صفحة 9 من المقارنة Samsung 750EVO SATA 2.5 بوصة بسعة 120 جيجابايت

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة Msi Spatium M570 Hs Nvme M2 2Tbمع Samsung 750EVO SATA 2.5 بوصة بسعة 120 جيجابايت

الميزة	Msi Spatium M570 Hs Nvme M2 2Tb	Samsung 750EVO SATA 2.5 بوصة بسعة 120 جيجابايت
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز		2.5 بوصة
سعة الذاكرة	2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية	10000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	540 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	10000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	520 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	true	true
نوع الذاكرة DRAM	DDR4 مع ذاكرة تخزين مؤقت 4 جيجابايت
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط	1,600,000 ساعة (MTBF) / 1400 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1,500,000 ساعة (MTBF) / 35 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة	أقصى استهلاك 11 واط عند الاستخدام
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
الميزات الإضافية	خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E)	-
الحجم والأبعاد	3.5 x 22 x 80 مم (بدون مبدد حراري) / 20.4 x 23 x 80.4 مم (مع مبدد حراري)	6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED	false	false
تقنية التشفير	-
وزن المنتج	-	45 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Samsung 750EVO SATA 2.5 بوصة بسعة 120 جيجابايتمع Silicon Power PC60 USB 3.2 بسعة 1.92 تيرابايت

سامسونغ VS سيلكون باور

الميزة	Samsung 750EVO SATA 2.5 بوصة بسعة 120 جيجابايت	Silicon Power PC60 USB 3.2 بسعة 1.92 تيرابايت
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	خارجي
منفذ الاتصال بالذاكرة		-
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة	2.5 بوصة
سعة الذاكرة		1.92 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	540 ميجابايت في الثانية (mb/s)	540 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	520 ميجابايت في الثانية (mb/s)	500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	true	false
نوع الذاكرة DRAM		-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 35 تيرابايت مكتوبة (TBW)	-
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	true	false
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	false
تقنية التشفير		-
الحجم والأبعاد	6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)	11.2 * 80 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	45 جرام (g)	46 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	false	false
نوع الاتصال	-	Type-C إلى Type-A من نوع USB 3.2 Gen 2
الأنظمة المتوافقة	-	Windows 7 والإصدارات الأحدث / Mac OS الإصدار 10.3 والإصدارات الأحدث / Linux kernel 2.6 والإصدارات الأحدث / Android 6 والإصدارات الأحدث
الشهادات والتصديقات	-
مادة الهيكل	-	بلاستيك
محتويات العلبة	-	كابل USB Type-C إلى USB Type-A

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Samsung 750EVO SATA 2.5 بوصة بسعة 120 جيجابايتمع Team Group MP33 NVMe M.2 بسعة 128 جيجابايت

سامسونغ VS إم جي

الميزة	Samsung 750EVO SATA 2.5 بوصة بسعة 120 جيجابايت	Team Group MP33 NVMe M.2 بسعة 128 جيجابايت
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية	540 ميجابايت في الثانية (mb/s)	1500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	520 ميجابايت في الثانية (mb/s)	500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	true	false
نوع الذاكرة DRAM		-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 35 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1,500,000 ساعة (MTBF) / 75 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
تقنية التشفير		-
الحجم والأبعاد	6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)	3.8 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	45 جرام (g)	6 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	false	-
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
الأنظمة المتوافقة	-	Windows الإصدار 7 والإصدارات الأحدث / Linux Kernel 2.6.33 والإصدارات الأحدث

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Samsung 750EVO SATA 2.5 بوصة بسعة 120 جيجابايتمع Team Group L3 EVO SATA 2.5 بوصة بسعة 240 جيجابايت

سامسونغ VS إم جي

الميزة	Samsung 750EVO SATA 2.5 بوصة بسعة 120 جيجابايت	Team Group L3 EVO SATA 2.5 بوصة بسعة 240 جيجابايت
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة	2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	540 ميجابايت في الثانية (mb/s)	530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	520 ميجابايت في الثانية (mb/s)	470 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	true	false
نوع الذاكرة DRAM		-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 35 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1,000,000 ساعة (MTBF) / 60 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
تقنية التشفير		-
الحجم والأبعاد	6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)	7 * 69.9 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج	45 جرام (g)	115 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	false	false
الجهد التشغيلي	-	5 فولت (v)
الأنظمة المتوافقة	-	Windows الإصدار 7 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.4 والإصدارات الأحدث / Linux Kernel 2.6.33 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية	-

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Samsung 750EVO SATA 2.5 بوصة بسعة 120 جيجابايتمع Samsung PM893 SATA 2.5 بوصة بسعة 480 جيجابايت

سامسونغ VS سامسونغ

الميزة	Samsung 750EVO SATA 2.5 بوصة بسعة 120 جيجابايت	Samsung PM893 SATA 2.5 بوصة بسعة 480 جيجابايت
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة	2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية	540 ميجابايت في الثانية (mb/s)	550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	520 ميجابايت في الثانية (mb/s)	520 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	true	false
نوع الذاكرة DRAM		-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 35 تيرابايت مكتوبة (TBW)	2,000,000 (MTBF) ساعة (h)
استهلاك الطاقة
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
تقنية التشفير
الحجم والأبعاد	6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)	6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج	45 جرام (g)	70 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	false	false
الجهد التشغيلي	-	5 فولت (v)
الميزات الإضافية	-

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Samsung 750EVO SATA 2.5 بوصة بسعة 120 جيجابايتمع Toshiba Canvio Basic USB 3.2 بسعة 4 تيرابايت

سامسونغ VS توشيبا

الميزة	Samsung 750EVO SATA 2.5 بوصة بسعة 120 جيجابايت	Toshiba Canvio Basic USB 3.2 بسعة 4 تيرابايت
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	-
منفذ الاتصال بالذاكرة		-
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة	-
سعة الذاكرة		-
مواصفات ذاكرة الفلاش		-
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	540 ميجابايت في الثانية (mb/s)	-
سرعة الكتابة التسلسلية	520 ميجابايت في الثانية (mb/s)	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	true	-
نوع الذاكرة DRAM		-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		-
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 35 تيرابايت مكتوبة (TBW)	-
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	-
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	-
تقنية التشفير		-
الحجم والأبعاد	6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)	-
وزن المنتج	45 جرام (g)	-
مؤشر الحالة LED	false	-

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Samsung 750EVO SATA 2.5 بوصة بسعة 120 جيجابايتمع Silicon Power M55 SATA M.2 بسعة 240 جيجابايت

سامسونغ VS سيلكون باور

الميزة	Samsung 750EVO SATA 2.5 بوصة بسعة 120 جيجابايت	Silicon Power M55 SATA M.2 بسعة 240 جيجابايت
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	540 ميجابايت في الثانية (mb/s)	560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	520 ميجابايت في الثانية (mb/s)	530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	true	false
نوع الذاكرة DRAM		-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 35 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	true
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	true
دعم S.M.A.R.T	true	true
تقنية التشفير		-
الحجم والأبعاد	6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)	3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	45 جرام (g)	8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	false	false
الميزات الإضافية	-	دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / تقنية Intel Smart Response / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / خوارزمية BBM لتحديد وإزالة أخطاء الوصول / برنامج SP Toolbox

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Samsung 750EVO SATA 2.5 بوصة بسعة 120 جيجابايتمع Samsung PM991a NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

سامسونغ VS سامسونغ

الميزة	Samsung 750EVO SATA 2.5 بوصة بسعة 120 جيجابايت	Samsung PM991a NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	540 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3100 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	520 ميجابايت في الثانية (mb/s)	1800 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	true	false
نوع الذاكرة DRAM		-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		-
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 35 تيرابايت مكتوبة (TBW)	-
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	true	false
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	false
تقنية التشفير		-
الحجم والأبعاد	6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)	-
وزن المنتج	45 جرام (g)	-
مؤشر الحالة LED	false	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Samsung 750EVO SATA 2.5 بوصة بسعة 120 جيجابايتمع Silicon Power PC60 USB 3.2 بسعة 960 جيجابايت

سامسونغ VS سيلكون باور

الميزة	Samsung 750EVO SATA 2.5 بوصة بسعة 120 جيجابايت	Silicon Power PC60 USB 3.2 بسعة 960 جيجابايت
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	خارجي
منفذ الاتصال بالذاكرة		-
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة	2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	540 ميجابايت في الثانية (mb/s)	540 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	520 ميجابايت في الثانية (mb/s)	500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	true	false
نوع الذاكرة DRAM		-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 35 تيرابايت مكتوبة (TBW)	-
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	true	false
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	false
تقنية التشفير		-
الحجم والأبعاد	6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)	11.2 * 80 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	45 جرام (g)	46 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	false	false
نوع الاتصال	-	Type-C إلى Type-A من نوع USB 3.2 Gen 2
الأنظمة المتوافقة	-	Windows 7 والإصدارات الأحدث / Mac OS الإصدار 10.3 والإصدارات الأحدث / Linux kernel 2.6 والإصدارات الأحدث / Android 6 والإصدارات الأحدث
الشهادات والتصديقات	-
مادة الهيكل	-	بلاستيك
محتويات العلبة	-	كابل USB Type-C إلى USB Type-A

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Samsung 750EVO SATA 2.5 بوصة بسعة 120 جيجابايتمع ويسترن ديجيتال Black SN750 NVMe M.2 سعة 2 تيرابايت

سامسونغ VS ويسترن ديجيتال

الميزة	Samsung 750EVO SATA 2.5 بوصة بسعة 120 جيجابايت	ويسترن ديجيتال Black SN750 NVMe M.2 سعة 2 تيرابايت
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة
سعة الذاكرة		2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية	540 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	520 ميجابايت في الثانية (mb/s)	2900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	true	true
نوع الذاكرة DRAM
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 35 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1,750,000 ساعة (MTTF) / 1200 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	true	false
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	false
تقنية التشفير		-
الحجم والأبعاد	6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)	2.38 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	45 جرام (g)	7.5 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	false	false
الميزات الإضافية	-	برنامج WD Black SSD Dashboard مع دعم وضع الألعاب
الشهادات والتصديقات	-

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Samsung 750EVO SATA 2.5 بوصة بسعة 120 جيجابايتمع Samsung PM9B1 NVMe M.2 2242 بسعة 256 جيجابايت

سامسونغ VS سامسونغ

الميزة	Samsung 750EVO SATA 2.5 بوصة بسعة 120 جيجابايت	Samsung PM9B1 NVMe M.2 2242 بسعة 256 جيجابايت
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش		-
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	540 ميجابايت في الثانية (mb/s)	2400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	520 ميجابايت في الثانية (mb/s)	940 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	true	false
نوع الذاكرة DRAM		-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 35 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1,750,000 (MTTF) ساعة (h)
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	-
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	-
تقنية التشفير		-
الحجم والأبعاد	6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)	2.3 * 22 * 42 مليمتر (mm)
وزن المنتج	45 جرام (g)	3.9 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	false	false
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Samsung 750EVO SATA 2.5 بوصة بسعة 120 جيجابايتمع فيكومان VC500 SATA 2.5 بوصة سعة 512 جيجابايت

سامسونغ VS فيكومان

الميزة	Samsung 750EVO SATA 2.5 بوصة بسعة 120 جيجابايت	فيكومان VC500 SATA 2.5 بوصة سعة 512 جيجابايت
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة	2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	540 ميجابايت في الثانية (mb/s)	550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	520 ميجابايت في الثانية (mb/s)	450 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	true	false
نوع الذاكرة DRAM		-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		-
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 35 تيرابايت مكتوبة (TBW)	2,000,000 (MTBF) ساعة (h)
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
تقنية التشفير		-
الحجم والأبعاد	6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)	7 * 70 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج	45 جرام (g)	55 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	false	false
الميزات الإضافية	-	خوارزمية تصحيح الخطأ (ECC) / خاصية Wear Leveling لإطالة عمر الذاكرة / دعم خوارزمية GC للاستخدام الأمثل لمساحة الذاكرة

عرض تفاصيل المقارنة