مقارنة Samsung 860 Evo 250Gb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة مع Samsung 860 Evo 250Gb

الميزة

Samsung 860 Evo 250Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة M.2
تفاصيل الاتصال بالتخزين NVMe PCIe Gen4 x4
نوع الاتصال PCIe Gen4 NVMe -
سرعة القراءة التسلسلية تصل إلى 7,100 ميجابايت/ثانية 550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية تصل إلى 6,000 ميجابايت/ثانية 520 ميجابايت في الثانية (mb/s)
مواصفات ذاكرة الفلاش Micron G8 NAND
الأنظمة المتوافقة Windows، أجهزة الكمبيوتر المحمولة، أجهزة الكمبيوتر المكتبية، وحدات تحكم الألعاب المحمولة المختارة (ROG Ally X، Lenovo Legion Go، AYANEO Kun) -
الميزات الإضافية برنامج استعادة بيانات Acronis، التحكم الحراري -
الحجم والأبعاد M.2 2280 100 x 69.8 x 6.8 مم
محتويات العلبة ترخيص/مفتاح برنامج استعادة بيانات Acronis -
تصميم وأبعاد الجهاز عامل شكل M.2 2280 2.5 بوصة
سعة الذاكرة -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
العمر الافتراضي المتوسط - 1,500,000 ساعة (MTBF) / 150 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - true
دعم S.M.A.R.T - true
تقنية التشفير -
وزن المنتج - 86 جرام (g)
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة Samsung 860 Evo 250Gbمع

الميزة

Samsung 860 Evo 250Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي ذاكرة فلاش NAND
منفذ الاتصال بالذاكرة M.2 2280
تفاصيل الاتصال بالتخزين PCIe Gen 4x4 / PCIe Gen 5x2
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة عامل شكل M.2 2280
سعة الذاكرة 1 تيرابايت
مواصفات ذاكرة الفلاش أحدث ذاكرة NAND
وحدة التحكم وحدة تحكم مطلية بالنيكل
سرعة القراءة التسلسلية 550 ميجابايت في الثانية (mb/s) 7150 ميجابايت/ثانية
سرعة الكتابة التسلسلية 520 ميجابايت في الثانية (mb/s) -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM true -
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 150 تيرابايت مكتوبة (TBW) -
استهلاك الطاقة فعال
دعم NCQ false -
دعم TRIM true -
دعم RAID true -
دعم S.M.A.R.T true -
تقنية التشفير
الحجم والأبعاد 100 x 69.8 x 6.8 مم M.2 2280
وزن المنتج 86 جرام (g) -
مؤشر الحالة LED false -
نوع الاتصال - NVMe
الأنظمة المتوافقة - كمبيوتر شخصي، أجهزة كمبيوتر محمولة
الميزات الإضافية - تقنية HMB، Intelligent Turbowrite 2.0
محتويات العلبة - SSD (MZ-V9S1T0B/AM)

مقارنة قرص صلب داخلي كينغستون NV1 M.2 NVMeمع Samsung 860 Evo 250Gb

الميزة

قرص صلب داخلي كينغستون NV1 M.2 NVMe

Samsung 860 Evo 250Gb

سعة الذاكرة 2 TB
سرعة القراءة التسلسلية 2100 MB/s 550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 1700 MB/s 520 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 480 1,500,000 ساعة (MTBF) / 150 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد M.2 (22 * 80 * 2.1 mm) 100 x 69.8 x 6.8 مم
وزن المنتج 7 g 86 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 3.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
الشهادات والتصديقات CE, RoHS -
تصميم وأبعاد الجهاز - 2.5 بوصة
مواصفات ذاكرة الفلاش -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM -
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - true
دعم S.M.A.R.T - true
تقنية التشفير -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة Samsung 860 Evo 250Gbمع SSD داخلي سامسونج PM981 NVMe

الميزة

Samsung 860 Evo 250Gb

SSD داخلي سامسونج PM981 NVMe

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 3.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة -
سعة الذاكرة 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش TLC
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 550 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3200 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 520 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2400 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 380000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 440000 IOPS
ذاكرة DRAM true -
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 150 تيرابايت مكتوبة (TBW) -
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true -
دعم RAID true -
دعم S.M.A.R.T true -
تقنية التشفير -
الحجم والأبعاد 100 x 69.8 x 6.8 مم M.2
وزن المنتج 86 جرام (g) 9 g
مؤشر الحالة LED false -
خيارات الألوان - Black, Green

مقارنة قرص صلب داخلي ADATA SMAR-980B-2TCSمع Samsung 860 Evo 250Gb

الميزة

قرص صلب داخلي ADATA SMAR-980B-2TCS

Samsung 860 Evo 250Gb

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 5.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تقنية التشفير Yes
سعة الذاكرة 2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية 14000 MB/s 550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 13000 MB/s 520 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 2000000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 1650000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 1480 1,500,000 ساعة (MTBF) / 150 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (80 * 22 * 4.5 mm) 100 x 69.8 x 6.8 مم
وزن المنتج 12 g 86 جرام (g)
الشهادات والتصديقات BSMI, CE, EAC, Federal Communications Commission (FCC), KC, RCM, RoHS, UKCA -
تصميم وأبعاد الجهاز - 2.5 بوصة
وحدة التحكم -
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM -
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - true
دعم S.M.A.R.T - true
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة SSD داخلي ديل 345-BBCZمع Samsung 860 Evo 250Gb

الميزة

SSD داخلي ديل 345-BBCZ

Samsung 860 Evo 250Gb

سعة الذاكرة 3.84 TB
الحجم والأبعاد 2.5" 100 x 69.8 x 6.8 مم
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تقنية التشفير No
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز - 2.5 بوصة
مواصفات ذاكرة الفلاش -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية - 550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية - 520 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
العمر الافتراضي المتوسط - 1,500,000 ساعة (MTBF) / 150 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - true
دعم S.M.A.R.T - true
وزن المنتج - 86 جرام (g)
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة كينغستون NV3 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2230 سعة 500 جيجابايتمع Samsung 860 Evo 250Gb

الميزة

كينغستون NV3 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2230 سعة 500 جيجابايت

Samsung 860 Evo 250Gb

سعة الذاكرة 500 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية 5000 MB/s 550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 3000 MB/s 520 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 160 1,500,000 ساعة (MTBF) / 150 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2230 (22 x 30 mm) (30 * 22 * 2.3 mm) 100 x 69.8 x 6.8 مم
وزن المنتج 2.6 g 86 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز - 2.5 بوصة
وحدة التحكم -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM -
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - true
دعم S.M.A.R.T - true
تقنية التشفير -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة لينوفو 4XB7A90874 قرص صلب داخليمع Samsung 860 Evo 250Gb

الميزة

لينوفو 4XB7A90874 قرص صلب داخلي

Samsung 860 Evo 250Gb

سعة الذاكرة 960 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND TLC
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 81000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 28000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 2000000 saat 1,500,000 ساعة (MTBF) / 150 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2.5" (70 * 100 * 7 mm) 100 x 69.8 x 6.8 مم
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين No
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
دعم S.M.A.R.T true true
تصميم وأبعاد الجهاز - 2.5 بوصة
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية - 550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية - 520 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM -
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - true
تقنية التشفير -
وزن المنتج - 86 جرام (g)
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة Samsung 860 Evo 250Gbمع محرك أقراص سيجيت Nytro 5000 SSD الداخلي

الميزة

Samsung 860 Evo 250Gb

محرك أقراص سيجيت Nytro 5000 SSD الداخلي

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 3.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة -
سعة الذاكرة 1.92 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D cMLC
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 550 ميجابايت في الثانية (mb/s) -
سرعة الكتابة التسلسلية 520 ميجابايت في الثانية (mb/s) -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 245000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 28000 IOPS
ذاكرة DRAM true -
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 150 تيرابايت مكتوبة (TBW) 2000000 saat
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true -
دعم RAID true -
دعم S.M.A.R.T true -
تقنية التشفير -
الحجم والأبعاد 100 x 69.8 x 6.8 مم M.2 (22 * 110 * 2 mm)
وزن المنتج 86 جرام (g) 14 g
مؤشر الحالة LED false -
خيارات الألوان - Black, Green

مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI828مع Samsung 860 Evo 250Gb

علامة تجارية غير معروفة VS سامسونغ
الميزة

قرص صلب داخلي AGI Technology AI828

Samsung 860 Evo 250Gb

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
سعة الذاكرة 2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية 7400 MB/s 550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 6700 MB/s 520 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 1500 1,500,000 ساعة (MTBF) / 150 تيرابايت مكتوبة (TBW)
الجهد التشغيلي 3.3 V -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 3.5 mm) 100 x 69.8 x 6.8 مم
وزن المنتج 7.5 g 86 جرام (g)
دعم S.M.A.R.T true true
دعم TRIM true true
الشهادات والتصديقات BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS -
تصميم وأبعاد الجهاز - 2.5 بوصة
وحدة التحكم -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM -
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ - false
دعم RAID - true
تقنية التشفير -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة كينغستون 7.68 تيرابايت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe SSD للمؤسساتمع Samsung 860 Evo 250Gb

الميزة

كينغستون 7.68 تيرابايت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe SSD للمؤسسات

Samsung 860 Evo 250Gb

تقنية التشفير Yes
سعة الذاكرة 7.68 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D eTLC
سرعة القراءة التسلسلية 14000 MB/s 550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 10000 MB/s 520 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 2800000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 500000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 2000000 saat 1,500,000 ساعة (MTBF) / 150 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد U.2 (69.8 * 100.5 * 14.8 mm) 100 x 69.8 x 6.8 مم
وزن المنتج 151.3 g 86 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 5.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز - 2.5 بوصة
وحدة التحكم -
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM -
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - true
دعم S.M.A.R.T - true
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة Samsung 860 Evo 250Gbمع Seagate FireCuda 120 محرك أقراص صلبة داخلي

الميزة

Samsung 860 Evo 250Gb

Seagate FireCuda 120 محرك أقراص صلبة داخلي

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين No
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة -
سعة الذاكرة 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D TLC
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 550 ميجابايت في الثانية (mb/s) 560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 520 ميجابايت في الثانية (mb/s) 540 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 100000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 90000 IOPS
ذاكرة DRAM true -
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 150 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1400
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true true
دعم RAID true -
دعم S.M.A.R.T true true
تقنية التشفير -
الحجم والأبعاد 100 x 69.8 x 6.8 مم 2.5" (70.1 * 100.3 * 7.1 mm)
وزن المنتج 86 جرام (g) 50 g
مؤشر الحالة LED false -
الشهادات والتصديقات - RoHS