صفحة 13 من المقارنة Pny Cs900 120Gb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة Pny Cs900 120Gbمع Samsung 860 Qvo 2Tb

الميزة	Pny Cs900 120Gb	Samsung 860 Qvo 2Tb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة	2.5 بوصة
سعة الذاكرة		2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	515 ميجابايت في الثانية (mb/s)	550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	490 ميجابايت في الثانية (mb/s)	520 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	false	true
العمر الافتراضي المتوسط	2,000,000 (MTBF) ساعة (h)	1,500,000 ساعة (MTBF) / 720 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ	true	false
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	true	false
دعم S.M.A.R.T	false	true
الحجم والأبعاد	6.3 * 69.85 * 99 مليمتر (mm)	6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج	45 جرام (g)	62 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	false	false
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
نوع الذاكرة DRAM	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
الجهد التشغيلي	-	5 فولت (v)
استهلاك الطاقة	-
تقنية التشفير	-

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Pny Cs900 120Gbمع Samsung 860 Pro Sata 2 5 Inch 4Tb

بي إن واي VS سامسونغ

الميزة	Pny Cs900 120Gb	Samsung 860 Pro Sata 2 5 Inch 4Tb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة	2.5 بوصة
سعة الذاكرة		4 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	515 ميجابايت في الثانية (mb/s)	560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	490 ميجابايت في الثانية (mb/s)	530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	false	true
العمر الافتراضي المتوسط	2,000,000 (MTBF) ساعة (h)	1,500,000 ساعة (MTBF) / 4800 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ	true	false
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	true	false
دعم S.M.A.R.T	false	true
الحجم والأبعاد	6.3 * 69.85 * 99 مليمتر (mm)	100 x 69.85 x 6.8 مم
وزن المنتج	45 جرام (g)	62 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	false	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
نوع الذاكرة DRAM	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
الجهد التشغيلي	-	5 فولت (v)
استهلاك الطاقة	-
تقنية التشفير	-

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Pny Cs900 120Gbمع Pny Xlr8 Cs3030 Nvme M2 2Tb

بي إن واي VS بي إن واي

الميزة	Pny Cs900 120Gb	Pny Xlr8 Cs3030 Nvme M2 2Tb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة
سعة الذاكرة		2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	515 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	490 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	false	false
العمر الافتراضي المتوسط	2,000,000 (MTBF) ساعة (h)	2,000,000 ساعة (MTBF) / 3115 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ	true	false
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	true	true
دعم S.M.A.R.T	false	true
الحجم والأبعاد	6.3 * 69.85 * 99 مليمتر (mm)	2 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	45 جرام (g)	6.6 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	false	-
وحدة التحكم	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
تقنية التشفير	-
الميزات الإضافية	-	خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / محسن توفير الطاقة APST, ASPM, L1.2 / إمكانية Secure Erase لمسح البيانات بشكل لا رجعة فيه / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E)
الشهادات والتصديقات	-

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة جيجابايت Aorus Gen4 Nvme M2 1Tb Gp Asm2Ne6100Tttdمع Pny Cs900 120Gb

بي إن واي VS جيجابايت

الميزة	جيجابايت Aorus Gen4 Nvme M2 1Tb Gp Asm2Ne6100Tttd	Pny Cs900 120Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة
سعة الذاكرة		1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش		Toshiba BiCS4 96-Layers 3D TLC NAND
سرعة القراءة التسلسلية	515 ميجابايت في الثانية (mb/s)	5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	490 ميجابايت في الثانية (mb/s)	4400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	false	true
العمر الافتراضي المتوسط	2,000,000 (MTBF) ساعة (h)	1,770,000 ساعة (MTBF) / 1800 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ	true	false
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	true	false
دعم S.M.A.R.T	false	true
الحجم والأبعاد	6.3 * 69.85 * 99 مليمتر (mm)	11.25 * 23.5 * 80.5 مليمتر (mm)
وزن المنتج	45 جرام (g)	-
مؤشر الحالة LED	false	false
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
نوع الذاكرة DRAM	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
استهلاك الطاقة	-
الميزات الإضافية	-	مبدد حراري من النحاس / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / إمكانية Over Provision لزيادة سرعة الكتابة دون تقليل الأداء / برنامج SSD Tool Box

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Adata Premier Pro Sp900 128Gbمع Pny Cs900 120Gb

بي إن واي VS أدا

الميزة	Adata Premier Pro Sp900 128Gb	Pny Cs900 120Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة	2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	515 ميجابايت في الثانية (mb/s)	545 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	490 ميجابايت في الثانية (mb/s)	535 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	false	false
العمر الافتراضي المتوسط	2,000,000 (MTBF) ساعة (h)	1,000,000 (MTBF) ساعة (h)
دعم NCQ	true	true
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	true	false
دعم S.M.A.R.T	false	true
الحجم والأبعاد	6.3 * 69.85 * 99 مليمتر (mm)	7 * 69.85 * 100.45 مليمتر (mm)
وزن المنتج	45 جرام (g)	68 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	false	false
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 إلى 70 درجة مئوية
استهلاك الطاقة	-	0.9 واط في الوضع النشط / 0.5 واط في وضع الاستعداد

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Pny Cs900 120Gbمع TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت

بي إن واي VS توينموس

الميزة	Pny Cs900 120Gb	TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	515 ميجابايت في الثانية (mb/s)	2455 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	490 ميجابايت في الثانية (mb/s)	1832 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	false	false
العمر الافتراضي المتوسط	2,000,000 (MTBF) ساعة (h)	1,500,000 ساعة (MTBF) / 1000 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ	true	true
دعم TRIM	true	-
دعم RAID	true	false
دعم S.M.A.R.T	false	true
الحجم والأبعاد	6.3 * 69.85 * 99 مليمتر (mm)	-
وزن المنتج	45 جرام (g)	-
مؤشر الحالة LED	false	false
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
الأنظمة المتوافقة	-	Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية	-	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
الشهادات والتصديقات	-

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة جيجابايت Nvme M2 128Gbمع Pny Cs900 120Gb

بي إن واي VS جيجابايت

الميزة	جيجابايت Nvme M2 128Gb	Pny Cs900 120Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	515 ميجابايت في الثانية (mb/s)	1100 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	490 ميجابايت في الثانية (mb/s)	1700 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	false	false
العمر الافتراضي المتوسط	2,000,000 (MTBF) ساعة (h)	-
دعم NCQ	true	false
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	true	false
دعم S.M.A.R.T	false	true
الحجم والأبعاد	6.3 * 69.85 * 99 مليمتر (mm)	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	45 جرام (g)	-
مؤشر الحالة LED	false	false
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
استهلاك الطاقة	-
الميزات الإضافية	-	دعم HMB (مخزن الذاكرة المضيف) / برنامج SSD Tool box

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Msi Spatium M460 Nvme M2 1Tbمع Pny Cs900 120Gb

بي إن واي VS إم إس آي

الميزة	Msi Spatium M460 Nvme M2 1Tb	Pny Cs900 120Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة
سعة الذاكرة		1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	515 ميجابايت في الثانية (mb/s)	5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	490 ميجابايت في الثانية (mb/s)	4500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	false	false
العمر الافتراضي المتوسط	2,000,000 (MTBF) ساعة (h)	1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ	true	false
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	true	false
دعم S.M.A.R.T	false	true
الحجم والأبعاد	6.3 * 69.85 * 99 مليمتر (mm)	2.15 x 22 x 80 مم
وزن المنتج	45 جرام (g)	-
مؤشر الحالة LED	false	false
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 إلى 70 درجة مئوية
استهلاك الطاقة	-
الميزات الإضافية	-	ترميز LPDC / خوارزمية رمز تصحيح الخطأ (ECC) / ميزة Pyrite لتشفير وأمن البيانات

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Lexar Sl200 Usb 31 1Tbمع Pny Cs900 120Gb

بي إن واي VS ليكسار

الميزة	Lexar Sl200 Usb 31 1Tb	Pny Cs900 120Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	خارجي
منفذ الاتصال بالذاكرة		-
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة	2.5 بوصة
سعة الذاكرة		1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش		-
سرعة القراءة التسلسلية	515 ميجابايت في الثانية (mb/s)	550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	490 ميجابايت في الثانية (mb/s)	400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	false	false
العمر الافتراضي المتوسط	2,000,000 (MTBF) ساعة (h)	-
دعم NCQ	true	false
دعم TRIM	true	false
دعم RAID	true	false
دعم S.M.A.R.T	false	false
الحجم والأبعاد	6.3 * 69.85 * 99 مليمتر (mm)	9.5 * 60 * 86 مليمتر (mm)
وزن المنتج	45 جرام (g)	40.6 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	false	true
نوع الاتصال	-	Type-C إلى Type-A من نوع USB 3.1 Gen 1
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
تقنية التشفير	-
محتويات العلبة	-	كابل USB Type-C إلى USB Type-A / كابل USB Type-C إلى USB Type-C / دليل المستخدم (ملاحظة: مكرر)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Msi Spatium M480 Pro Nvme M2 2Tbمع Pny Cs900 120Gb

بي إن واي VS إم إس آي

الميزة	Msi Spatium M480 Pro Nvme M2 2Tb	Pny Cs900 120Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة
سعة الذاكرة		2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	515 ميجابايت في الثانية (mb/s)	7400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	490 ميجابايت في الثانية (mb/s)	7000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	false	true
العمر الافتراضي المتوسط	2,000,000 (MTBF) ساعة (h)	1,600,000 ساعة (MTBF) / 1400 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ	true	false
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	true	false
دعم S.M.A.R.T	false	true
الحجم والأبعاد	6.3 * 69.85 * 99 مليمتر (mm)	2.15 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	45 جرام (g)	9.7 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	false	false
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
نوع الذاكرة DRAM	-	DDR4 مع ذاكرة تخزين مؤقت 2 جيجابايت
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 إلى 70 درجة مئوية
استهلاك الطاقة	-
تقنية التشفير	-
الميزات الإضافية	-	خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة جيجابايت Nvme M2 256Gbمع Pny Cs900 120Gb

بي إن واي VS جيجابايت

الميزة	جيجابايت Nvme M2 256Gb	Pny Cs900 120Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	515 ميجابايت في الثانية (mb/s)	1700 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	490 ميجابايت في الثانية (mb/s)	1100 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	false	false
العمر الافتراضي المتوسط	2,000,000 (MTBF) ساعة (h)	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
دعم NCQ	true	false
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	true	false
دعم S.M.A.R.T	false	true
الحجم والأبعاد	6.3 * 69.85 * 99 مليمتر (mm)	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	45 جرام (g)	-
مؤشر الحالة LED	false	false
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
استهلاك الطاقة	-
الميزات الإضافية	-	دعم HMB (مخزن الذاكرة المضيف) / برنامج SSD Tool box

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Kingspec Nt M2 2280 256Gbمع Pny Cs900 120Gb

بي إن واي VS كينغسبيك

الميزة	Kingspec Nt M2 2280 256Gb	Pny Cs900 120Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	515 ميجابايت في الثانية (mb/s)	580 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	490 ميجابايت في الثانية (mb/s)	550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	false	false
العمر الافتراضي المتوسط	2,000,000 (MTBF) ساعة (h)	1,000,000 ساعة (MTBF) / 174 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ	true	true
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	true	false
دعم S.M.A.R.T	false	true
الحجم والأبعاد	6.3 * 69.85 * 99 مليمتر (mm)	3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	45 جرام (g)	-
مؤشر الحالة LED	false	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 إلى 70 درجة مئوية
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)

عرض تفاصيل المقارنة