صفحة 2 من المقارنة Pny Xlr8 Cs3030 M2 250Gb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 1 تيرابايتمع Pny Xlr8 Cs3030 M2 250Gb

الميزة

كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 1 تيرابايت

Pny Xlr8 Cs3030 M2 250Gb

سعة الذاكرة 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D TLC
سرعة القراءة التسلسلية 14200 MB/s 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 11000 MB/s 1050 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 2200000 IOPS -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 2150000 IOPS -
العمر الافتراضي المتوسط 2000000 saat 2,000,000 ساعة (MTBF) / 380 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.3 mm) 2 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 7.3 g 6.6 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 5.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
ذاكرة DRAM - false
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - true
دعم S.M.A.R.T - true
الميزات الإضافية - خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / إمكانية Secure Erase لمسح البيانات بشكل لا رجعة فيه / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E)
الشهادات والتصديقات -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة كينغستون 7.68 تيرابايت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe SSD للمؤسساتمع Pny Xlr8 Cs3030 M2 250Gb

الميزة

كينغستون 7.68 تيرابايت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe SSD للمؤسسات

Pny Xlr8 Cs3030 M2 250Gb

تقنية التشفير Yes -
سعة الذاكرة 7.68 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D eTLC
سرعة القراءة التسلسلية 14000 MB/s 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 10000 MB/s 1050 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 2800000 IOPS -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 500000 IOPS -
العمر الافتراضي المتوسط 2000000 saat 2,000,000 ساعة (MTBF) / 380 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد U.2 (69.8 * 100.5 * 14.8 mm) 2 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 151.3 g 6.6 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 5.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
ذاكرة DRAM - false
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - true
دعم S.M.A.R.T - true
الميزات الإضافية - خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / إمكانية Secure Erase لمسح البيانات بشكل لا رجعة فيه / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E)
الشهادات والتصديقات -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة قرص صلب داخلي كينغستون NV3 M.2 2230 NVMe بسعة 1 تيرابايتمع Pny Xlr8 Cs3030 M2 250Gb

الميزة

قرص صلب داخلي كينغستون NV3 M.2 2230 NVMe بسعة 1 تيرابايت

Pny Xlr8 Cs3030 M2 250Gb

سعة الذاكرة 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية 6000 MB/s 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 4000 MB/s 1050 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 320 2,000,000 ساعة (MTBF) / 380 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2230 (22 x 30 mm) (30 * 22 * 2.3 mm) 2 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 2.8 g 6.6 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
ذاكرة DRAM - false
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - true
دعم S.M.A.R.T - true
الميزات الإضافية - خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / إمكانية Secure Erase لمسح البيانات بشكل لا رجعة فيه / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E)
الشهادات والتصديقات -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة Pny Xlr8 Cs3030 M2 250Gbمع SSD داخلي سامسونج PM981 NVMe

الميزة

Pny Xlr8 Cs3030 M2 250Gb

SSD داخلي سامسونج PM981 NVMe

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 3.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش TLC
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3200 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 1050 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2400 MB/s
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 ساعة (MTBF) / 380 تيرابايت مكتوبة (TBW) -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true -
دعم RAID true -
دعم S.M.A.R.T true -
الميزات الإضافية خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / إمكانية Secure Erase لمسح البيانات بشكل لا رجعة فيه / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E) -
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد 2 * 22 * 80 مليمتر (mm) M.2
وزن المنتج 6.6 جرام (g) 9 g
مؤشر الحالة LED false -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 380000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 440000 IOPS
خيارات الألوان - Black, Green

مقارنة محرك أقراص Klevv CRAS C910G SSD الداخليمع Pny Xlr8 Cs3030 M2 250Gb

الميزة

محرك أقراص Klevv CRAS C910G SSD الداخلي

Pny Xlr8 Cs3030 M2 250Gb

تقنية التشفير Yes -
دعم S.M.A.R.T true true
سعة الذاكرة 2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D TLC NAND
سرعة القراءة التسلسلية 5200 MB/s 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 4800 MB/s 1050 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 560000 IOPS -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 615000 IOPS -
العمر الافتراضي المتوسط 1400 2,000,000 ساعة (MTBF) / 380 تيرابايت مكتوبة (TBW)
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.8 mm) 2 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 10 g 6.6 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
الشهادات والتصديقات UKCA, Federal Communications Commission (FCC), CE
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
ذاكرة DRAM - false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - true
الميزات الإضافية - خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / إمكانية Secure Erase لمسح البيانات بشكل لا رجعة فيه / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E)
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة SSD داخلي لينوفو 4XB1L68661مع Pny Xlr8 Cs3030 M2 250Gb

الميزة

SSD داخلي لينوفو 4XB1L68661

Pny Xlr8 Cs3030 M2 250Gb

سعة الذاكرة 512 GB
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 80 °C
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (80 * 22 * 2.38 mm) 2 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 6.5 g 6.6 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز -
مواصفات ذاكرة الفلاش -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية - 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية - 1050 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM - false
العمر الافتراضي المتوسط - 2,000,000 ساعة (MTBF) / 380 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - true
دعم S.M.A.R.T - true
الميزات الإضافية - خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / إمكانية Secure Erase لمسح البيانات بشكل لا رجعة فيه / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E)
الشهادات والتصديقات -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة قرص صلب داخلي فيليبس FM24SS120B/00مع Pny Xlr8 Cs3030 M2 250Gb

الميزة

قرص صلب داخلي فيليبس FM24SS120B/00

Pny Xlr8 Cs3030 M2 250Gb

سعة الذاكرة 240 GB
سرعة القراءة التسلسلية 450 MB/s 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 360 MB/s 1050 ميجابايت في الثانية (mb/s)
الجهد التشغيلي 5 V -
الحجم والأبعاد 2.5" (100 * 7 * 70 mm) 2 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 38.2 g 6.6 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
مواصفات ذاكرة الفلاش -
وحدة التحكم -
ذاكرة DRAM - false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
العمر الافتراضي المتوسط - 2,000,000 ساعة (MTBF) / 380 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - true
دعم S.M.A.R.T - true
الميزات الإضافية - خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / إمكانية Secure Erase لمسح البيانات بشكل لا رجعة فيه / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E)
الشهادات والتصديقات -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة Pny Xlr8 Cs3030 M2 250Gbمع سامسونج 990 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2

الميزة

Pny Xlr8 Cs3030 M2 250Gb

سامسونج 990 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND TLC
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 5000 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 1050 ميجابايت في الثانية (mb/s) 4200 MB/s
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 ساعة (MTBF) / 380 تيرابايت مكتوبة (TBW) 600
دعم NCQ false -
دعم TRIM true true
دعم RAID true -
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / إمكانية Secure Erase لمسح البيانات بشكل لا رجعة فيه / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E) -
الشهادات والتصديقات Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA
الحجم والأبعاد 2 * 22 * 80 مليمتر (mm) 2280 (22 x 80 mm)
وزن المنتج 6.6 جرام (g) -
مؤشر الحالة LED false -
تقنية التشفير - Yes

مقارنة SSD داخلي لينوفو 4XB7A14049مع Pny Xlr8 Cs3030 M2 250Gb

الميزة

SSD داخلي لينوفو 4XB7A14049

Pny Xlr8 Cs3030 M2 250Gb

سعة الذاكرة 240 GB
سرعة القراءة التسلسلية 540 MB/s 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 250 MB/s 1050 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 78000 IOPS -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 26000 IOPS -
الحجم والأبعاد M.2 2 * 22 * 80 مليمتر (mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 2.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين No
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز -
مواصفات ذاكرة الفلاش -
وحدة التحكم -
ذاكرة DRAM - false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
العمر الافتراضي المتوسط - 2,000,000 ساعة (MTBF) / 380 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - true
دعم S.M.A.R.T - true
الميزات الإضافية - خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / إمكانية Secure Erase لمسح البيانات بشكل لا رجعة فيه / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E)
الشهادات والتصديقات -
وزن المنتج - 6.6 جرام (g)
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة Pny Xlr8 Cs3030 M2 250Gbمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

الميزة

Pny Xlr8 Cs3030 M2 250Gb

قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش QLC
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 1050 ميجابايت في الثانية (mb/s) 530 MB/s
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 ساعة (MTBF) / 380 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1500000 saat
دعم NCQ false -
دعم TRIM true true
دعم RAID true -
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / إمكانية Secure Erase لمسح البيانات بشكل لا رجعة فيه / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E) -
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد 2 * 22 * 80 مليمتر (mm) 2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)
وزن المنتج 6.6 جرام (g) 46 g
مؤشر الحالة LED false -
تقنية التشفير - Yes
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 88000 IOPS
الجهد التشغيلي - 5 V

مقارنة مع Pny Xlr8 Cs3030 M2 250Gb

الميزة

Pny Xlr8 Cs3030 M2 250Gb

نوع استخدام الذاكرة محرك أقراص الحالة الصلبة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة M.2 2280
تفاصيل الاتصال بالتخزين NVMe Gen3x4
نوع الاتصال NVMe Gen3x4 -
سعة الذاكرة 512 جيجابايت
سرعة القراءة التسلسلية تصل إلى 2400 ميجابايت/ثانية 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
مواصفات ذاكرة الفلاش ذاكرة فلاش NAND ثلاثية الأبعاد (TLC/QLC)
وحدة التحكم وحدة تحكم رئيسية عالية الجودة
دعم TRIM نعم true
دعم S.M.A.R.T نعم true
الأنظمة المتوافقة Windows 7-10، RHEL، CentOS، Linux، Ubuntu -
الميزات الإضافية تسوية التآكل، LDPC ECC، حماية البيانات من طرف إلى طرف خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / إمكانية Secure Erase لمسح البيانات بشكل لا رجعة فيه / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E)
الحجم والأبعاد M.2 2280 2 * 22 * 80 مليمتر (mm)
محتويات العلبة SSD، وثائق -
تصميم وأبعاد الجهاز عامل شكل M.2 2280
سرعة الكتابة التسلسلية - 1050 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM - false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
العمر الافتراضي المتوسط - 2,000,000 ساعة (MTBF) / 380 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ - false
دعم RAID - true
الشهادات والتصديقات -
وزن المنتج - 6.6 جرام (g)
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة قرص صلب داخلي جيجابايت اوروس Gen4 7300مع Pny Xlr8 Cs3030 M2 250Gb

الميزة

قرص صلب داخلي جيجابايت اوروس Gen4 7300

Pny Xlr8 Cs3030 M2 250Gb

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تقنية التشفير Yes -
دعم S.M.A.R.T true true
دعم TRIM true true
سعة الذاكرة 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D TLC NAND
سرعة القراءة التسلسلية 7300 MB/s 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 6000 MB/s 1050 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 700 2,000,000 ساعة (MTBF) / 380 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.3 mm) 2 * 22 * 80 مليمتر (mm)
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
ذاكرة DRAM - false
دعم NCQ - false
دعم RAID - true
الميزات الإضافية - خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / إمكانية Secure Erase لمسح البيانات بشكل لا رجعة فيه / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E)
الشهادات والتصديقات -
وزن المنتج - 6.6 جرام (g)
مؤشر الحالة LED - false