مقارنة Samsung 860 Evo 250Gb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة Samsung 860 Evo 250Gbمع

الميزة	Samsung 860 Evo 250Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	SSD داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة		M.2 2280
تفاصيل الاتصال بالتخزين		PCIe 4.0 x4 NVMe
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة	عامل شكل M.2 2280
سعة الذاكرة		1 تيرابايت
مواصفات ذاكرة الفلاش		Samsung V-NAND
وحدة التحكم		Samsung Elpis Controller
سرعة القراءة التسلسلية	550 ميجابايت في الثانية (mb/s)	تصل إلى 7,450 ميجابايت/ثانية
سرعة الكتابة التسلسلية	520 ميجابايت في الثانية (mb/s)	تصل إلى 6,900 ميجابايت/ثانية
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		تصل إلى 1,400 ألف عملية إدخال/إخراج في الثانية
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		تصل إلى 1,550 ألف عملية إدخال/إخراج في الثانية
ذاكرة DRAM	true	نعم
نوع الذاكرة DRAM		-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 درجة مئوية إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 150 تيرابايت مكتوبة (TBW)	غير متوفر (لم يتم تحديد TBW في الميزات الأولية)
استهلاك الطاقة		أداء محسّن لكل واط مقارنة بـ 980 PRO
دعم NCQ	false	نعم
دعم TRIM	true	نعم
دعم RAID	true	-
دعم S.M.A.R.T	true	نعم
تقنية التشفير		تشفير AES 256 بت
الحجم والأبعاد	100 x 69.8 x 6.8 مم	M.2 2280 (80 مم × 22 مم × 2.38 مم)
وزن المنتج	86 جرام (g)	تقريبًا 8.0 جرام
مؤشر الحالة LED	false	-
نوع الاتصال	-	M.2 NVMe PCIe 4.0
الأنظمة المتوافقة	-	Windows، macOS، Linux (مع دعم NVMe)
الميزات الإضافية	-	برنامج Samsung Magician، التحكم الحراري الذكي، متوافق مع PS5
خيارات الألوان	-	أسود
محتويات العلبة	-	SSD، دليل التثبيت، دليل الضمان

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Samsung 860 Evo 250Gbمع KingSpec 512GB NVMe Gen3x4 SSD M.2 2280

سامسونغ VS كينغسبيك

الميزة	Samsung 860 Evo 250Gb	KingSpec 512GB NVMe Gen3x4 SSD M.2 2280
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	محرك أقراص الحالة الصلبة داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة		M.2 2280
تفاصيل الاتصال بالتخزين		NVMe Gen3x4
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة	عامل شكل M.2 2280
سعة الذاكرة		512 جيجابايت
مواصفات ذاكرة الفلاش		ذاكرة فلاش NAND ثلاثية الأبعاد (TLC/QLC)
وحدة التحكم		وحدة تحكم رئيسية عالية الجودة
سرعة القراءة التسلسلية	550 ميجابايت في الثانية (mb/s)	تصل إلى 2400 ميجابايت/ثانية
سرعة الكتابة التسلسلية	520 ميجابايت في الثانية (mb/s)	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	true	-
نوع الذاكرة DRAM		-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		-
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 150 تيرابايت مكتوبة (TBW)	-
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	نعم
دعم RAID	true	-
دعم S.M.A.R.T	true	نعم
تقنية التشفير		-
الحجم والأبعاد	100 x 69.8 x 6.8 مم	M.2 2280
وزن المنتج	86 جرام (g)	-
مؤشر الحالة LED	false	-
نوع الاتصال	-	NVMe Gen3x4
الأنظمة المتوافقة	-	Windows 7-10، RHEL، CentOS، Linux، Ubuntu
الميزات الإضافية	-	تسوية التآكل، LDPC ECC، حماية البيانات من طرف إلى طرف
محتويات العلبة	-	SSD، وثائق

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Samsung 860 Evo 250Gbمع WD_Black SN7100 2TB NVMe SSD

سامسونغ VS سانديسك

الميزة	Samsung 860 Evo 250Gb	WD_Black SN7100 2TB NVMe SSD
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	ألعاب؛ لابتوب
منفذ الاتصال بالذاكرة		M.2
تفاصيل الاتصال بالتخزين		PCIe Gen4 x4؛ NVMe
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة	عامل شكل M.2 2280
سعة الذاكرة		2 تيرابايت
مواصفات ذاكرة الفلاش		TLC 3D NAND
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	550 ميجابايت في الثانية (mb/s)	7,250 ميجابايت/ثانية
سرعة الكتابة التسلسلية	520 ميجابايت في الثانية (mb/s)	6,900 ميجابايت/ثانية
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	true	-
نوع الذاكرة DRAM		-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		-
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 150 تيرابايت مكتوبة (TBW)	-
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	-
دعم RAID	true	-
دعم S.M.A.R.T	true	-
تقنية التشفير		-
الحجم والأبعاد	100 x 69.8 x 6.8 مم	M.2 2280
وزن المنتج	86 جرام (g)	-
مؤشر الحالة LED	false	-
نوع الاتصال	-	M.2 NVMe PCIe Gen4
الأنظمة المتوافقة	-	Windows (لوظيفة لوحة التحكم)
الميزات الإضافية	-	برنامج WD_BLACK Dashboard (Windows فقط)؛ كفاءة طاقة أعلى بنسبة تصل إلى 100% مقارنة بالجيل السابق؛ أداء أسرع بنسبة تصل إلى 35% مقارنة بالجيل السابق

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Samsung 860 Evo 250Gbمع

كروشيال VS سامسونغ

الميزة	Samsung 860 Evo 250Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة	M.2
تفاصيل الاتصال بالتخزين	NVMe PCIe Gen4 x4
نوع الاتصال	PCIe Gen4 NVMe	-
سرعة القراءة التسلسلية	تصل إلى 7,100 ميجابايت/ثانية	550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	تصل إلى 6,000 ميجابايت/ثانية	520 ميجابايت في الثانية (mb/s)
مواصفات ذاكرة الفلاش	Micron G8 NAND
الأنظمة المتوافقة	Windows، أجهزة الكمبيوتر المحمولة، أجهزة الكمبيوتر المكتبية، وحدات تحكم الألعاب المحمولة المختارة (ROG Ally X، Lenovo Legion Go، AYANEO Kun)	-
الميزات الإضافية	برنامج استعادة بيانات Acronis، التحكم الحراري	-
الحجم والأبعاد	M.2 2280	100 x 69.8 x 6.8 مم
محتويات العلبة	ترخيص/مفتاح برنامج استعادة بيانات Acronis	-
تصميم وأبعاد الجهاز	عامل شكل M.2 2280	2.5 بوصة
سعة الذاكرة	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	true
نوع الذاكرة DRAM	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
العمر الافتراضي المتوسط	-	1,500,000 ساعة (MTBF) / 150 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة	-
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	true
دعم S.M.A.R.T	-	true
تقنية التشفير	-
وزن المنتج	-	86 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Samsung 860 Evo 250Gbمع

سامسونغ VS سامسونغ

الميزة	Samsung 860 Evo 250Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	ذاكرة فلاش NAND
منفذ الاتصال بالذاكرة		M.2 2280
تفاصيل الاتصال بالتخزين		PCIe Gen 4x4 / PCIe Gen 5x2
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة	عامل شكل M.2 2280
سعة الذاكرة		1 تيرابايت
مواصفات ذاكرة الفلاش		أحدث ذاكرة NAND
وحدة التحكم		وحدة تحكم مطلية بالنيكل
سرعة القراءة التسلسلية	550 ميجابايت في الثانية (mb/s)	7150 ميجابايت/ثانية
سرعة الكتابة التسلسلية	520 ميجابايت في الثانية (mb/s)	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	true	-
نوع الذاكرة DRAM		-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		-
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 150 تيرابايت مكتوبة (TBW)	-
استهلاك الطاقة		فعال
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	-
دعم RAID	true	-
دعم S.M.A.R.T	true	-
تقنية التشفير
الحجم والأبعاد	100 x 69.8 x 6.8 مم	M.2 2280
وزن المنتج	86 جرام (g)	-
مؤشر الحالة LED	false	-
نوع الاتصال	-	NVMe
الأنظمة المتوافقة	-	كمبيوتر شخصي، أجهزة كمبيوتر محمولة
الميزات الإضافية	-	تقنية HMB، Intelligent Turbowrite 2.0
محتويات العلبة	-	SSD (MZ-V9S1T0B/AM)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة قرص صلب داخلي كينغستون NV1 M.2 NVMeمع Samsung 860 Evo 250Gb

كينغستون VS سامسونغ

الميزة	قرص صلب داخلي كينغستون NV1 M.2 NVMe	Samsung 860 Evo 250Gb
سعة الذاكرة	2 TB
سرعة القراءة التسلسلية	2100 MB/s	550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	1700 MB/s	520 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط	480	1,500,000 ساعة (MTBF) / 150 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	M.2 (22 * 80 * 2.1 mm)	100 x 69.8 x 6.8 مم
وزن المنتج	7 g	86 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 3.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
الشهادات والتصديقات	CE, RoHS	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-	2.5 بوصة
مواصفات ذاكرة الفلاش	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	true
نوع الذاكرة DRAM	-
استهلاك الطاقة	-
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	true
دعم S.M.A.R.T	-	true
تقنية التشفير	-
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Samsung 860 Evo 250Gbمع SSD داخلي سامسونج PM981 NVMe

سامسونغ VS سامسونج

الميزة	Samsung 860 Evo 250Gb	SSD داخلي سامسونج PM981 NVMe
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		PCI Express 3.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين		Yes
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة	-
سعة الذاكرة		1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		TLC
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	550 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3200 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	520 ميجابايت في الثانية (mb/s)	2400 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		380000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		440000 IOPS
ذاكرة DRAM	true	-
نوع الذاكرة DRAM		-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 150 تيرابايت مكتوبة (TBW)	-
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	-
دعم RAID	true	-
دعم S.M.A.R.T	true	-
تقنية التشفير		-
الحجم والأبعاد	100 x 69.8 x 6.8 مم	M.2
وزن المنتج	86 جرام (g)	9 g
مؤشر الحالة LED	false	-
خيارات الألوان	-	Black, Green

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة قرص صلب داخلي ADATA SMAR-980B-2TCSمع Samsung 860 Evo 250Gb

أداتا VS سامسونغ

الميزة	قرص صلب داخلي ADATA SMAR-980B-2TCS	Samsung 860 Evo 250Gb
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 5.0
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تقنية التشفير	Yes
سعة الذاكرة	2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية	14000 MB/s	550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	13000 MB/s	520 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	2000000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	1650000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	1480	1,500,000 ساعة (MTBF) / 150 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (80 * 22 * 4.5 mm)	100 x 69.8 x 6.8 مم
وزن المنتج	12 g	86 جرام (g)
الشهادات والتصديقات	BSMI, CE, EAC, Federal Communications Commission (FCC), KC, RCM, RoHS, UKCA	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-	2.5 بوصة
وحدة التحكم	-
ذاكرة DRAM	-	true
نوع الذاكرة DRAM	-
استهلاك الطاقة	-
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	true
دعم S.M.A.R.T	-	true
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة SSD داخلي ديل 345-BBCZمع Samsung 860 Evo 250Gb

ديل VS سامسونغ

الميزة	SSD داخلي ديل 345-BBCZ	Samsung 860 Evo 250Gb
سعة الذاكرة	3.84 TB
الحجم والأبعاد	2.5"	100 x 69.8 x 6.8 مم
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تقنية التشفير	No
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-	2.5 بوصة
مواصفات ذاكرة الفلاش	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة التسلسلية	-	550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	-	520 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	true
نوع الذاكرة DRAM	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
العمر الافتراضي المتوسط	-	1,500,000 ساعة (MTBF) / 150 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة	-
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	true
دعم S.M.A.R.T	-	true
وزن المنتج	-	86 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة كينغستون NV3 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2230 سعة 500 جيجابايتمع Samsung 860 Evo 250Gb

كينغستون VS سامسونغ

الميزة	كينغستون NV3 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2230 سعة 500 جيجابايت	Samsung 860 Evo 250Gb
سعة الذاكرة	500 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية	5000 MB/s	550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	3000 MB/s	520 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط	160	1,500,000 ساعة (MTBF) / 150 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2230 (22 x 30 mm) (30 * 22 * 2.3 mm)	100 x 69.8 x 6.8 مم
وزن المنتج	2.6 g	86 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز	-	2.5 بوصة
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	true
نوع الذاكرة DRAM	-
استهلاك الطاقة	-
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	true
دعم S.M.A.R.T	-	true
تقنية التشفير	-
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة لينوفو 4XB7A90874 قرص صلب داخليمع Samsung 860 Evo 250Gb

لينوفو VS سامسونغ

الميزة	لينوفو 4XB7A90874 قرص صلب داخلي	Samsung 860 Evo 250Gb
سعة الذاكرة	960 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش	V-NAND TLC
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	81000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	28000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	2000000 saat	1,500,000 ساعة (MTBF) / 150 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2.5" (70 * 100 * 7 mm)	100 x 69.8 x 6.8 مم
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين	No
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
دعم S.M.A.R.T	true	true
تصميم وأبعاد الجهاز	-	2.5 بوصة
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة التسلسلية	-	550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	-	520 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	-	true
نوع الذاكرة DRAM	-
استهلاك الطاقة	-
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	true
تقنية التشفير	-
وزن المنتج	-	86 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Samsung 860 Evo 250Gbمع محرك أقراص سيجيت Nytro 5000 SSD الداخلي

سامسونغ VS سيجيت

الميزة	Samsung 860 Evo 250Gb	محرك أقراص سيجيت Nytro 5000 SSD الداخلي
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		PCI Express 3.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين		Yes
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة	-
سعة الذاكرة		1.92 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		3D cMLC
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	550 ميجابايت في الثانية (mb/s)	-
سرعة الكتابة التسلسلية	520 ميجابايت في الثانية (mb/s)	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		245000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		28000 IOPS
ذاكرة DRAM	true	-
نوع الذاكرة DRAM		-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		-
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 150 تيرابايت مكتوبة (TBW)	2000000 saat
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	-
دعم RAID	true	-
دعم S.M.A.R.T	true	-
تقنية التشفير		-
الحجم والأبعاد	100 x 69.8 x 6.8 مم	M.2 (22 * 110 * 2 mm)
وزن المنتج	86 جرام (g)	14 g
مؤشر الحالة LED	false	-
خيارات الألوان	-	Black, Green

عرض تفاصيل المقارنة