false
سعة الذاكرة	250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش	V-NAND MLC	-
سرعة القراءة التسلسلية	550 MB/s	545 جيجابايت/ثانية
سرعة الكتابة التسلسلية	520 MB/s	435 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط	1500000 saat	1,000,000 (MTTF) ساعة (h)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	0 إلى 70 درجة مئوية
الحجم والأبعاد	M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)	1.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	8 g	6.46 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	false
استهلاك الطاقة	-	0.08 واط في الوضع المتوسط / 2.2 واط في وضع القراءة / 2.2 واط في وضع الكتابة / 0.03 واط في وضع الاستعداد / 0.01 واط في وضع DevSlp
دعم NCQ	-	false
دعم RAID	-	false
الميزات الإضافية	-
الشهادات والتصديقات	-
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Ocpc Ssd Sata 2 5 Inch 256Gbمع سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

أو سي بي سي VS سامسونج

الميزة	Ocpc Ssd Sata 2 5 Inch 256Gb	سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة	-
سعة الذاكرة		250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش		V-NAND MLC
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	450 ميجابايت في الثانية (mb/s)	520 MB/s
ذاكرة DRAM	false	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 - 70 °C
الجهد التشغيلي	5 فولت (v)	-
العمر الافتراضي المتوسط	2,500,000 (MTBF) ساعة (h)	1500000 saat
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
الأنظمة المتوافقة	Windows الإصدار 7 والإصدارات الأحدث / macOS / Linux	-
الميزات الإضافية		-
الشهادات والتصديقات		-
الحجم والأبعاد	6.7 * 69.8 * 100 مليمتر (mm)	M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
مؤشر الحالة LED	false	-
تقنية التشفير	-	Yes
وزن المنتج	-	8 g

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Patriot Viper Vp4300 Lite Nvme M2 2Tbمع سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

باتريوت VS سامسونج

الميزة	Patriot Viper Vp4300 Lite Nvme M2 2Tb	سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة	2 تيرابايت (tb)	250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش		V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية	7400 ميجابايت في الثانية (mb/s)	550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	6400 ميجابايت في الثانية (mb/s)	520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	false	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 إلى 70 درجة مئوية	0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط	1600 (TBW) تيرابايت (tb)	1500000 saat
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
مؤشر الحالة LED	false	-
تقنية التشفير	-	Yes
الحجم والأبعاد	-	M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
وزن المنتج	-	8 g

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتامع Samsung 870 Qvo Sata 25 1Tb

سامسونج VS سامسونغ

الميزة	سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا	Samsung 870 Qvo Sata 25 1Tb
تقنية التشفير	Yes
دعم S.M.A.R.T	true	true
دعم TRIM	true	true
سعة الذاكرة	250 GB	1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش	V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية	550 MB/s	560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	520 MB/s	530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط	1500000 saat	1,500,000 ساعة (MTBF) / 360 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)	6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج	8 g	46 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-	2.5 بوصة
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	true
نوع الذاكرة DRAM	-
الجهد التشغيلي	-	5 فولت (v)
استهلاك الطاقة	-
دعم NCQ	-	false
دعم RAID	-	false
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتامع Silicon Power Ace A55 1Tb

سامسونج VS سيلكون باور

الميزة	سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا	Silicon Power Ace A55 1Tb
تقنية التشفير	Yes	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
دعم TRIM	true	true
سعة الذاكرة	250 GB	1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش	V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية	550 MB/s	560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	520 MB/s	530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط	1500000 saat	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	-
الحجم والأبعاد	M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)	7 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج	8 g	63 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-	2.5 بوصة
ذاكرة DRAM	-	false
الجهد التشغيلي	-	5 فولت (v)
دعم NCQ	-	true
دعم RAID	-	true
الميزات الإضافية	-
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Hp S700 Sata M 2 250Gbمع سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

إتش بي VS سامسونج

الميزة	Hp S700 Sata M 2 250Gb	سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة		250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش		V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية	560 ميجابايت في الثانية (mb/s)	550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	510 ميجابايت في الثانية (mb/s)	520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	false	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 - 70 °C
الجهد التشغيلي	3.3 فولت (v)	-
العمر الافتراضي المتوسط	2,000,000 ساعة (MTTF) / 145 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1500000 saat
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	true	-
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	false	true
تقنية التشفير		Yes
الأنظمة المتوافقة	Windows الإصدار 7 والإصدارات الأحدث	-
الميزات الإضافية		-
الحجم والأبعاد	3.35 * 22 * 80 مليمتر (mm)	M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
وزن المنتج	5 جرام (g)	8 g
مؤشر الحالة LED	false	-

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Hp Z Turbo Drive Z8 G4 Tlc Nvme M2 1Tbمع سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

إتش بي VS سامسونج

الميزة	Hp Z Turbo Drive Z8 G4 Tlc Nvme M2 1Tb	سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)	250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش		V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية	3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	1700 ميجابايت في الثانية (mb/s)	520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	false	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 - 70 °C
الجهد التشغيلي		-
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1500000 saat
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	false	true
مؤشر الحالة LED	false	-
تقنية التشفير	-	Yes
الحجم والأبعاد	-	M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
وزن المنتج	-	8 g

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتامع Silicon Power P34A80 NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

سامسونج VS سيلكون باور

الميزة	سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا	Silicon Power P34A80 NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت
تقنية التشفير	Yes	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
دعم TRIM	true	true
سعة الذاكرة	250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش	V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية	550 MB/s	3400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	520 MB/s	3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط	1500000 saat	1655 (TBW) تيرابايت (tb)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)	3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	8 g	8 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	true
نوع الذاكرة DRAM	-
دعم NCQ	-	false
دعم RAID	-	true
الأنظمة المتوافقة	-	Windows 8.1 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية	-
الشهادات والتصديقات	-
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتامع Team Group T-Force CARDEA Zero Z340 NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

سامسونج VS إم جي

الميزة	سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا	Team Group T-Force CARDEA Zero Z340 NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت
تقنية التشفير	Yes	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
دعم TRIM	true	true
سعة الذاكرة	250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش	V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية	550 MB/s	3400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	520 MB/s	2000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط	1500000 saat	2,000,000 ساعة (MTBF) / 800 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)	3.7 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	8 g	9 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	true
نوع الذاكرة DRAM	-
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
دعم NCQ	-	false
دعم RAID	-	false
الأنظمة المتوافقة	-	Windows الإصدار Vista والإصدارات الأحدث / Linux Kernel 2.6.33 والإصدارات الأحدث
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتامع Western Digital Blue Wds250G2B0A 1Tb

سامسونج VS بلو

الميزة	سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا	Western Digital Blue Wds250G2B0A 1Tb
تقنية التشفير	Yes	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
دعم TRIM	true	false
سعة الذاكرة	250 GB	2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش	V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية	550 MB/s	560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	520 MB/s	530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط	1500000 saat	1,750,000 (MTTF) ساعة (h)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	0 إلى 70 درجة مئوية
الحجم والأبعاد	M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)	7 * 69.85 * 100.2 مليمتر (mm)
وزن المنتج	8 g	57.9 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-	2.5 بوصة
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	false
استهلاك الطاقة	-
دعم NCQ	-	false
دعم RAID	-	false
الميزات الإضافية	-
الشهادات والتصديقات	-
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Hp 717965 B21 120Gbمع سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

إتش بي VS سامسونج

الميزة	Hp 717965 B21 120Gb	سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة	-
سعة الذاكرة		250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش		V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية	410 ميجابايت في الثانية (mb/s)	550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	130 ميجابايت في الثانية (mb/s)	520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	false	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط	2,000,000 ساعة (MTBF) / 75 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1500000 saat
استهلاك الطاقة	9 واط في الوضع النشط	-
دعم NCQ	true	-
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	true	-
دعم S.M.A.R.T	false	true
الشهادات والتصديقات		-
الحجم والأبعاد	السماكة 15 مم	M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
وزن المنتج	226.8 جرام (g)	8 g
مؤشر الحالة LED	false	-
تقنية التشفير	-	Yes

عرض تفاصيل المقارنة