صفحة 12 من المقارنة Samsung 850 Evo 500Gb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة Dahua C800A Sata 25 Inch 500Gbمع Samsung 850 Evo 500Gb

الميزة

Dahua C800A Sata 25 Inch 500Gb

Samsung 850 Evo 500Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة 2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 530 ميجابايت في الثانية (mb/s) 540 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 520 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM false true
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 200 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,500,000 ساعة (MTBF) / 150 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة
دعم NCQ false false
دعم TRIM true true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية -
الحجم والأبعاد 7 * 69.9 * 100.2 مليمتر (mm) 6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج 40 جرام (g) 54.4 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
وحدة التحكم -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
تقنية التشفير -

مقارنة Asus Rog Strix Arion Usb 32 Gen 2X1 512Gbمع Samsung 850 Evo 500Gb

الميزة

Asus Rog Strix Arion Usb 32 Gen 2X1 512Gb

Samsung 850 Evo 500Gb

نوع استخدام الذاكرة خارجي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
نوع الاتصال Type-C إلى Type-A من نوع USB 3.2 Gen 2 -
سعة الذاكرة
ذاكرة DRAM false true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 40 درجة مئوية
الجهد التشغيلي 5 فولت (v) -
دعم NCQ false false
دعم TRIM false true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T false true
الأنظمة المتوافقة ويندوز 7 وما فوق / Mac OS X 10.6 وما فوق / أندرويد (الأجهزة التي تدعم OTG) -
الميزات الإضافية سرعة نقل بيانات تصل إلى 10 جيجابت/ثانية / يدعم SSD بأحجام 2230/2242/2260/2280 / يتميز بحامل بخطاف على شكل حرف R لسهولة الحمل / إضاءة ARGB مع دعم ASUS Aura Sync و ROG Strix Arion -
مادة الهيكل ألومنيوم -
الحجم والأبعاد 10.9 * 47.7 * 124.5 مليمتر (mm) 6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج 98 جرام (g) 54.4 جرام (g)
مؤشر الحالة LED true false
محتويات العلبة كابل USB-C إلى USB-A / كابل USB-C إلى USB-C / دبوس إخراج / دليل المستخدم -
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
مواصفات ذاكرة الفلاش -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية - 540 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية - 520 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
نوع الذاكرة DRAM -
العمر الافتراضي المتوسط - 1,500,000 ساعة (MTBF) / 150 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة -
تقنية التشفير -

مقارنة Asus Vivobook 15 X1504Va Core I7 1355U Iris Xe 40Gb 512Gbمع Samsung 850 Evo 500Gb

الميزة

Asus Vivobook 15 X1504Va Core I7 1355U Iris Xe 40Gb 512Gb

Samsung 850 Evo 500Gb

الحجم والأبعاد 19.9 * 232.5 * 359.7 مليمتر (mm) 6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج 1.7 كيلوجرام (kg) 54.4 جرام (g)
المعالج (CPU) -
جيل المعالج (CPU) -
تردد تشغيل المعالج -
حجم ذاكرة التخزين المؤقت -
تفاصيل المعالج معالجات Core i7 من الجيل الثالث عشر / 10 أنوية / 12 خيطًا / λιθογραφيا 10 نانومتر -
الرسومات المدمجة مع المعالج -
سعة الذاكرة RAM -
نوع الذاكرة العشوائية (RAM) -
سعة التخزين -
نوع التخزين -
تفاصيل الذاكرة الداخلية -
حجم العرض 15.6 بوصة -
دقة العرض FHD - 1920×1080 -
معدل تحديث الصورة 60 هرتز (hz) -
نوع طلاء الشاشة غير لامع (مات) -
ميزة الشاشة التي تعمل باللمس false -
منفذ الإيثرنت false -
ميزة الشبكة اللاسلكية true -
دعم البلوتوث true -
منفذ VGA false -
HDMI true -
منفذ DVI false -
منفذ USB Type C true -
دعم Thunderbolt false -
وجود مدخل سماعة الرأس/الميكروفون true -
حجم وسعة البطارية بطارية ثلاثية الخلايا بسعة 42 واط/ساعة -
محرك بصري (Optical Drive) false -
كاميرا الويب (Webcam) true -
لوحة مفاتيح بإضاءة خلفية (Backlit Keyboard) true -
مستشعر بصمة الإصبع true -
قارئ بطاقة true -
نوع مكبر الصوت مكبرات صوت ستيريو داخلية -
نوع استخدام الذاكرة - داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة -
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز - 2.5 بوصة
سعة الذاكرة -
مواصفات ذاكرة الفلاش -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية - 540 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية - 520 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
العمر الافتراضي المتوسط - 1,500,000 ساعة (MTBF) / 150 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - true
تقنية التشفير -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة Samsung 850 Evo 500Gbمع Verity Ascend S601 Sata 2 5 Inch 512Gb

الميزة

Samsung 850 Evo 500Gb

Verity Ascend S601 Sata 2 5 Inch 512Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة 2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 540 ميجابايت في الثانية (mb/s) 480 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 520 ميجابايت في الثانية (mb/s) 420 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM true false
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 150 تيرابايت مكتوبة (TBW) -
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false false
دعم TRIM true true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true false
تقنية التشفير -
الحجم والأبعاد 6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm) -
وزن المنتج 54.4 جرام (g) -
مؤشر الحالة LED false false
الأنظمة المتوافقة - Windows XP والإصدارات الأحدث / macOS / Linux

مقارنة Samsung 850 Evo 500Gbمع Western Digital Blue Sn550 Nvme M2 500Gb

الميزة

Samsung 850 Evo 500Gb

Western Digital Blue Sn550 Nvme M2 500Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية 540 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 520 ميجابايت في الثانية (mb/s) 1750 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM true false
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 150 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,700,000 ساعة (MTTF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة
دعم NCQ false false
دعم TRIM true true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true true
تقنية التشفير -
الحجم والأبعاد 6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm) 2.38 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 54.4 جرام (g) 6.5 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false -
الميزات الإضافية -
الشهادات والتصديقات -

مقارنة Samsung 850 Evo 500Gbمع Samsung Mzplj3T2Hbjr 00007 Pm1735 3 2Tb

الميزة

Samsung 850 Evo 500Gb

Samsung Mzplj3T2Hbjr 00007 Pm1735 3 2Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة 3.2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 540 ميجابايت في الثانية (mb/s) 8000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 520 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3800 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM true false
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 150 تيرابايت مكتوبة (TBW) -
استهلاك الطاقة
دعم NCQ false false
دعم TRIM true false
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true false
تقنية التشفير -
الحجم والأبعاد 6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm) -
وزن المنتج 54.4 جرام (g) -
مؤشر الحالة LED false -
الميزات الإضافية -

مقارنة Msi Spatium M461 Nvme M2 1Tbمع Samsung 850 Evo 500Gb

الميزة

Msi Spatium M461 Nvme M2 1Tb

Samsung 850 Evo 500Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية 5000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 540 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 3200 ميجابايت في الثانية (mb/s) 520 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 250 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,500,000 ساعة (MTBF) / 150 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة
دعم NCQ false false
دعم TRIM true true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية خوارزمية تصحيح الخطأ المتقدمة LDPC ECC / حماية البيانات من طرف إلى طرف (E2E) أثناء النقل / ميزة Pyrite لتشفير وأمن البيانات -
الحجم والأبعاد 2.15 * 22 * 80 مليمتر (mm) 6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED false false
نوع الذاكرة DRAM -
تقنية التشفير -
وزن المنتج - 54.4 جرام (g)

مقارنة Samsung 850 Evo 500Gbمع WD_Black SN7100 2TB NVMe SSD

الميزة

Samsung 850 Evo 500Gb

WD_Black SN7100 2TB NVMe SSD

نوع استخدام الذاكرة داخلي ألعاب؛ لابتوب
منفذ الاتصال بالذاكرة M.2
تفاصيل الاتصال بالتخزين PCIe Gen4 x4؛ NVMe
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة عامل شكل M.2 2280
سعة الذاكرة 2 تيرابايت
مواصفات ذاكرة الفلاش TLC 3D NAND
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 540 ميجابايت في الثانية (mb/s) 7,250 ميجابايت/ثانية
سرعة الكتابة التسلسلية 520 ميجابايت في الثانية (mb/s) 6,900 ميجابايت/ثانية
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM true -
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 150 تيرابايت مكتوبة (TBW) -
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true -
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true -
تقنية التشفير -
الحجم والأبعاد 6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm) M.2 2280
وزن المنتج 54.4 جرام (g) -
مؤشر الحالة LED false -
نوع الاتصال - M.2 NVMe PCIe Gen4
الأنظمة المتوافقة - Windows (لوظيفة لوحة التحكم)
الميزات الإضافية - برنامج WD_BLACK Dashboard (Windows فقط)؛ كفاءة طاقة أعلى بنسبة تصل إلى 100% مقارنة بالجيل السابق؛ أداء أسرع بنسبة تصل إلى 35% مقارنة بالجيل السابق

مقارنة Adata Ultimate Su800 M2 512Gbمع Samsung 850 Evo 500Gb

الميزة

Adata Ultimate Su800 M2 512Gb

Samsung 850 Evo 500Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية 550 ميجابايت في الثانية (mb/s) 540 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 520 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM true true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 ساعة (MTTF) / 400 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,500,000 ساعة (MTBF) / 150 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ true false
دعم TRIM true true
دعم RAID true false
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية -
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm) 6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج 8 جرام (g) 54.4 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
نوع الذاكرة DRAM -
استهلاك الطاقة -
تقنية التشفير -

مقارنة Samsung 850 Evo 500Gbمع Twinmos Hyper H2 Ultra Sata 2 5 Inch 512Gb

الميزة

Samsung 850 Evo 500Gb

Twinmos Hyper H2 Ultra Sata 2 5 Inch 512Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة 2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية 540 ميجابايت في الثانية (mb/s) 580 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 520 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 120 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 155 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM true false
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 150 تيرابايت مكتوبة (TBW) -
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false true
دعم TRIM true true
دعم RAID false true
دعم S.M.A.R.T true true
تقنية التشفير -
الحجم والأبعاد 6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm) -
وزن المنتج 54.4 جرام (g) -
مؤشر الحالة LED false -
الأنظمة المتوافقة - Windows / Mac OS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux kernel 2.4 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية - إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / خوارزمية BBM لتحديد وإزالة أخطاء الوصول
خيارات الألوان - رمادي، ذهبي وردي

مقارنة Samsung 850 Evo 500Gbمع Xpg Sx6000 Pro Pcie Gen3X4 M2 2280 256Gb

الميزة

Samsung 850 Evo 500Gb

Xpg Sx6000 Pro Pcie Gen3X4 M2 2280 256Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية 540 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2100 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 520 ميجابايت في الثانية (mb/s) 1200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM true false
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 150 تيرابايت مكتوبة (TBW) 2,000,000 ساعة (MTBF) / 150 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة
دعم NCQ false false
دعم TRIM true true
دعم RAID false true
دعم S.M.A.R.T true true
تقنية التشفير -
الحجم والأبعاد 6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm) 2.15 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 54.4 جرام (g) 8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
الميزات الإضافية -
الشهادات والتصديقات -

مقارنة Hp Ex950 Nvme M2 2Tbمع Samsung 850 Evo 500Gb

الميزة

Hp Ex950 Nvme M2 2Tb

Samsung 850 Evo 500Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة 2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 540 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 2900 ميجابايت في الثانية (mb/s) 520 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM true true
نوع الذاكرة DRAM
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 ساعة (MTBF) / 1400 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,500,000 ساعة (MTBF) / 150 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة 6.93 واط في الوضع النشط / 0.73 واط في وضع الخمول
دعم NCQ true false
دعم TRIM true true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true true
الأنظمة المتوافقة Windows -
الميزات الإضافية -
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد 3.8 * 22 * 80 مليمتر (mm) 6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج 5.4 جرام (g) 54.4 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
تقنية التشفير -