صفحة 6 من المقارنة إس إس دي داخلي سامسونج 850 PRO

تم إعداد 4 مقارنة لك في هذه الصفحة

$مقارنة إس إس دي داخلي سامسونج 850 PRO {request()->input('language_config')['common']['with']} Seagate FireCuda 120 محرك أقراص صلبة داخلي$

سامسونج VS سيجيت

الميزة	إس إس دي داخلي سامسونج 850 PRO	Seagate FireCuda 120 محرك أقراص صلبة داخلي
سعة الذاكرة	1 TB	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D MLC	3D TLC
سرعة القراءة التسلسلية	550 MB/s	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	520 MB/s	540 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	10000 IOPS	100000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	36000 IOPS	90000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	150	1400
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	32 - 158 °F	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm)	2.5" (70.1 * 100.3 * 7.1 mm)
خيارات الألوان	Siyah	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III	Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
دعم S.M.A.R.T	true	true
دعم TRIM	true	true
وزن المنتج	-	50 g
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-	No
الشهادات والتصديقات	-	RoHS

$مقارنة إس إس دي داخلي سامسونج 850 PRO {request()->input('language_config')['common']['with']} Seagate FireCuda 120 محرك أقراص صلبة داخلي$

سامسونج VS سيجيت

الميزة	إس إس دي داخلي سامسونج 850 PRO	Seagate FireCuda 120 محرك أقراص صلبة داخلي
سعة الذاكرة	1 TB	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D MLC	3D TLC
سرعة القراءة التسلسلية	550 MB/s	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	520 MB/s	540 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	10000 IOPS	100000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	36000 IOPS	90000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	150	1400
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	32 - 158 °F	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm)	2.5" (70.1 * 100.3 * 7.1 mm)
خيارات الألوان	Siyah	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III	Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
دعم S.M.A.R.T	true	true
دعم TRIM	true	true
وزن المنتج	-	50 g
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-	No
الشهادات والتصديقات	-	RoHS

$مقارنة إس إس دي داخلي سامسونج 850 PRO {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 990 Pro Nvme M2 4Tb$

سامسونج VS سامسونغ

الميزة	إس إس دي داخلي سامسونج 850 PRO	Samsung 990 Pro Nvme M2 4Tb
سعة الذاكرة	1 TB	4 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D MLC
سرعة القراءة التسلسلية	550 MB/s	7450 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	520 MB/s	6900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	10000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	36000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	150	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	32 - 158 °F
الحجم والأبعاد	2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm)	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)
خيارات الألوان	Siyah	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
دعم S.M.A.R.T	true	false
دعم TRIM	true	true
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
ذاكرة DRAM	-	true
دعم NCQ	-	false
دعم RAID	-	false
الميزات الإضافية	-
وزن المنتج	-	9 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	-	false

$مقارنة إس إس دي داخلي سامسونج 850 PRO {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونج 990 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2$

سامسونج VS سامسونج

الميزة	إس إس دي داخلي سامسونج 850 PRO	سامسونج 990 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2
سعة الذاكرة	1 TB	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D MLC	V-NAND TLC
سرعة القراءة التسلسلية	550 MB/s	5000 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	520 MB/s	4200 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	10000 IOPS	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	36000 IOPS	-
العمر الافتراضي المتوسط	150	600
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	32 - 158 °F	-
الحجم والأبعاد	2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm)	2280 (22 x 80 mm)
خيارات الألوان	Siyah	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III	PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
دعم S.M.A.R.T	true	true
دعم TRIM	true	true
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-	Yes
تقنية التشفير	-	Yes
الشهادات والتصديقات	-	Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA