صفحة 2 من المقارنة Samsung 860 Evo M2 500Gb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة Samsung 860 Evo M2 500Gbمع SSD داخلي سيجيت Nytro 5350S

الميزة

Samsung 860 Evo M2 500Gb

SSD داخلي سيجيت Nytro 5350S

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 15 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D eTLC
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 550 ميجابايت في الثانية (mb/s) 7400 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 520 ميجابايت في الثانية (mb/s) 7200 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 1700000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 195000 IOPS
ذاكرة DRAM true -
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW) 2500000 saat
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true -
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true -
تقنية التشفير -
الحجم والأبعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm) 2.5" (70.1 * 100.4 * 14.9 mm)
وزن المنتج 8 جرام (g) 205 g
الجهد التشغيلي - 12 V

مقارنة قرص صلب داخلي ADATA SMAR-980B-2TCSمع Samsung 860 Evo M2 500Gb

الميزة

قرص صلب داخلي ADATA SMAR-980B-2TCS

Samsung 860 Evo M2 500Gb

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 5.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تقنية التشفير Yes
سعة الذاكرة 2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية 14000 MB/s 550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 13000 MB/s 520 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 2000000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 1650000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 1480 1,500,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (80 * 22 * 4.5 mm) 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج 12 g 8 جرام (g)
الشهادات والتصديقات BSMI, CE, EAC, Federal Communications Commission (FCC), KC, RCM, RoHS, UKCA -
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM -
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - true

مقارنة Samsung 860 Evo M2 500Gbمع Seagate BarraCuda Q1 محرك أقراص صلبة داخلي

الميزة

Samsung 860 Evo M2 500Gb

Seagate BarraCuda Q1 محرك أقراص صلبة داخلي

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 960 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش QLC 3D NAND
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 550 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 520 ميجابايت في الثانية (mb/s) 500 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM true -
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1800000 saat
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true true
تقنية التشفير -
الحجم والأبعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm) 2.5" (70.1 * 100.4 * 7.1 mm)
وزن المنتج 8 جرام (g) 40 g
الشهادات والتصديقات - RoHS

مقارنة كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 4 تيرابايتمع Samsung 860 Evo M2 500Gb

الميزة

كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 4 تيرابايت

Samsung 860 Evo M2 500Gb

سعة الذاكرة 4 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D TLC
سرعة القراءة التسلسلية 14800 MB/s 550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 14000 MB/s 520 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 2200000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 2200000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 2000000 saat 1,500,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.3 mm) 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج 7.7 g 8 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 5.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM -
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - true
تقنية التشفير -

مقارنة Samsung 860 Evo M2 500Gbمع Seagate FireCuda 120 محرك أقراص صلبة داخلي

الميزة

Samsung 860 Evo M2 500Gb

Seagate FireCuda 120 محرك أقراص صلبة داخلي

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين No
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D TLC
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 550 ميجابايت في الثانية (mb/s) 560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 520 ميجابايت في الثانية (mb/s) 540 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 100000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 90000 IOPS
ذاكرة DRAM true -
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1400
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true true
تقنية التشفير -
الحجم والأبعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm) 2.5" (70.1 * 100.3 * 7.1 mm)
وزن المنتج 8 جرام (g) 50 g
الشهادات والتصديقات - RoHS

مقارنة SSD داخلي لينوفو 4XB7A90875مع Samsung 860 Evo M2 500Gb

الميزة

SSD داخلي لينوفو 4XB7A90875

Samsung 860 Evo M2 500Gb

سعة الذاكرة 1.92 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND TLC
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 82000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 28000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 2000000 saat 1,500,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2.5" (70 * 100 * 7 mm) 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين No
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
دعم S.M.A.R.T true true
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية - 550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية - 520 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM -
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - false
تقنية التشفير -
وزن المنتج - 8 جرام (g)

مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI828مع Samsung 860 Evo M2 500Gb

علامة تجارية غير معروفة VS سامسونغ
الميزة

قرص صلب داخلي AGI Technology AI828

Samsung 860 Evo M2 500Gb

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
سعة الذاكرة 2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية 7400 MB/s 550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 6700 MB/s 520 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 1500 1,500,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)
الجهد التشغيلي 3.3 V -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 3.5 mm) 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج 7.5 g 8 جرام (g)
دعم S.M.A.R.T true true
دعم TRIM true true
الشهادات والتصديقات BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS -
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM -
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ - false
دعم RAID - false
تقنية التشفير -

مقارنة Samsung 860 Evo M2 500Gbمع SSD داخلي سامسونج PM981 NVMe

الميزة

Samsung 860 Evo M2 500Gb

SSD داخلي سامسونج PM981 NVMe

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 3.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش TLC
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 550 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3200 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 520 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2400 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 380000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 440000 IOPS
ذاكرة DRAM true -
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW) -
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true -
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true -
تقنية التشفير -
الحجم والأبعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm) M.2
وزن المنتج 8 جرام (g) 9 g
خيارات الألوان - Black, Green

مقارنة قرص صلب داخلي كينغستون NV1 M.2 NVMeمع Samsung 860 Evo M2 500Gb

الميزة

قرص صلب داخلي كينغستون NV1 M.2 NVMe

Samsung 860 Evo M2 500Gb

سعة الذاكرة 2 TB
سرعة القراءة التسلسلية 2100 MB/s 550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 1700 MB/s 520 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 480 1,500,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد M.2 (22 * 80 * 2.1 mm) 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج 7 g 8 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 3.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
الشهادات والتصديقات CE, RoHS -
تصميم وأبعاد الجهاز -
مواصفات ذاكرة الفلاش -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM -
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - true
تقنية التشفير -

مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI298مع Samsung 860 Evo M2 500Gb

علامة تجارية غير معروفة VS سامسونغ
الميزة

قرص صلب داخلي AGI Technology AI298

Samsung 860 Evo M2 500Gb

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 3.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
سعة الذاكرة 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية 3200 MB/s 550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 1700 MB/s 520 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 600 1,500,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)
الجهد التشغيلي 3.3 V -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 3.5 mm) 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج 6 g 8 جرام (g)
الشهادات والتصديقات BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS, VCCI -
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM -
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - true
تقنية التشفير -

مقارنة SSD داخلي لينوفو 4XB1D04758مع Samsung 860 Evo M2 500Gb

الميزة

SSD داخلي لينوفو 4XB1D04758

Samsung 860 Evo M2 500Gb

سعة الذاكرة 2 TB
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 76 °C
الحجم والأبعاد M.2 (80 * 22 * 2.38 mm) 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج 9 g 8 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز -
مواصفات ذاكرة الفلاش -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية - 550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية - 520 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM -
العمر الافتراضي المتوسط - 1,500,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - true
تقنية التشفير -

مقارنة قرص صلب داخلي كينغستون NV3 M.2 2230 NVMe بسعة 1 تيرابايتمع Samsung 860 Evo M2 500Gb

الميزة

قرص صلب داخلي كينغستون NV3 M.2 2230 NVMe بسعة 1 تيرابايت

Samsung 860 Evo M2 500Gb

سعة الذاكرة 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية 6000 MB/s 550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 4000 MB/s 520 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 320 1,500,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2230 (22 x 30 mm) (30 * 22 * 2.3 mm) 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج 2.8 g 8 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM -
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - true
تقنية التشفير -