صفحة 5 من المقارنة Pny Cs2140 Nvme M2 500Gb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة قرص صلب داخلي جيجابايت اوروس Gen4 7300مع Pny Cs2140 Nvme M2 500Gb

الميزة	قرص صلب داخلي جيجابايت اوروس Gen4 7300	Pny Cs2140 Nvme M2 500Gb
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تقنية التشفير	Yes	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
دعم TRIM	true	false
سعة الذاكرة	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D TLC NAND
سرعة القراءة التسلسلية	7300 MB/s	3600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	6000 MB/s	2300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط	700	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	-
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.3 mm)	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
ذاكرة DRAM	-	false
دعم NCQ	-	false
دعم RAID	-	false
وزن المنتج	-	100 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI828مع Pny Cs2140 Nvme M2 500Gb

علامة تجارية غير معروفة VS بي إن واي

الميزة	قرص صلب داخلي AGI Technology AI828	Pny Cs2140 Nvme M2 500Gb
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
سعة الذاكرة	2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية	7400 MB/s	3600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	6700 MB/s	2300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط	1500	-
الجهد التشغيلي	3.3 V	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	-
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 3.5 mm)	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	7.5 g	100 جرام (g)
دعم S.M.A.R.T	true	true
دعم TRIM	true	false
الشهادات والتصديقات	BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
ذاكرة DRAM	-	false
دعم NCQ	-	false
دعم RAID	-	false
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Pny Cs2140 Nvme M2 500Gbمع SSD داخلي سيجيت Nytro 5350S

بي إن واي VS سيجيت

الميزة	Pny Cs2140 Nvme M2 500Gb	SSD داخلي سيجيت Nytro 5350S
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين		Yes
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة		15 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		3D eTLC
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	3600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	7400 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	2300 ميجابايت في الثانية (mb/s)	7200 MB/s
ذاكرة DRAM	false	-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	false	-
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	-
الحجم والأبعاد	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)	2.5" (70.1 * 100.4 * 14.9 mm)
وزن المنتج	100 جرام (g)	205 g
مؤشر الحالة LED	false	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-	1700000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-	195000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	-	2500000 saat
الجهد التشغيلي	-	12 V
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 - 70 °C

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة محرك أقراص لينوفو 4XB7A90886 SSD الداخليمع Pny Cs2140 Nvme M2 500Gb

لينوفو VS بي إن واي

الميزة	محرك أقراص لينوفو 4XB7A90886 SSD الداخلي	Pny Cs2140 Nvme M2 500Gb
سعة الذاكرة	1.92 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	V-NAND TLC
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	82000 IOPS	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	47500 IOPS	-
العمر الافتراضي المتوسط	2000000 saat	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	-
الحجم والأبعاد	2.5" (70 * 100 * 7 mm)	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين	No
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تقنية التشفير	No	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة التسلسلية	-	3600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	-	2300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	-	false
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	false
دعم RAID	-	false
وزن المنتج	-	100 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة قرص صلب داخلي فيليبس FM24SS120B/00مع Pny Cs2140 Nvme M2 500Gb

فيليبس VS بي إن واي

الميزة	قرص صلب داخلي فيليبس FM24SS120B/00	Pny Cs2140 Nvme M2 500Gb
سعة الذاكرة	240 GB
سرعة القراءة التسلسلية	450 MB/s	3600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	360 MB/s	2300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
الجهد التشغيلي	5 V	-
الحجم والأبعاد	2.5" (100 * 7 * 70 mm)	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	38.2 g	100 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
مواصفات ذاكرة الفلاش	-
وحدة التحكم	-
ذاكرة DRAM	-	false
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	false
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	true
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Pny Cs2140 Nvme M2 500Gbمع سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

بي إن واي VS سامسونج

الميزة	Pny Cs2140 Nvme M2 500Gb	سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة		250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش		V-NAND MLC
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	3600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	2300 ميجابايت في الثانية (mb/s)	520 MB/s
ذاكرة DRAM	false	-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
الحجم والأبعاد	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)	M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
وزن المنتج	100 جرام (g)	8 g
مؤشر الحالة LED	false	-
تقنية التشفير	-	Yes
العمر الافتراضي المتوسط	-	1500000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 - 70 °C

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Pny Cs2140 Nvme M2 500Gbمع محرك أقراص سيجيت Nytro 5000 SSD الداخلي

بي إن واي VS سيجيت

الميزة	Pny Cs2140 Nvme M2 500Gb	محرك أقراص سيجيت Nytro 5000 SSD الداخلي
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		PCI Express 3.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين		Yes
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة		1.92 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		3D cMLC
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	3600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	-
سرعة الكتابة التسلسلية	2300 ميجابايت في الثانية (mb/s)	-
ذاكرة DRAM	false	-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	false	-
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	-
الحجم والأبعاد	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)	M.2 (22 * 110 * 2 mm)
وزن المنتج	100 جرام (g)	14 g
مؤشر الحالة LED	false	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-	245000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-	28000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	-	2000000 saat
خيارات الألوان	-	Black, Green

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Pny Cs2140 Nvme M2 500Gbمع Samsung 860 Pro Sata 2 5 Inch 2Tb

بي إن واي VS سامسونغ

الميزة	Pny Cs2140 Nvme M2 500Gb	Samsung 860 Pro Sata 2 5 Inch 2Tb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز		2.5 بوصة
سعة الذاكرة		2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية	3600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	2300 ميجابايت في الثانية (mb/s)	530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	false	true
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
الحجم والأبعاد	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)	100 x 69.85 x 6.8 مم
وزن المنتج	100 جرام (g)	62 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	false	false
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
نوع الذاكرة DRAM	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
الجهد التشغيلي	-	5 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط	-	1,500,000 ساعة (MTBF) / 2400 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة	-
تقنية التشفير	-

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Kingston Ssdnow Uv400 480Gbمع Pny Cs2140 Nvme M2 500Gb

كينغستون VS بي إن واي

الميزة	Kingston Ssdnow Uv400 480Gb	Pny Cs2140 Nvme M2 500Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية	550 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	2300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	false	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		-
العمر الافتراضي المتوسط	1,000,000 ساعة (MTBF) / 200 تيرابايت مكتوبة (TBW)	-
استهلاك الطاقة	0.59 واط في وضع القراءة / 2.515 واط في وضع الكتابة / 0.693 واط في المتوسط / 0.672 واط في وضع الاستعداد	-
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	false	false
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	false	true
الميزات الإضافية		-
الحجم والأبعاد	7 * 69.9 * 100 مليمتر (mm)	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	57 جرام (g)	100 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	false	false
محتويات العلبة	حافظة خاصة لاستخدام الذاكرة كوحدة تخزين خارجية / فاصل 7 مم إلى 9.5 مم لزيادة ارتفاع SSD / حامل 3.5 بوصة للتركيب في الكيس / كابل USB / كابل SATA / كابل بيانات / رقم تسلسلي لتنزيل برنامج Acronis Data Migration	-

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Pny Cs2140 Nvme M2 500Gbمع Samsung 960 Evo 1Tb

بي إن واي VS سامسونغ

الميزة	Pny Cs2140 Nvme M2 500Gb	Samsung 960 Evo 1Tb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة		1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية	3600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	2300 ميجابايت في الثانية (mb/s)	1900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	false	true
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
الحجم والأبعاد	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)	2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج	100 جرام (g)	8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	false	false
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
نوع الذاكرة DRAM	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
العمر الافتراضي المتوسط	-	1,500,000 ساعة (MTBF) / 400 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة	-
تقنية التشفير	-

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Lexar Nq100 Sata 2 5 Inch 480Gbمع Pny Cs2140 Nvme M2 500Gb

ليكسار VS بي إن واي

الميزة	Lexar Nq100 Sata 2 5 Inch 480Gb	Pny Cs2140 Nvme M2 500Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية	550 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	false	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		-
الجهد التشغيلي		-
العمر الافتراضي المتوسط	168 (TBW) تيرابايت (tb)	-
دعم NCQ	true	false
دعم TRIM	true	false
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
الميزات الإضافية		-
الشهادات والتصديقات		-
الحجم والأبعاد	7 * 69.85 * 100.2 مليمتر (mm)	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	34 جرام (g)	100 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	false	false
سرعة الكتابة التسلسلية	-	2300 ميجابايت في الثانية (mb/s)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Pny Cs2140 Nvme M2 500Gbمع Samsung 960 Pro 512Gb

بي إن واي VS سامسونغ

الميزة	Pny Cs2140 Nvme M2 500Gb	Samsung 960 Pro 512Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية	3600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	2300 ميجابايت في الثانية (mb/s)	2100 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	false	true
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
الحجم والأبعاد	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)	2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج	100 جرام (g)	8.3 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	false	false
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
نوع الذاكرة DRAM	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
العمر الافتراضي المتوسط	-	1,500,000 ساعة (MTBF) / 400 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة	-
تقنية التشفير	-

عرض تفاصيل المقارنة