مقارنة سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتامع Samsung Pm1643 Sas 25 Inch 192Tb

الميزة

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

Samsung Pm1643 Sas 25 Inch 192Tb

تقنية التشفير Yes -
دعم S.M.A.R.T true false
دعم TRIM true false
سعة الذاكرة 250 GB 1.92 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 550 MB/s 2100 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 520 MB/s 1800 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 1500000 saat -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C -
الحجم والأبعاد M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm) 14.8 * 69.85 * 100.2 مليمتر (mm)
وزن المنتج 8 g -
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز - 2.5 بوصة
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - false
دعم NCQ - false
دعم RAID - false
الميزات الإضافية - مناسب لمعدات الشبكة / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ)
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة Micron M2 2280 512Gbمع سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

الميزة

Micron M2 2280 512Gb

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 530 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 520 ميجابايت في الثانية (mb/s) 520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false -
الجهد التشغيلي 3.3 فولت (v) -
مؤشر الحالة LED false -
تقنية التشفير - Yes
دعم S.M.A.R.T - true
دعم TRIM - true
العمر الافتراضي المتوسط - 1500000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد - M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
وزن المنتج - 8 g

مقارنة Patriot Burst 240Gbمع سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

الميزة

Patriot Burst 240Gb

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة -
سعة الذاكرة 250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 555 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM true -
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الجهد التشغيلي 5 فولت (v) -
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 ساعة (MTBF) / 180 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1500000 saat
دعم NCQ false -
دعم TRIM true true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية خوارزمية BBM لتحديد وإزالة أخطاء الوصول / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / إدارة استهلاك الطاقة -
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد 7 * 69.85 * 100 مليمتر (mm) M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
وزن المنتج 78.6 جرام (g) 8 g
مؤشر الحالة LED false -
تقنية التشفير - Yes

مقارنة Hp Ex900 Pro Nvme M2 512Gbمع سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

الميزة

Hp Ex900 Pro Nvme M2 512Gb

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 2080 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 1800 ميجابايت في الثانية (mb/s) 520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM true -
نوع الذاكرة DRAM 1 جيجابايت رام Micron DDR3-1600 -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 ساعة (MTBF) / 320 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1500000 saat
استهلاك الطاقة 4.29 واط في الوضع النشط / 0.67 واط في وضع الخمول -
دعم NCQ false -
دعم TRIM false true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T false true
الأنظمة المتوافقة Windows -
الميزات الإضافية -
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد 2.4 * 22 * 80 مليمتر (mm) M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
وزن المنتج 5.4 جرام (g) 8 g
مؤشر الحالة LED false -
تقنية التشفير - Yes

مقارنة Kingspec Nt M2 2280 256Gbمع سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

الميزة

Kingspec Nt M2 2280 256Gb

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 580 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 550 ميجابايت في الثانية (mb/s) 520 MB/s
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 70 درجة مئوية 0 - 70 °C
الجهد التشغيلي 3.3 فولت (v) -
العمر الافتراضي المتوسط 1,000,000 ساعة (MTBF) / 174 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1500000 saat
دعم NCQ true -
دعم TRIM true true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true true
الحجم والأبعاد 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm) M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
مؤشر الحالة LED false -
تقنية التشفير - Yes
وزن المنتج - 8 g

مقارنة Msi Spatium M450 Nvme M2 2Tbمع سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

الميزة

Msi Spatium M450 Nvme M2 2Tb

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 2 تيرابايت (tb) 250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 3300 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 70 درجة مئوية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 1200 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1500000 saat
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E) -
الحجم والأبعاد 2.15 * 22 * 80 مليمتر (mm) M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
مؤشر الحالة LED false -
تقنية التشفير - Yes
وزن المنتج - 8 g

مقارنة Kingston Uv500 120Gbمع سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

الميزة

Kingston Uv500 120Gb

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة -
سعة الذاكرة 250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 520 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 320 ميجابايت في الثانية (mb/s) 520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 1,000,000 ساعة (MTBF) / 60 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1500000 saat
استهلاك الطاقة 0.5 واط في المتوسط / 1.17 في وضع القراءة / 2.32 في وضع الكتابة / 0.195 واط في وضع الاستعداد -
دعم NCQ false -
دعم TRIM false true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T false true
تقنية التشفير Yes
الميزات الإضافية -
الحجم والأبعاد 7 * 69.85 * 100.1 مليمتر (mm) M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
وزن المنتج 41 جرام (g) 8 g
مؤشر الحالة LED false -

مقارنة سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتامع Samsung 970 Evo Nvme M2 1Tb

الميزة

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

Samsung 970 Evo Nvme M2 1Tb

تقنية التشفير Yes
دعم S.M.A.R.T true true
دعم TRIM true true
سعة الذاكرة 250 GB 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 550 MB/s 3400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 520 MB/s 2500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 1500000 saat 1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm) 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج 8 g 8 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM -
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ - false
دعم RAID - false
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة Apacer As2280P4 Nvme M2 256Gbمع سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

الميزة

Apacer As2280P4 Nvme M2 256Gb

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 2100 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 1300 ميجابايت في الثانية (mb/s) 520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الجهد التشغيلي 3.3 فولت (v) -
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true true
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد 2.38 * 22 * 80 مليمتر (mm) M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
وزن المنتج 6.8 جرام (g) 8 g
مؤشر الحالة LED false -
تقنية التشفير - Yes
العمر الافتراضي المتوسط - 1500000 saat

مقارنة Kodak X100 Sata 2 5 Inch 960Gbمع سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

الميزة

Kodak X100 Sata 2 5 Inch 960Gb

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة -
سعة الذاكرة 250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 550 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 510 ميجابايت في الثانية (mb/s) 520 MB/s
ذاكرة DRAM false -
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 (MTBF) ساعة (h) 1500000 saat
دعم NCQ false -
دعم TRIM true true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true true
الأنظمة المتوافقة Windows XP والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 8.6 والإصدارات الأحدث / Linux 2.6 والإصدارات الأحدث / Chrome OS -
الميزات الإضافية خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / خوارزمية BBM لتحديد وإزالة أخطاء الوصول -
مادة الهيكل معدن -
الحجم والأبعاد 7 * 69.85 * 100 مليمتر (mm) M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
مؤشر الحالة LED false -
تقنية التشفير - Yes
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 - 70 °C
وزن المنتج - 8 g

مقارنة Gudga Sata 25 Inch 1Tbمع سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

الميزة

Gudga Sata 25 Inch 1Tb

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة -
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb) 250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 570 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 540 ميجابايت في الثانية (mb/s) 520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الجهد التشغيلي 5 فولت (v) -
العمر الافتراضي المتوسط 1,000,000 (MTBF) ساعة (h) 1500000 saat
دعم NCQ false -
دعم TRIM true true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية خوارزمية تصحيح الخطأ المتقدمة LDPC / قابل للاستخدام لأجهزة الكمبيوتر المحمولة وأجهزة الكمبيوتر المكتبية / زمن وصول 0.07 مللي ثانية -
الشهادات والتصديقات -
مادة الهيكل بلاستيك -
الحجم والأبعاد 7 * 70 * 100 مليمتر (mm) M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
مؤشر الحالة LED false -
تقنية التشفير - Yes
وزن المنتج - 8 g

مقارنة Msi Spatium M480 Nvme M2 1Tbمع سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

الميزة

Msi Spatium M480 Nvme M2 1Tb

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb) 250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 7000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 5500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM true -
نوع الذاكرة DRAM DDR4 مع ذاكرة تخزين مؤقت 1 جيجابايت -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 70 درجة مئوية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 1,600,000 ساعة (MTBF) / 700 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1500000 saat
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true true
تقنية التشفير Yes
الميزات الإضافية خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E) -
الحجم والأبعاد 2.15 * 22 * 80 مليمتر (mm) M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
وزن المنتج 9.7 جرام (g) 8 g
مؤشر الحالة LED false -