صفحة 6 من المقارنة Samsung 750EVO SATA 2.5 بوصة بسعة 120 جيجابايت

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة Samsung 750EVO SATA 2.5 بوصة بسعة 120 جيجابايتمع Transcend 110S NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت

الميزة

Samsung 750EVO SATA 2.5 بوصة بسعة 120 جيجابايت

Transcend 110S NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية 540 ميجابايت في الثانية (mb/s) 1600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 520 ميجابايت في الثانية (mb/s) 1100 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM true false
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 35 تيرابايت مكتوبة (TBW) 2,000,000 ساعة (MTBF) / 100 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false false
دعم TRIM true true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true true
تقنية التشفير -
الحجم والأبعاد 6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm) 3.58 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 45 جرام (g) 8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
الجهد التشغيلي -
الأنظمة المتوافقة - Windows الإصدار 7 والإصدارات الأحدث / Linux Kernel 2.6.31 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية - خوارزمية تصحيح الخطأ (ECC) / خوارزمية LDPC المتقدمة لتصحيح الأخطاء / دعم خوارزمية GC للاستخدام الأمثل لمساحة الذاكرة / برنامج Transcend SSD Scope
الشهادات والتصديقات -

مقارنة Samsung 750EVO SATA 2.5 بوصة بسعة 120 جيجابايتمع Team Group MP34 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت

الميزة

Samsung 750EVO SATA 2.5 بوصة بسعة 120 جيجابايت

Team Group MP34 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية 540 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 520 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM true true
نوع الذاكرة DRAM
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 35 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,800,000 ساعة (MTBF) / 1,660 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false false
دعم TRIM true false
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true true
تقنية التشفير
الحجم والأبعاد 6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm) 3.8 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 45 جرام (g) 6 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
الأنظمة المتوافقة - Windows الإصدار Vista والإصدارات الأحدث / Linux Kernel 2.6.33 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية -

مقارنة Samsung 750EVO SATA 2.5 بوصة بسعة 120 جيجابايتمع Samsung PM883 SATA 2.5 بوصة بسعة 240 جيجابايت

الميزة

Samsung 750EVO SATA 2.5 بوصة بسعة 120 جيجابايت

Samsung PM883 SATA 2.5 بوصة بسعة 240 جيجابايت

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة 2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 540 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 520 ميجابايت في الثانية (mb/s) 520 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM true false
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 35 تيرابايت مكتوبة (TBW) -
استهلاك الطاقة 1.3 واط في وضع الخمول / 2.7 واط في الوضع النشط
دعم NCQ false false
دعم TRIM true false
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true false
تقنية التشفير -
الحجم والأبعاد 6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm) -
وزن المنتج 45 جرام (g) -
مؤشر الحالة LED false false
الميزات الإضافية - إمكانية التشغيل على مدار 24 ساعة

مقارنة Samsung 750EVO SATA 2.5 بوصة بسعة 120 جيجابايتمع Silicon Power P34A80 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت

الميزة

Samsung 750EVO SATA 2.5 بوصة بسعة 120 جيجابايت

Silicon Power P34A80 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية 540 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 520 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM true true
نوع الذاكرة DRAM
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 35 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1655 (TBW) تيرابايت (tb)
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false false
دعم TRIM true true
دعم RAID false true
دعم S.M.A.R.T true true
تقنية التشفير -
الحجم والأبعاد 6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm) 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 45 جرام (g) 8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
الأنظمة المتوافقة - Windows 8.1 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية -
الشهادات والتصديقات -

مقارنة Samsung 750EVO SATA 2.5 بوصة بسعة 120 جيجابايتمع Samsung 750EVO SATA 2.5 بوصة بسعة 250 جيجابايت

الميزة

Samsung 750EVO SATA 2.5 بوصة بسعة 120 جيجابايت

Samsung 750EVO SATA 2.5 بوصة بسعة 250 جيجابايت

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة 2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية 540 ميجابايت في الثانية (mb/s) 540 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 520 ميجابايت في الثانية (mb/s) 520 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM true true
نوع الذاكرة DRAM
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 35 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,500,000 ساعة (MTBF) / 70 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة
دعم NCQ false false
دعم TRIM true true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true true
تقنية التشفير
الحجم والأبعاد 6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm) 6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج 45 جرام (g) 45 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false

مقارنة Samsung 750EVO SATA 2.5 بوصة بسعة 120 جيجابايتمع TwinMOS SATA M.2 بسعة 128 جيجابايت

الميزة

Samsung 750EVO SATA 2.5 بوصة بسعة 120 جيجابايت

TwinMOS SATA M.2 بسعة 128 جيجابايت

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية 540 ميجابايت في الثانية (mb/s) 580 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 520 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM true false
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 35 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,500,000 ساعة (MTBF) / 125 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false false
دعم TRIM true true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true true
تقنية التشفير -
الحجم والأبعاد 6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm) 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 45 جرام (g) 10 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
الأنظمة المتوافقة - Windows XP والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية -
الشهادات والتصديقات -

مقارنة Samsung 750EVO SATA 2.5 بوصة بسعة 120 جيجابايتمع Silicon Power Ace A58 SATA M.2 بسعة 128 جيجابايت

الميزة

Samsung 750EVO SATA 2.5 بوصة بسعة 120 جيجابايت

Silicon Power Ace A58 SATA M.2 بسعة 128 جيجابايت

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة 2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 540 ميجابايت في الثانية (mb/s) 460 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 520 ميجابايت في الثانية (mb/s) 360 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM true true
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 35 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false true
دعم TRIM true true
دعم RAID false true
دعم S.M.A.R.T true true
تقنية التشفير -
الحجم والأبعاد 6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm) 7 * 69.9 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج 45 جرام (g) 63 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false -
الجهد التشغيلي - 5 فولت (v)
الميزات الإضافية - دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / تقنية Intel Smart Response / برنامج SP Toolbox
الشهادات والتصديقات -

مقارنة Samsung 750EVO SATA 2.5 بوصة بسعة 120 جيجابايتمع ويسترن ديجيتال PC SN530 M.2 2280 سعة 256 جيجابايت

الميزة

Samsung 750EVO SATA 2.5 بوصة بسعة 120 جيجابايت

ويسترن ديجيتال PC SN530 M.2 2280 سعة 256 جيجابايت

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 540 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 520 ميجابايت في الثانية (mb/s) 950 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM true false
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 35 تيرابايت مكتوبة (TBW) 200 (TBW) تيرابايت (tb)
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false false
دعم TRIM true false
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true false
تقنية التشفير -
الحجم والأبعاد 6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm) 2.38 * 22 * 30 مليمتر (mm)
وزن المنتج 45 جرام (g) 7.5 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
الشهادات والتصديقات -

مقارنة Samsung 750EVO SATA 2.5 بوصة بسعة 120 جيجابايتمع Team Group T-Force CARDEA II NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

الميزة

Samsung 750EVO SATA 2.5 بوصة بسعة 120 جيجابايت

Team Group T-Force CARDEA II NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية 540 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 520 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM true true
نوع الذاكرة DRAM
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 35 تيرابايت مكتوبة (TBW) 2,000,000 ساعة (MTBF) / 800 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false false
دعم TRIM true true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true true
تقنية التشفير -
الحجم والأبعاد 6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm) 12.9 * 23.4 * 80.1 مليمتر (mm)
وزن المنتج 45 جرام (g) 45 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
الأنظمة المتوافقة - Windows الإصدار Vista والإصدارات الأحدث / Linux Kernel 2.6.33 والإصدارات الأحدث

مقارنة Samsung 750EVO SATA 2.5 بوصة بسعة 120 جيجابايتمع Silicon Power P34A80 NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

الميزة

Samsung 750EVO SATA 2.5 بوصة بسعة 120 جيجابايت

Silicon Power P34A80 NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية 540 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 520 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM true true
نوع الذاكرة DRAM
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 35 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1655 (TBW) تيرابايت (tb)
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false false
دعم TRIM true true
دعم RAID false true
دعم S.M.A.R.T true true
تقنية التشفير -
الحجم والأبعاد 6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm) 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 45 جرام (g) 8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
الأنظمة المتوافقة - Windows 8.1 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية -
الشهادات والتصديقات -

مقارنة Samsung 750EVO SATA 2.5 بوصة بسعة 120 جيجابايتمع Samsung 983 DCT NVMe M.2 بسعة 960 جيجابايت

الميزة

Samsung 750EVO SATA 2.5 بوصة بسعة 120 جيجابايت

Samsung 983 DCT NVMe M.2 بسعة 960 جيجابايت

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية 540 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 520 ميجابايت في الثانية (mb/s) 1200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM true true
نوع الذاكرة DRAM
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 35 تيرابايت مكتوبة (TBW) 2,000,000 ساعة (MTBF) / 1366 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة 8 واط في الوضع النشط / 2.6 واط في وضع الخمول
دعم NCQ false false
دعم TRIM true true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true true
تقنية التشفير
الحجم والأبعاد 6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm) 110.2 x 22 x 38 مم
وزن المنتج 45 جرام (g) 20 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false -
الشهادات والتصديقات -

مقارنة Samsung 750EVO SATA 2.5 بوصة بسعة 120 جيجابايتمع Team Group MP34 NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت

الميزة

Samsung 750EVO SATA 2.5 بوصة بسعة 120 جيجابايت

Team Group MP34 NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية 540 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2700 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 520 ميجابايت في الثانية (mb/s) 850 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM true true
نوع الذاكرة DRAM
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 35 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,800,000 ساعة (MTBF) / 380 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false false
دعم TRIM true false
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true true
تقنية التشفير
الحجم والأبعاد 6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm) 3.8 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 45 جرام (g) 6 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
الأنظمة المتوافقة - Windows الإصدار Vista والإصدارات الأحدث / Linux Kernel 2.6.33 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية -