مقارنة Samsung 750EVO SATA 2.5 بوصة بسعة 120 جيجابايت

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة Samsung 750EVO SATA 2.5 بوصة بسعة 120 جيجابايتمع

الميزة	Samsung 750EVO SATA 2.5 بوصة بسعة 120 جيجابايت
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة		M.2
تفاصيل الاتصال بالتخزين		NVMe PCIe Gen4 x4
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة	عامل شكل M.2 2280
سعة الذاكرة		-
مواصفات ذاكرة الفلاش		Micron G8 NAND
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	540 ميجابايت في الثانية (mb/s)	تصل إلى 7,100 ميجابايت/ثانية
سرعة الكتابة التسلسلية	520 ميجابايت في الثانية (mb/s)	تصل إلى 6,000 ميجابايت/ثانية
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	true	-
نوع الذاكرة DRAM		-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		-
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 35 تيرابايت مكتوبة (TBW)	-
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	-
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	-
تقنية التشفير		-
الحجم والأبعاد	6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)	M.2 2280
وزن المنتج	45 جرام (g)	-
مؤشر الحالة LED	false	-
نوع الاتصال	-	PCIe Gen4 NVMe
الأنظمة المتوافقة	-	Windows، أجهزة الكمبيوتر المحمولة، أجهزة الكمبيوتر المكتبية، وحدات تحكم الألعاب المحمولة المختارة (ROG Ally X، Lenovo Legion Go، AYANEO Kun)
الميزات الإضافية	-	برنامج استعادة بيانات Acronis، التحكم الحراري
محتويات العلبة	-	ترخيص/مفتاح برنامج استعادة بيانات Acronis

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Samsung 750EVO SATA 2.5 بوصة بسعة 120 جيجابايتمع

سامسونغ VS سامسونغ

الميزة	Samsung 750EVO SATA 2.5 بوصة بسعة 120 جيجابايت
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	SSD داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة		M.2 2280
تفاصيل الاتصال بالتخزين		PCIe 4.0 x4 NVMe
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة	عامل شكل M.2 2280
سعة الذاكرة		1 تيرابايت
مواصفات ذاكرة الفلاش		Samsung V-NAND
وحدة التحكم		Samsung Elpis Controller
سرعة القراءة التسلسلية	540 ميجابايت في الثانية (mb/s)	تصل إلى 7,450 ميجابايت/ثانية
سرعة الكتابة التسلسلية	520 ميجابايت في الثانية (mb/s)	تصل إلى 6,900 ميجابايت/ثانية
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		تصل إلى 1,400 ألف عملية إدخال/إخراج في الثانية
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		تصل إلى 1,550 ألف عملية إدخال/إخراج في الثانية
ذاكرة DRAM	true	نعم
نوع الذاكرة DRAM		-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 درجة مئوية إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 35 تيرابايت مكتوبة (TBW)	غير متوفر (لم يتم تحديد TBW في الميزات الأولية)
استهلاك الطاقة		أداء محسّن لكل واط مقارنة بـ 980 PRO
دعم NCQ	false	نعم
دعم TRIM	true	نعم
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	نعم
تقنية التشفير		تشفير AES 256 بت
الحجم والأبعاد	6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)	M.2 2280 (80 مم × 22 مم × 2.38 مم)
وزن المنتج	45 جرام (g)	تقريبًا 8.0 جرام
مؤشر الحالة LED	false	-
نوع الاتصال	-	M.2 NVMe PCIe 4.0
الأنظمة المتوافقة	-	Windows، macOS، Linux (مع دعم NVMe)
الميزات الإضافية	-	برنامج Samsung Magician، التحكم الحراري الذكي، متوافق مع PS5
خيارات الألوان	-	أسود
محتويات العلبة	-	SSD، دليل التثبيت، دليل الضمان

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Samsung 750EVO SATA 2.5 بوصة بسعة 120 جيجابايتمع

سامسونغ VS سامسونغ

الميزة	Samsung 750EVO SATA 2.5 بوصة بسعة 120 جيجابايت
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	ذاكرة فلاش NAND
منفذ الاتصال بالذاكرة		M.2 2280
تفاصيل الاتصال بالتخزين		PCIe Gen 4x4 / PCIe Gen 5x2
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة	عامل شكل M.2 2280
سعة الذاكرة		1 تيرابايت
مواصفات ذاكرة الفلاش		أحدث ذاكرة NAND
وحدة التحكم		وحدة تحكم مطلية بالنيكل
سرعة القراءة التسلسلية	540 ميجابايت في الثانية (mb/s)	7150 ميجابايت/ثانية
سرعة الكتابة التسلسلية	520 ميجابايت في الثانية (mb/s)	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	true	-
نوع الذاكرة DRAM		-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		-
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 35 تيرابايت مكتوبة (TBW)	-
استهلاك الطاقة		فعال
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	-
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	-
تقنية التشفير
الحجم والأبعاد	6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)	M.2 2280
وزن المنتج	45 جرام (g)	-
مؤشر الحالة LED	false	-
نوع الاتصال	-	NVMe
الأنظمة المتوافقة	-	كمبيوتر شخصي، أجهزة كمبيوتر محمولة
الميزات الإضافية	-	تقنية HMB، Intelligent Turbowrite 2.0
محتويات العلبة	-	SSD (MZ-V9S1T0B/AM)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Samsung 750EVO SATA 2.5 بوصة بسعة 120 جيجابايتمع KingSpec 512GB NVMe Gen3x4 SSD M.2 2280

سامسونغ VS كينغسبيك

الميزة	Samsung 750EVO SATA 2.5 بوصة بسعة 120 جيجابايت	KingSpec 512GB NVMe Gen3x4 SSD M.2 2280
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	محرك أقراص الحالة الصلبة داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة		M.2 2280
تفاصيل الاتصال بالتخزين		NVMe Gen3x4
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة	عامل شكل M.2 2280
سعة الذاكرة		512 جيجابايت
مواصفات ذاكرة الفلاش		ذاكرة فلاش NAND ثلاثية الأبعاد (TLC/QLC)
وحدة التحكم		وحدة تحكم رئيسية عالية الجودة
سرعة القراءة التسلسلية	540 ميجابايت في الثانية (mb/s)	تصل إلى 2400 ميجابايت/ثانية
سرعة الكتابة التسلسلية	520 ميجابايت في الثانية (mb/s)	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	true	-
نوع الذاكرة DRAM		-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		-
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 35 تيرابايت مكتوبة (TBW)	-
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	نعم
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	نعم
تقنية التشفير		-
الحجم والأبعاد	6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)	M.2 2280
وزن المنتج	45 جرام (g)	-
مؤشر الحالة LED	false	-
نوع الاتصال	-	NVMe Gen3x4
الأنظمة المتوافقة	-	Windows 7-10، RHEL، CentOS، Linux، Ubuntu
الميزات الإضافية	-	تسوية التآكل، LDPC ECC، حماية البيانات من طرف إلى طرف
محتويات العلبة	-	SSD، وثائق

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Samsung 750EVO SATA 2.5 بوصة بسعة 120 جيجابايتمع سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

سامسونغ VS سامسونج

الميزة	Samsung 750EVO SATA 2.5 بوصة بسعة 120 جيجابايت	سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة	-
سعة الذاكرة		250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش		V-NAND MLC
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	540 ميجابايت في الثانية (mb/s)	550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	520 ميجابايت في الثانية (mb/s)	520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	true	-
نوع الذاكرة DRAM		-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 35 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1500000 saat
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
تقنية التشفير		Yes
الحجم والأبعاد	6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)	M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
وزن المنتج	45 جرام (g)	8 g
مؤشر الحالة LED	false	-

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة قرص صلب داخلي HP Z Turbo 1TB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit SSDمع Samsung 750EVO SATA 2.5 بوصة بسعة 120 جيجابايت

إتش بي VS سامسونغ

الميزة	قرص صلب داخلي HP Z Turbo 1TB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit SSD	Samsung 750EVO SATA 2.5 بوصة بسعة 120 جيجابايت
سعة الذاكرة	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	TLC
الحجم والأبعاد	PCI Express (22 * 80 * 2.38 mm)	6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج	9 g	45 جرام (g)
محتويات العلبة	HP ZTurbo 1TB 2280 PCIe-4x4 TLC M.2 SSD; Heatsink; Install guide; Product Notices; Warranty Card	-
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة	-
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-	2.5 بوصة
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة التسلسلية	-	540 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	-	520 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	true
نوع الذاكرة DRAM	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
العمر الافتراضي المتوسط	-	1,500,000 ساعة (MTBF) / 35 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة	-
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	true
تقنية التشفير	-
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة قرص صلب داخلي DELL 960GB SAS Mixed Use 12Gbps 2.5in Hot-plug PM5-Vمع Samsung 750EVO SATA 2.5 بوصة بسعة 120 جيجابايت

ديل VS سامسونغ

الميزة	قرص صلب داخلي DELL 960GB SAS Mixed Use 12Gbps 2.5in Hot-plug PM5-V	Samsung 750EVO SATA 2.5 بوصة بسعة 120 جيجابايت
سعة الذاكرة	960 GB
الحجم والأبعاد	2.5"	6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة	SAS
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-	2.5 بوصة
مواصفات ذاكرة الفلاش	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة التسلسلية	-	540 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	-	520 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	true
نوع الذاكرة DRAM	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
العمر الافتراضي المتوسط	-	1,500,000 ساعة (MTBF) / 35 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة	-
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	true
تقنية التشفير	-
وزن المنتج	-	45 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Samsung 750EVO SATA 2.5 بوصة بسعة 120 جيجابايتمع سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

سامسونغ VS سامسونج

الميزة	Samsung 750EVO SATA 2.5 بوصة بسعة 120 جيجابايت	سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة	-
سعة الذاكرة		250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش		V-NAND MLC
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	540 ميجابايت في الثانية (mb/s)	550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	520 ميجابايت في الثانية (mb/s)	520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	true	-
نوع الذاكرة DRAM		-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 35 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1500000 saat
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
تقنية التشفير		Yes
الحجم والأبعاد	6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)	M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
وزن المنتج	45 جرام (g)	8 g
مؤشر الحالة LED	false	-

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Samsung 750EVO SATA 2.5 بوصة بسعة 120 جيجابايتمع سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

سامسونغ VS سامسونج

الميزة	Samsung 750EVO SATA 2.5 بوصة بسعة 120 جيجابايت	سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة	-
سعة الذاكرة		250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش		V-NAND MLC
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	540 ميجابايت في الثانية (mb/s)	550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	520 ميجابايت في الثانية (mb/s)	520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	true	-
نوع الذاكرة DRAM		-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 35 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1500000 saat
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
تقنية التشفير		Yes
الحجم والأبعاد	6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)	M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
وزن المنتج	45 جرام (g)	8 g
مؤشر الحالة LED	false	-

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Samsung 750EVO SATA 2.5 بوصة بسعة 120 جيجابايتمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 4TB (موديل MZ-77Q4T0)

سامسونغ VS سامسونج

الميزة	Samsung 750EVO SATA 2.5 بوصة بسعة 120 جيجابايت	قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 4TB (موديل MZ-77Q4T0)
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة	-
سعة الذاكرة		4 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		V-NAND MLC
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	540 ميجابايت في الثانية (mb/s)	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	520 ميجابايت في الثانية (mb/s)	530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		88000 IOPS
ذاكرة DRAM	true	-
نوع الذاكرة DRAM		-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 35 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1500000 saat
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
تقنية التشفير		Yes
الحجم والأبعاد	6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)	2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)
وزن المنتج	45 جرام (g)	46 g
مؤشر الحالة LED	false	-
الجهد التشغيلي	-	5 V

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة SSD داخلي لينوفو 4XB1L68661مع Samsung 750EVO SATA 2.5 بوصة بسعة 120 جيجابايت

لينوفو VS سامسونغ

الميزة	SSD داخلي لينوفو 4XB1L68661	Samsung 750EVO SATA 2.5 بوصة بسعة 120 جيجابايت
سعة الذاكرة	512 GB
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 80 °C
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (80 * 22 * 2.38 mm)	6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج	6.5 g	45 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز	-	2.5 بوصة
مواصفات ذاكرة الفلاش	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة التسلسلية	-	540 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	-	520 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	true
نوع الذاكرة DRAM	-
العمر الافتراضي المتوسط	-	1,500,000 ساعة (MTBF) / 35 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة	-
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	true
تقنية التشفير	-
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة محرك أقراص Klevv CRAS C910G SSD الداخليمع Samsung 750EVO SATA 2.5 بوصة بسعة 120 جيجابايت

كليف VS سامسونغ

الميزة	محرك أقراص Klevv CRAS C910G SSD الداخلي	Samsung 750EVO SATA 2.5 بوصة بسعة 120 جيجابايت
تقنية التشفير	Yes
دعم S.M.A.R.T	true	true
سعة الذاكرة	2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D TLC NAND
سرعة القراءة التسلسلية	5200 MB/s	540 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	4800 MB/s	520 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	560000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	615000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	1400	1,500,000 ساعة (MTBF) / 35 تيرابايت مكتوبة (TBW)
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.8 mm)	6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج	10 g	45 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
الشهادات والتصديقات	UKCA, Federal Communications Commission (FCC), CE	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-	2.5 بوصة
وحدة التحكم	-
ذاكرة DRAM	-	true
نوع الذاكرة DRAM	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
استهلاك الطاقة	-
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	false
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة