مقارنة Samsung 860 EVO

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

$مقارنة Corsair Mp700 Pro Nvme M2 2Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 860 EVO$

مقارنة Corsair Mp700 Pro Nvme M2 2Tbمع Samsung 860 EVO

الميزة	Corsair Mp700 Pro Nvme M2 2Tb	Samsung 860 EVO
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة	2 تيرابايت (tb)	250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش		V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية	12400 ميجابايت في الثانية (mb/s)	550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	11800 ميجابايت في الثانية (mb/s)	520 MB/s
ذاكرة DRAM	false	-
العمر الافتراضي المتوسط	1,600,000 ساعة (MTBF) / 1400 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1500000 saat
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
الميزات الإضافية		-
وزن المنتج	30 جرام (g)	8 g
مؤشر الحالة LED	false	-
الحجم والأبعاد	-	M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 - 70 °C
تقنية التشفير	-	Yes

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة Samsung 860 EVO {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 960 Pro 1Tb$

مقارنة Samsung 860 EVOمع Samsung 960 Pro 1Tb

سامسونج VS سامسونغ

الميزة	Samsung 860 EVO	Samsung 960 Pro 1Tb
الحجم والأبعاد	M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)	2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج	8 g	8.5 جرام (g)
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III
سعة الذاكرة	250 GB	1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش	V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية	550 MB/s	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	520 MB/s	2100 ميجابايت في الثانية (mb/s)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط	1500000 saat	1,500,000 ساعة (MTBF) / 800 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم TRIM	true	true
دعم S.M.A.R.T	true	true
تقنية التشفير	Yes
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	true
نوع الذاكرة DRAM	-
استهلاك الطاقة	-
دعم NCQ	-	false
دعم RAID	-	false
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة Samsung 860 EVO {request()->input('language_config')['common']['with']} Western Digital Pc Sn530 Sdbptpz 256G Nvme M2 256Gb$

مقارنة Samsung 860 EVOمع Western Digital Pc Sn530 Sdbptpz 256G Nvme M2 256Gb

سامسونج VS ويسترن ديجيتال

الميزة	Samsung 860 EVO	Western Digital Pc Sn530 Sdbptpz 256G Nvme M2 256Gb
الحجم والأبعاد	M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)	2.38 * 22 * 30 مليمتر (mm)
وزن المنتج	8 g	3.2 جرام (g)
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III
سعة الذاكرة	250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش	V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية	550 MB/s	2400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	520 MB/s	950 ميجابايت في الثانية (mb/s)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط	1500000 saat	1,750,000 (MTBF) ساعة (h)
دعم TRIM	true	false
دعم S.M.A.R.T	true	false
تقنية التشفير	Yes	-
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	false
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
استهلاك الطاقة	-
دعم NCQ	-	false
دعم RAID	-	false
الميزات الإضافية	-
الشهادات والتصديقات	-
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة Asgard As2Ts3 S7 Sata 25 Inch 2Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 860 EVO$

مقارنة Asgard As2Ts3 S7 Sata 25 Inch 2Tbمع Samsung 860 EVO

أسغارد VS سامسونج

الميزة	Asgard As2Ts3 S7 Sata 25 Inch 2Tb	Samsung 860 EVO
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة	-
سعة الذاكرة	2 تيرابايت (tb)	250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش		V-NAND MLC
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	560 ميجابايت في الثانية (mb/s)	550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	460 ميجابايت في الثانية (mb/s)	520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	215 ميجابايت في الثانية (mb/s)	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	210 ميجابايت في الثانية (mb/s)	-
ذاكرة DRAM	false	-
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)	1500000 saat
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	true	-
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	false	true
الميزات الإضافية		-
الحجم والأبعاد	7 * 70 * 100 مليمتر (mm)	M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
مؤشر الحالة LED	false	-
وزن المنتج	-	8 g
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 - 70 °C
تقنية التشفير	-	Yes

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة Samsung 860 EVO {request()->input('language_config')['common']['with']} Western Digital Blue Wds100T2B0B Sata M2 1Tb$

مقارنة Samsung 860 EVOمع Western Digital Blue Wds100T2B0B Sata M2 1Tb

سامسونج VS بلو

الميزة	Samsung 860 EVO	Western Digital Blue Wds100T2B0B Sata M2 1Tb
الحجم والأبعاد	M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)	2.38 x 22 x 80 مم
وزن المنتج	8 g	7 جرام (g)
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III
سعة الذاكرة	250 GB	1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش	V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية	550 MB/s	560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	520 MB/s	530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط	1500000 saat	1,750,000 ساعة (MTTF) / 400 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم TRIM	true	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
تقنية التشفير	Yes	-
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-	95,000 عملية إدخال/إخراج في الثانية (IOPS)
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-	84,000 عملية إدخال/إخراج في الثانية (IOPS)
ذاكرة DRAM	-	false
استهلاك الطاقة	-
دعم NCQ	-	false
دعم RAID	-	false
الأنظمة المتوافقة	-	Windows الإصدار 7 والإصدارات الأحدث
الشهادات والتصديقات	-

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة Gudga 2280 Sata M2 128Gb {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 860 EVO$

مقارنة Gudga 2280 Sata M2 128Gbمع Samsung 860 EVO

جودغا VS سامسونج

الميزة	Gudga 2280 Sata M2 128Gb	Samsung 860 EVO
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة		250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش		V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية	580 ميجابايت في الثانية (mb/s)	550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	550 ميجابايت في الثانية (mb/s)	520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	false	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 إلى 70 درجة مئوية	0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط	1,000,000 ساعة (MTTF) / 45 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1500000 saat
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	false	true
الميزات الإضافية	مناسب لأجهزة الكمبيوتر المحمولة والمكتبية	-
الشهادات والتصديقات		-
الحجم والأبعاد	3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)	M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
وزن المنتج	82 جرام (g)	8 g
مؤشر الحالة LED	false	-
تقنية التشفير	-	Yes

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة Samsung 860 EVO {request()->input('language_config')['common']['with']} TwinMOS Hyper H2 Ultra SATA 2.5 بوصة بسعة 128 جيجابايت$

مقارنة Samsung 860 EVOمع TwinMOS Hyper H2 Ultra SATA 2.5 بوصة بسعة 128 جيجابايت

سامسونج VS توينموس

الميزة	Samsung 860 EVO	TwinMOS Hyper H2 Ultra SATA 2.5 بوصة بسعة 128 جيجابايت
الحجم والأبعاد	M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)	-
وزن المنتج	8 g	-
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III
سعة الذاكرة	250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش	V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية	550 MB/s	580 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	520 MB/s	550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	-
العمر الافتراضي المتوسط	1500000 saat	-
دعم TRIM	true	true
دعم S.M.A.R.T	true	true
تقنية التشفير	Yes	-
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-	2.5 بوصة
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-	120 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-	155 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	-	false
دعم NCQ	-	true
دعم RAID	-	true
الأنظمة المتوافقة	-	Windows / Mac OS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux kernel 2.4 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية	-	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / خوارزمية BBM لتحديد وإزالة أخطاء الوصول
خيارات الألوان	-	رمادي، ذهبي وردي

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة Geil Zenith R3 120Gb {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 860 EVO$

مقارنة Geil Zenith R3 120Gbمع Samsung 860 EVO

جيل VS سامسونج

الميزة	Geil Zenith R3 120Gb	Samsung 860 EVO
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة	-
سعة الذاكرة		250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش		V-NAND MLC
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	550 ميجابايت في الثانية (mb/s)	550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	490 ميجابايت في الثانية (mb/s)	520 MB/s
ذاكرة DRAM	false	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 إلى 70 درجة مئوية	0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط	2,000,000 (MTBF) ساعة (h)	1500000 saat
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	false	true
الميزات الإضافية		-
الحجم والأبعاد	7 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)	M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
مؤشر الحالة LED	false	-
وزن المنتج	-	8 g
تقنية التشفير	-	Yes

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة Apacer As340X Sata 25 Inch 480Gb {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 860 EVO$

مقارنة Apacer As340X Sata 25 Inch 480Gbمع Samsung 860 EVO

إيسر VS سامسونج

الميزة	Apacer As340X Sata 25 Inch 480Gb	Samsung 860 EVO
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة	-
سعة الذاكرة		250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش		V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية	550 ميجابايت في الثانية (mb/s)	550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	520 ميجابايت في الثانية (mb/s)	520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	false	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 280 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1500000 saat
دعم NCQ	true	-
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	false	true
الميزات الإضافية		-
الشهادات والتصديقات		-
الحجم والأبعاد	7 * 69.9 * 100 مليمتر (mm)	M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
مؤشر الحالة LED	true	-
وزن المنتج	-	8 g
تقنية التشفير	-	Yes

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة Adata Xpg Spectrix S40G Pcie M2 4Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 860 EVO$

مقارنة Adata Xpg Spectrix S40G Pcie M2 4Tbمع Samsung 860 EVO

أدا VS سامسونج

الميزة	Adata Xpg Spectrix S40G Pcie M2 4Tb	Samsung 860 EVO
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة	4 تيرابايت (tb)	250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش		V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	1900 ميجابايت في الثانية (mb/s)	520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	true	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط	2,000,000 ساعة (MTBF) / 2560 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1500000 saat
استهلاك الطاقة	0.33 واط في الوضع النشط / 0.14 واط في وضع الاستعداد	-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	false	true
تقنية التشفير		Yes
الميزات الإضافية		-
الشهادات والتصديقات		-
الحجم والأبعاد	8 * 22 * 80 مليمتر (mm)	M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
وزن المنتج	13.4 جرام (g)	8 g
مؤشر الحالة LED	false	-

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة Samsung 860 EVO {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 970 Evo Nvme M2 500Gb$

مقارنة Samsung 860 EVOمع Samsung 970 Evo Nvme M2 500Gb

سامسونج VS سامسونغ

الميزة	Samsung 860 EVO	Samsung 970 Evo Nvme M2 500Gb
الحجم والأبعاد	M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)	2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج	8 g	8 جرام (g)
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III
سعة الذاكرة	250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش	V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية	550 MB/s	3400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	520 MB/s	2300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط	1500000 saat	1,500,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم TRIM	true	true
دعم S.M.A.R.T	true	true
تقنية التشفير	Yes
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	true
نوع الذاكرة DRAM	-
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
استهلاك الطاقة	-
دعم NCQ	-	false
دعم RAID	-	false
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة Samsung 860 EVO {request()->input('language_config')['common']['with']} Teamgroup Mp33 Nvme M2 256Gb$

مقارنة Samsung 860 EVOمع Teamgroup Mp33 Nvme M2 256Gb

سامسونج VS إم جي

الميزة	Samsung 860 EVO	Teamgroup Mp33 Nvme M2 256Gb
الحجم والأبعاد	M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)	3.8 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	8 g	6 جرام (g)
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III
سعة الذاكرة	250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش	V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية	550 MB/s	1600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	520 MB/s	1000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط	1500000 saat	1,500,000 ساعة (MTBF) / 150 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم TRIM	true	true
دعم S.M.A.R.T	true	true
تقنية التشفير	Yes	-
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	false
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
دعم NCQ	-	false
دعم RAID	-	false
الأنظمة المتوافقة	-	Windows الإصدار 7 والإصدارات الأحدث / Linux Kernel 2.6.33 والإصدارات الأحدث
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة