صفحة 7 من المقارنة PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

$مقارنة Kingston A400 240Gb {request()->input('language_config')['common']['with']} PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت$

مقارنة Kingston A400 240Gbمع PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت

كينغستون VS بي إن واي

الميزة	Kingston A400 240Gb	PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة
سعة الذاكرة		1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية	500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	350 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	false	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		-
العمر الافتراضي المتوسط	1,000,000 ساعة (MTBF) / 80 تيرابايت مكتوبة (TBW)	-
استهلاك الطاقة	0.279 واط في المتوسط / 0.642 واط في وضع القراءة / 1.535 واط في وضع الكتابة / 0.195 واط في وضع الاستعداد	-
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	false	false
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	false	false
الميزات الإضافية		-
الحجم والأبعاد	7 * 69.9 * 100 مليمتر (mm)	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	41 جرام (g)	-
مؤشر الحالة LED	false	false

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 960 Pro 1Tb$

مقارنة PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايتمع Samsung 960 Pro 1Tb

بي إن واي VS سامسونغ

الميزة	PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت	Samsung 960 Pro 1Tb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)	1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية	3600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)	2100 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	false	true
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	false	true
الحجم والأبعاد	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)	2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED	false	false
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
نوع الذاكرة DRAM	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
العمر الافتراضي المتوسط	-	1,500,000 ساعة (MTBF) / 800 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة	-
تقنية التشفير	-
وزن المنتج	-	8.5 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 860 Pro 512Gb$

مقارنة PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايتمع Samsung 860 Pro 512Gb

بي إن واي VS سامسونغ

الميزة	PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت	Samsung 860 Pro 512Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز		2.5 بوصة
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية	3600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)	530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	false	true
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	false	true
الحجم والأبعاد	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)	100 x 69.8 x 6.8 مم
مؤشر الحالة LED	false	false
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
نوع الذاكرة DRAM	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
الجهد التشغيلي	-	5 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط	-	1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة	-
تقنية التشفير	-
وزن المنتج	-	51 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة Adata Xpg Sx900 128Gb {request()->input('language_config')['common']['with']} PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت$

مقارنة Adata Xpg Sx900 128Gbمع PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت

أدا VS بي إن واي

الميزة	Adata Xpg Sx900 128Gb	PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة
سعة الذاكرة		1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية	550 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	530 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	false	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		-
العمر الافتراضي المتوسط	1,000,000 (MTBF) ساعة (h)	-
استهلاك الطاقة	0.8 واط في الوضع النشط / 0.4 واط في وضع الاستعداد	-
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	true	false
دعم RAID	true	false
دعم S.M.A.R.T	true	false
الأنظمة المتوافقة	Windows الإصدار XP والإصدارات الأحدث / macOS / Linux	-
الحجم والأبعاد	7 * 69.85 * 100.45 مليمتر (mm)	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	68 جرام (g)	-
مؤشر الحالة LED	false	false

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 960 Evo 1Tb$

مقارنة PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايتمع Samsung 960 Evo 1Tb

بي إن واي VS سامسونغ

الميزة	PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت	Samsung 960 Evo 1Tb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)	1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية	3600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)	1900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	false	true
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	false	true
الحجم والأبعاد	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)	2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED	false	false
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
نوع الذاكرة DRAM	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
العمر الافتراضي المتوسط	-	1,500,000 ساعة (MTBF) / 400 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة	-
تقنية التشفير	-
وزن المنتج	-	8 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 970 Evo 250Gb$

مقارنة PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايتمع Samsung 970 Evo 250Gb

بي إن واي VS سامسونغ

الميزة	PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت	Samsung 970 Evo 250Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية	3600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)	1500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	false	true
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	false	true
الحجم والأبعاد	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)	2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED	false	false
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
نوع الذاكرة DRAM	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط	-	1,500,000 ساعة (MTBF) / 150 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة	-
تقنية التشفير	-
وزن المنتج	-	8 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة Msi Spatium M570 Hs Nvme M2 2Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت$

مقارنة Msi Spatium M570 Hs Nvme M2 2Tbمع PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت

إم إس آي VS بي إن واي

الميزة	Msi Spatium M570 Hs Nvme M2 2Tb	PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة	2 تيرابايت (tb)	1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية	10000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	10000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	true	false
نوع الذاكرة DRAM	DDR4 مع ذاكرة تخزين مؤقت 4 جيجابايت	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 إلى 70 درجة مئوية	-
العمر الافتراضي المتوسط	1,600,000 ساعة (MTBF) / 1400 تيرابايت مكتوبة (TBW)	-
استهلاك الطاقة	أقصى استهلاك 11 واط عند الاستخدام	-
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	true	false
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	false
الميزات الإضافية	خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E)	-
الحجم والأبعاد	3.5 x 22 x 80 مم (بدون مبدد حراري) / 20.4 x 23 x 80.4 مم (مع مبدد حراري)	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED	false	false

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت {request()->input('language_config')['common']['with']} ويسترن ديجيتال Black WDS250G2X0C NVMe M.2 سعة 250 جيجابايت$

مقارنة PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايتمع ويسترن ديجيتال Black WDS250G2X0C NVMe M.2 سعة 250 جيجابايت

بي إن واي VS دي إس

الميزة	PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت	ويسترن ديجيتال Black WDS250G2X0C NVMe M.2 سعة 250 جيجابايت
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش		-
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	3600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)	1600 ميجابايت/ثانية
ذاكرة DRAM	false	false
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	false	false
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	false	true
الحجم والأبعاد	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)	2.38 * 22 * 80 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED	false	false
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
الجهد التشغيلي	-	2.8 أمبير (a)
العمر الافتراضي المتوسط	-	2,000,000 (MTTF) ساعة (h)
استهلاك الطاقة	-
الميزات الإضافية	-
الشهادات والتصديقات	-
وزن المنتج	-	7.5 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung PM991a NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت$

مقارنة PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايتمع Samsung PM991a NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

بي إن واي VS سامسونغ

الميزة	PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت	Samsung PM991a NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	3600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3100 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)	1800 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	false	false
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	false	false
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	false	false
الحجم والأبعاد	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)	-
مؤشر الحالة LED	false	false
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت {request()->input('language_config')['common']['with']} Silicon Power M55 SATA M.2 بسعة 240 جيجابايت$

مقارنة PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايتمع Silicon Power M55 SATA M.2 بسعة 240 جيجابايت

بي إن واي VS سيلكون باور

الميزة	PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت	Silicon Power M55 SATA M.2 بسعة 240 جيجابايت
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	3600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)	530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	false	false
دعم NCQ	false	true
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	true
دعم S.M.A.R.T	false	true
الحجم والأبعاد	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)	3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED	false	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
العمر الافتراضي المتوسط	-	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
الميزات الإضافية	-	دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / تقنية Intel Smart Response / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / خوارزمية BBM لتحديد وإزالة أخطاء الوصول / برنامج SP Toolbox
وزن المنتج	-	8 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت {request()->input('language_config')['common']['with']} ويسترن ديجيتال Blue WDS500G3B0B SATA M.2 سعة 500 جيجابايت$

مقارنة PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايتمع ويسترن ديجيتال Blue WDS500G3B0B SATA M.2 سعة 500 جيجابايت

بي إن واي VS بلو

الميزة	PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت	ويسترن ديجيتال Blue WDS500G3B0B SATA M.2 سعة 500 جيجابايت
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	3600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)	510 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	false	false
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	false	false
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	false	false
الحجم والأبعاد	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)	2.38 x 22 x 80 مم
مؤشر الحالة LED	false	false
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-	90,000 عملية إدخال/إخراج في الثانية (IOPS)
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-	82,000 عملية إدخال/إخراج في الثانية (IOPS)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط	-	1,750,000 ساعة (MTTF) / 200 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة	-
الميزات الإضافية	-
وزن المنتج	-	4.8 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت {request()->input('language_config')['common']['with']} Silicon Power Ace A58 SATA M.2 بسعة 128 جيجابايت$

مقارنة PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايتمع Silicon Power Ace A58 SATA M.2 بسعة 128 جيجابايت

بي إن واي VS سيلكون باور

الميزة	PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت	Silicon Power Ace A58 SATA M.2 بسعة 128 جيجابايت
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز		2.5 بوصة
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	3600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	460 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)	360 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	false	true
دعم NCQ	false	true
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	true
دعم S.M.A.R.T	false	true
الحجم والأبعاد	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)	7 * 69.9 * 100 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED	false	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
الجهد التشغيلي	-	5 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط	-	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
الميزات الإضافية	-	دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / تقنية Intel Smart Response / برنامج SP Toolbox
الشهادات والتصديقات	-
وزن المنتج	-	63 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة