صفحة 7 من المقارنة سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتامع Samsung PM1643a SATA 2.5 بوصة بسعة 3.84 تيرابايت

الميزة

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

Samsung PM1643a SATA 2.5 بوصة بسعة 3.84 تيرابايت

تقنية التشفير Yes -
دعم S.M.A.R.T true false
دعم TRIM true false
سعة الذاكرة 250 GB 3.84 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 550 MB/s 2100 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 520 MB/s 2000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 1500000 saat -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C -
الحجم والأبعاد M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm) -
وزن المنتج 8 g 160 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز - 2.5 بوصة
وحدة التحكم -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - false
دعم NCQ - false
دعم RAID - false
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتامع Silicon Power Ace A58 SATA M.2 بسعة 128 جيجابايت

الميزة

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

Silicon Power Ace A58 SATA M.2 بسعة 128 جيجابايت

تقنية التشفير Yes -
دعم S.M.A.R.T true true
دعم TRIM true true
سعة الذاكرة 250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 550 MB/s 460 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 520 MB/s 360 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 1500000 saat 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm) 7 * 69.9 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج 8 g 63 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز - 2.5 بوصة
ذاكرة DRAM - true
الجهد التشغيلي - 5 فولت (v)
دعم NCQ - true
دعم RAID - true
الميزات الإضافية - دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / تقنية Intel Smart Response / برنامج SP Toolbox
الشهادات والتصديقات -

مقارنة Crucial Mx500 500Gbمع سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

الميزة

Crucial Mx500 500Gb

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 560 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 510 ميجابايت في الثانية (mb/s) 520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 1,800,000 ساعة (MTBF) / 180 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1500000 saat
دعم NCQ false -
دعم TRIM true true
دعم RAID true -
دعم S.M.A.R.T true true
تقنية التشفير Yes
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد 7 * 22 * 80 مليمتر (mm) M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
وزن المنتج 5.3 جرام (g) 8 g
مؤشر الحالة LED false -

مقارنة سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتامع Samsung Pm981A Pcie M2 256Gb

الميزة

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

Samsung Pm981A Pcie M2 256Gb

تقنية التشفير Yes -
دعم S.M.A.R.T true false
دعم TRIM true true
سعة الذاكرة 250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 550 MB/s 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 520 MB/s 2200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 1500000 saat -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C -
الحجم والأبعاد M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm) 2.5 * 22.8 * 78.7 مليمتر (mm)
وزن المنتج 8 g 8 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - false
دعم NCQ - true
دعم RAID - true
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة Lexar Nm610 Pcie M2 250Gbمع سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

الميزة

Lexar Nm610 Pcie M2 250Gb

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 2000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 1200 ميجابايت في الثانية (mb/s) 520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 125 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1500000 saat
دعم NCQ false -
دعم TRIM false true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T false true
الميزات الإضافية -
الحجم والأبعاد 2.25 * 22 * 80 مليمتر (mm) M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
وزن المنتج 9 جرام (g) 8 g
مؤشر الحالة LED false -
تقنية التشفير - Yes

مقارنة Micron 3400 Nvme M2 512Gbمع سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

الميزة

Micron 3400 Nvme M2 512Gb

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 3753 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 2600 ميجابايت في الثانية (mb/s) 520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false -
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 (MTBF) ساعة (h) 1500000 saat
دعم NCQ false -
دعم RAID false -
وزن المنتج 476.9 جرام (g) 8 g
مؤشر الحالة LED false -
تقنية التشفير - Yes
دعم S.M.A.R.T - true
دعم TRIM - true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد - M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)

مقارنة Gloway Stryker Series Sata 25 Inch 480Gbمع سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

الميزة

Gloway Stryker Series Sata 25 Inch 480Gb

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة -
سعة الذاكرة 250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 460 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 350 ميجابايت في الثانية (mb/s) 520 MB/s
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 1,000,000 (MTBF) ساعة (h) 1500000 saat
استهلاك الطاقة 1.5 واط في الوضع النشط / 3 واط في وضع الاستعداد -
دعم NCQ true -
دعم TRIM true true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T false true
تقنية التشفير AES 128 و 256 بت Yes
الأنظمة المتوافقة Windows XP والإصدارات الأحدث / macOS / Linux -
الميزات الإضافية -
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد 7 * 69.85 * 100 مليمتر (mm) M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
وزن المنتج 100 جرام (g) 8 g
مؤشر الحالة LED false -

مقارنة Crucial Mx500 250Gbمع سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

الميزة

Crucial Mx500 250Gb

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 560 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 510 ميجابايت في الثانية (mb/s) 520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 1,800,000 ساعة (MTBF) / 100 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1500000 saat
دعم NCQ false -
دعم TRIM true true
دعم RAID true -
دعم S.M.A.R.T true true
تقنية التشفير Yes
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد 7 * 22 * 80 مليمتر (mm) M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
وزن المنتج 5.3 جرام (g) 8 g
مؤشر الحالة LED false -

مقارنة سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتامع Xpg Gammix S5 Pcie Gen3X4 M2 2280 256Gb

الميزة

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

Xpg Gammix S5 Pcie Gen3X4 M2 2280 256Gb

تقنية التشفير Yes -
دعم S.M.A.R.T true false
دعم TRIM true false
سعة الذاكرة 250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 550 MB/s 2100 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 520 MB/s 1200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 1500000 saat 2,000,000 ساعة (MTBF) / 150 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm) 3.7 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 8 g 11.2 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - false
استهلاك الطاقة - 0.33 واط في الوضع النشط / 0.14 واط في وضع الاستعداد
دعم NCQ - false
دعم RAID - false
الميزات الإضافية -
الشهادات والتصديقات -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة Asgard An3 Nvme M2 1Tbمع سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

الميزة

Asgard An3 Nvme M2 1Tb

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb) 250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 3300 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 520 MB/s
ذاكرة DRAM false -
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1500000 saat
دعم NCQ false -
دعم TRIM true true
دعم RAID true -
دعم S.M.A.R.T true true
الحجم والأبعاد 2.2 * 22 * 80 مليمتر (mm) M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
مؤشر الحالة LED false -
تقنية التشفير - Yes
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 - 70 °C
وزن المنتج - 8 g

مقارنة سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتامع Silicon Power P34A60 Nvme M2 512 Gb

الميزة

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

Silicon Power P34A60 Nvme M2 512 Gb

تقنية التشفير Yes -
دعم S.M.A.R.T true true
دعم TRIM true true
سعة الذاكرة 250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 550 MB/s 2200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 520 MB/s 1600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 1500000 saat 2,000,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm) 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 8 g 8 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - false
دعم NCQ - false
دعم RAID - true
الأنظمة المتوافقة - Windows 8.1 والإصدارات الأحدث
الشهادات والتصديقات -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة Crucial P1 Nvme M2 2Tbمع سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

الميزة

Crucial P1 Nvme M2 2Tb

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 2 تيرابايت (tb) 250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 2000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 1700 ميجابايت في الثانية (mb/s) 520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 1,800,000 ساعة (MTTF) / 400 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1500000 saat
دعم NCQ false -
دعم TRIM false true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T false true
الميزات الإضافية برنامج Acronis True Image -
الشهادات والتصديقات -
مؤشر الحالة LED false -
تقنية التشفير - Yes
الحجم والأبعاد - M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
وزن المنتج - 8 g