صفحة 6 من المقارنة Pny Cs1030 Nvme M2 512Gb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة Adata Sc685 Usb 3 2 Gen 2 1Tbمع Pny Cs1030 Nvme M2 512Gb

الميزة

Adata Sc685 Usb 3 2 Gen 2 1Tb

Pny Cs1030 Nvme M2 512Gb

نوع استخدام الذاكرة خارجي داخلي
نوع الاتصال Type-C إلى Type-C من نوع USB 3.2 Gen 2 -
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 530 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 460 ميجابايت في الثانية (mb/s) 1900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
الجهد التشغيلي 5 فولت (v) -
الأنظمة المتوافقة Windows XP والإصدارات الأحدث / macOS X 10.6 والإصدارات الأحدث / Linux Kernel 2.6 والإصدارات الأحدث -
الميزات الإضافية محسن توفير الطاقة APST, ASPM, L1.2 / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E)
الشهادات والتصديقات
خيارات الألوان أسود، أبيض -
الحجم والأبعاد 9.5 * 54.8 * 84.7 مليمتر (mm) 2 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 35 جرام (g) 6.6 جرام (g)
مؤشر الحالة LED true -
محتويات العلبة كابل توصيل USB Type-C إلى USB Type-C / محول USB Type-A إلى USB Type-C / دليل المستخدم -
منفذ الاتصال بالذاكرة -
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
ذاكرة DRAM - false
العمر الافتراضي المتوسط - 2,000,000 (MTBF) ساعة (h)
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - true

مقارنة Pny Cs1030 Nvme M2 512Gbمع PNY Pro Elite USB 3.1 Gen 2 بسعة 1 تيرابايت

الميزة

Pny Cs1030 Nvme M2 512Gb

PNY Pro Elite USB 3.1 Gen 2 بسعة 1 تيرابايت

نوع استخدام الذاكرة داخلي خارجي
منفذ الاتصال بالذاكرة -
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش -
سرعة القراءة التسلسلية 2500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 890 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 1900 ميجابايت في الثانية (mb/s) 880 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM false false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 (MTBF) ساعة (h) -
دعم NCQ false false
دعم TRIM true false
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true false
الميزات الإضافية محسن توفير الطاقة APST, ASPM, L1.2 / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E) برنامج Acronis True Image Data Protection
الشهادات والتصديقات
الحجم والأبعاد 2 * 22 * 80 مليمتر (mm) 10.9 * 57.15 * 63.5 مليمتر (mm)
وزن المنتج 6.6 جرام (g) -
نوع الاتصال - Type-C إلى Type-C من نوع USB 3.1 Gen 2
الأنظمة المتوافقة - Windows / macOS
مادة الهيكل - ألومنيوم
مؤشر الحالة LED - false
محتويات العلبة - كابل Type-C إلى Type-A واحد / كابل Type-C إلى Type-C واحد

مقارنة Pny Cs1030 Nvme M2 512Gbمع Samsung 960 Pro 1Tb

الميزة

Pny Cs1030 Nvme M2 512Gb

Samsung 960 Pro 1Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 2500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 1900 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2100 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM false true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 (MTBF) ساعة (h) 1,500,000 ساعة (MTBF) / 800 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ false false
دعم TRIM true true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية محسن توفير الطاقة APST, ASPM, L1.2 / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E) -
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد 2 * 22 * 80 مليمتر (mm) 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج 6.6 جرام (g) 8.5 جرام (g)
وحدة التحكم -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
نوع الذاكرة DRAM -
استهلاك الطاقة -
تقنية التشفير -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة Pny Cs1030 Nvme M2 512Gbمع Samsung 960 Evo 1Tb

الميزة

Pny Cs1030 Nvme M2 512Gb

Samsung 960 Evo 1Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 2500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 1900 ميجابايت في الثانية (mb/s) 1900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM false true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 (MTBF) ساعة (h) 1,500,000 ساعة (MTBF) / 400 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ false false
دعم TRIM true true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية محسن توفير الطاقة APST, ASPM, L1.2 / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E) -
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد 2 * 22 * 80 مليمتر (mm) 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج 6.6 جرام (g) 8 جرام (g)
وحدة التحكم -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
نوع الذاكرة DRAM -
استهلاك الطاقة -
تقنية التشفير -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة Crucial Bx500 480Gbمع Pny Cs1030 Nvme M2 512Gb

الميزة

Crucial Bx500 480Gb

Pny Cs1030 Nvme M2 512Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 540 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 1900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM false false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTTF) / 120 تيرابايت مكتوبة (TBW) 2,000,000 (MTBF) ساعة (h)
دعم NCQ false false
دعم TRIM true true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true true
الشهادات والتصديقات
الحجم والأبعاد 7 * 95 * 125 مليمتر (mm) 2 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 70 جرام (g) 6.6 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false -
الميزات الإضافية - محسن توفير الطاقة APST, ASPM, L1.2 / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E)

مقارنة Crucial Bx500 Sata 2 5 Inch 1Tbمع Pny Cs1030 Nvme M2 512Gb

الميزة

Crucial Bx500 Sata 2 5 Inch 1Tb

Pny Cs1030 Nvme M2 512Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 540 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 1900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM false false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTTF) / 360 تيرابايت مكتوبة (TBW) 2,000,000 (MTBF) ساعة (h)
دعم NCQ false false
دعم TRIM true true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true true
الشهادات والتصديقات
الحجم والأبعاد 9 * 95 * 125 مليمتر (mm) 2 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 70 جرام (g) 6.6 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false -
الميزات الإضافية - محسن توفير الطاقة APST, ASPM, L1.2 / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E)

مقارنة Adata Premier Pro Sp900 256Gbمع Pny Cs1030 Nvme M2 512Gb

الميزة

Adata Premier Pro Sp900 256Gb

Pny Cs1030 Nvme M2 512Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 545 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 535 ميجابايت في الثانية (mb/s) 1900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط 1,000,000 (MTBF) ساعة (h) 2,000,000 (MTBF) ساعة (h)
استهلاك الطاقة 0.9 واط في الوضع النشط / 0.5 واط في وضع الاستعداد -
دعم NCQ true false
دعم TRIM true true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true true
الحجم والأبعاد 7 * 69.85 * 100.45 مليمتر (mm) 2 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 68 جرام (g) 6.6 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false -
الميزات الإضافية - محسن توفير الطاقة APST, ASPM, L1.2 / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E)
الشهادات والتصديقات -

مقارنة Pny Cs1030 Nvme M2 512Gbمع Samsung 860 Pro 512Gb

الميزة

Pny Cs1030 Nvme M2 512Gb

Samsung 860 Pro 512Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 2500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 1900 ميجابايت في الثانية (mb/s) 530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM false true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 (MTBF) ساعة (h) 1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ false false
دعم TRIM true true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية محسن توفير الطاقة APST, ASPM, L1.2 / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E) -
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد 2 * 22 * 80 مليمتر (mm) 100 x 69.8 x 6.8 مم
وزن المنتج 6.6 جرام (g) 51 جرام (g)
وحدة التحكم -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
نوع الذاكرة DRAM -
الجهد التشغيلي - 5 فولت (v)
استهلاك الطاقة -
تقنية التشفير -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة Pny Cs1030 Nvme M2 512Gbمع Samsung 960 Evo 250Gb

الميزة

Pny Cs1030 Nvme M2 512Gb

Samsung 960 Evo 250Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 2500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 1900 ميجابايت في الثانية (mb/s) 1500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM false true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 (MTBF) ساعة (h) 1,500,000 ساعة (MTBF) / 100 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ false false
دعم TRIM true true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية محسن توفير الطاقة APST, ASPM, L1.2 / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E) -
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد 2 * 22 * 80 مليمتر (mm) 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج 6.6 جرام (g) 7.7 جرام (g)
وحدة التحكم -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
نوع الذاكرة DRAM -
استهلاك الطاقة -
تقنية التشفير -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة Pny Cs1030 Nvme M2 512Gbمع Samsung 960 Pro 512Gb

الميزة

Pny Cs1030 Nvme M2 512Gb

Samsung 960 Pro 512Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 2500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 1900 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2100 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM false true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 (MTBF) ساعة (h) 1,500,000 ساعة (MTBF) / 400 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ false false
دعم TRIM true true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية محسن توفير الطاقة APST, ASPM, L1.2 / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E) -
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد 2 * 22 * 80 مليمتر (mm) 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج 6.6 جرام (g) 8.3 جرام (g)
وحدة التحكم -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
نوع الذاكرة DRAM -
استهلاك الطاقة -
تقنية التشفير -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة Pny Cs1030 Nvme M2 512Gbمع Samsung 860 Qvo 1Tb

الميزة

Pny Cs1030 Nvme M2 512Gb

Samsung 860 Qvo 1Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 2500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 1900 ميجابايت في الثانية (mb/s) 520 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM false true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 (MTBF) ساعة (h) 1,500,000 ساعة (MTBF) / 360 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ false false
دعم TRIM true true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية محسن توفير الطاقة APST, ASPM, L1.2 / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E) -
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد 2 * 22 * 80 مليمتر (mm) 6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج 6.6 جرام (g) 62 جرام (g)
وحدة التحكم -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
نوع الذاكرة DRAM -
الجهد التشغيلي - 5 فولت (v)
استهلاك الطاقة -
تقنية التشفير -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة Crucial Bx500 Sata 2 5 Inch 2Tbمع Pny Cs1030 Nvme M2 512Gb

الميزة

Crucial Bx500 Sata 2 5 Inch 2Tb

Pny Cs1030 Nvme M2 512Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة 2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 540 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 1900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM false false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTTF) / 720 تيرابايت مكتوبة (TBW) 2,000,000 (MTBF) ساعة (h)
دعم NCQ false false
دعم TRIM true true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true true
الشهادات والتصديقات
الحجم والأبعاد 9 * 95 * 125 مليمتر (mm) 2 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 70 جرام (g) 6.6 جرام (g)
الميزات الإضافية - محسن توفير الطاقة APST, ASPM, L1.2 / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E)