صفحة 3 من المقارنة Pny Cs1030 Nvme M2 512Gb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة Pny Cs1030 Nvme M2 512Gbمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

الميزة	Pny Cs1030 Nvme M2 512Gb	قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة		1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		QLC
سرعة القراءة التسلسلية	2500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	1900 ميجابايت في الثانية (mb/s)	530 MB/s
ذاكرة DRAM	false	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط	2,000,000 (MTBF) ساعة (h)	1500000 saat
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
الميزات الإضافية	محسن توفير الطاقة APST, ASPM, L1.2 / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E)	-
الشهادات والتصديقات		-
الحجم والأبعاد	2 * 22 * 80 مليمتر (mm)	2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)
وزن المنتج	6.6 جرام (g)	46 g
تقنية التشفير	-	Yes
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-	98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-	88000 IOPS
الجهد التشغيلي	-	5 V

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Pny Cs1030 Nvme M2 512Gbمع سامسونج 970 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2

بي إن واي VS سامسونج

الميزة	Pny Cs1030 Nvme M2 512Gb	سامسونج 970 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		PCI Express 3.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين		Yes
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة		1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية	2500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3400 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	1900 ميجابايت في الثانية (mb/s)	2500 MB/s
ذاكرة DRAM	false	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط	2,000,000 (MTBF) ساعة (h)	1500000 saat
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
الميزات الإضافية	محسن توفير الطاقة APST, ASPM, L1.2 / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E)	-
الشهادات والتصديقات		RoHS
الحجم والأبعاد	2 * 22 * 80 مليمتر (mm)	M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
وزن المنتج	6.6 جرام (g)	8 g
تقنية التشفير	-	Yes
الجهد التشغيلي	-	3.3 V
خيارات الألوان	-	Siyah

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Pny Cs1030 Nvme M2 512Gbمع سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

بي إن واي VS سامسونج

الميزة	Pny Cs1030 Nvme M2 512Gb	سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة		250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش		V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية	2500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	1900 ميجابايت في الثانية (mb/s)	520 MB/s
ذاكرة DRAM	false	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط	2,000,000 (MTBF) ساعة (h)	1500000 saat
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
الميزات الإضافية	محسن توفير الطاقة APST, ASPM, L1.2 / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E)	-
الشهادات والتصديقات		-
الحجم والأبعاد	2 * 22 * 80 مليمتر (mm)	M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
وزن المنتج	6.6 جرام (g)	8 g
تقنية التشفير	-	Yes

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة قرص صلب داخلي HP Z Turbo 4TB M.2 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC Z4/Z6 Kit SSDمع Pny Cs1030 Nvme M2 512Gb

إتش بي VS بي إن واي

الميزة	قرص صلب داخلي HP Z Turbo 4TB M.2 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC Z4/Z6 Kit SSD	Pny Cs1030 Nvme M2 512Gb
وزن المنتج	164 g	6.6 جرام (g)
الحجم والأبعاد	82 * 30 * 12 mm	2 * 22 * 80 مليمتر (mm)
محتويات العلبة	Z Turbo 4TB 2280 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC M.2 Z4/Z6 Kit SSD, heatsink, install guide, warranty card, product notices	-
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة	-
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
سعة الذاكرة	-
مواصفات ذاكرة الفلاش	-
سرعة القراءة التسلسلية	-	2500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	-	1900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	-	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
العمر الافتراضي المتوسط	-	2,000,000 (MTBF) ساعة (h)
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	true
الميزات الإضافية	-	محسن توفير الطاقة APST, ASPM, L1.2 / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E)
الشهادات والتصديقات	-

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة قرص صلب داخلي DELL 960GB SAS Mixed Use 12Gbps 2.5in Hot-plug PM5-Vمع Pny Cs1030 Nvme M2 512Gb

ديل VS بي إن واي

الميزة	قرص صلب داخلي DELL 960GB SAS Mixed Use 12Gbps 2.5in Hot-plug PM5-V	Pny Cs1030 Nvme M2 512Gb
سعة الذاكرة	960 GB
الحجم والأبعاد	2.5"	2 * 22 * 80 مليمتر (mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة	SAS
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
مواصفات ذاكرة الفلاش	-
سرعة القراءة التسلسلية	-	2500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	-	1900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	-	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
العمر الافتراضي المتوسط	-	2,000,000 (MTBF) ساعة (h)
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	true
الميزات الإضافية	-	محسن توفير الطاقة APST, ASPM, L1.2 / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E)
الشهادات والتصديقات	-
وزن المنتج	-	6.6 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Pny Cs1030 Nvme M2 512Gbمع WD_Black SN7100 2TB NVMe SSD

بي إن واي VS سانديسك

الميزة	Pny Cs1030 Nvme M2 512Gb	WD_Black SN7100 2TB NVMe SSD
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	ألعاب؛ لابتوب
منفذ الاتصال بالذاكرة		M.2
تفاصيل الاتصال بالتخزين		PCIe Gen4 x4؛ NVMe
تصميم وأبعاد الجهاز		عامل شكل M.2 2280
سعة الذاكرة		2 تيرابايت
مواصفات ذاكرة الفلاش		TLC 3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية	2500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	7,250 ميجابايت/ثانية
سرعة الكتابة التسلسلية	1900 ميجابايت في الثانية (mb/s)	6,900 ميجابايت/ثانية
ذاكرة DRAM	false	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		-
العمر الافتراضي المتوسط	2,000,000 (MTBF) ساعة (h)	-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	-
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	-
الميزات الإضافية	محسن توفير الطاقة APST, ASPM, L1.2 / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E)	برنامج WD_BLACK Dashboard (Windows فقط)؛ كفاءة طاقة أعلى بنسبة تصل إلى 100% مقارنة بالجيل السابق؛ أداء أسرع بنسبة تصل إلى 35% مقارنة بالجيل السابق
الشهادات والتصديقات		-
الحجم والأبعاد	2 * 22 * 80 مليمتر (mm)	M.2 2280
وزن المنتج	6.6 جرام (g)	-
نوع الاتصال	-	M.2 NVMe PCIe Gen4
الأنظمة المتوافقة	-	Windows (لوظيفة لوحة التحكم)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI828مع Pny Cs1030 Nvme M2 512Gb

علامة تجارية غير معروفة VS بي إن واي

الميزة	قرص صلب داخلي AGI Technology AI828	Pny Cs1030 Nvme M2 512Gb
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
سعة الذاكرة	2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية	7400 MB/s	2500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	6700 MB/s	1900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط	1500	2,000,000 (MTBF) ساعة (h)
الجهد التشغيلي	3.3 V	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 3.5 mm)	2 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	7.5 g	6.6 جرام (g)
دعم S.M.A.R.T	true	true
دعم TRIM	true	true
الشهادات والتصديقات	BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS
تصميم وأبعاد الجهاز	-
ذاكرة DRAM	-	false
دعم NCQ	-	false
دعم RAID	-	false
الميزات الإضافية	-	محسن توفير الطاقة APST, ASPM, L1.2 / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 1 تيرابايتمع Pny Cs1030 Nvme M2 512Gb

كينغستون VS بي إن واي

الميزة	كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 1 تيرابايت	Pny Cs1030 Nvme M2 512Gb
سعة الذاكرة	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D TLC
سرعة القراءة التسلسلية	14200 MB/s	2500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	11000 MB/s	1900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	2200000 IOPS	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	2150000 IOPS	-
العمر الافتراضي المتوسط	2000000 saat	2,000,000 (MTBF) ساعة (h)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.3 mm)	2 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	7.3 g	6.6 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 5.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز	-
ذاكرة DRAM	-	false
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	true
الميزات الإضافية	-	محسن توفير الطاقة APST, ASPM, L1.2 / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E)
الشهادات والتصديقات	-

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Pny Cs1030 Nvme M2 512Gbمع سامسونج 990 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2

بي إن واي VS سامسونج

الميزة	Pny Cs1030 Nvme M2 512Gb	سامسونج 990 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين		Yes
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة		1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		V-NAND TLC
سرعة القراءة التسلسلية	2500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	5000 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	1900 ميجابايت في الثانية (mb/s)	4200 MB/s
ذاكرة DRAM	false	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		-
العمر الافتراضي المتوسط	2,000,000 (MTBF) ساعة (h)	600
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
الميزات الإضافية	محسن توفير الطاقة APST, ASPM, L1.2 / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E)	-
الشهادات والتصديقات		Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA
الحجم والأبعاد	2 * 22 * 80 مليمتر (mm)	2280 (22 x 80 mm)
وزن المنتج	6.6 جرام (g)	-
تقنية التشفير	-	Yes

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI828مع Pny Cs1030 Nvme M2 512Gb

علامة تجارية غير معروفة VS بي إن واي

الميزة	قرص صلب داخلي AGI Technology AI828	Pny Cs1030 Nvme M2 512Gb
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
سعة الذاكرة	2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية	7400 MB/s	2500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	6700 MB/s	1900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط	1500	2,000,000 (MTBF) ساعة (h)
الجهد التشغيلي	3.3 V	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 3.5 mm)	2 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	7.5 g	6.6 جرام (g)
دعم S.M.A.R.T	true	true
دعم TRIM	true	true
الشهادات والتصديقات	BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS
تصميم وأبعاد الجهاز	-
ذاكرة DRAM	-	false
دعم NCQ	-	false
دعم RAID	-	false
الميزات الإضافية	-	محسن توفير الطاقة APST, ASPM, L1.2 / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Pny Cs1030 Nvme M2 512Gbمع Seagate FireCuda 120 محرك أقراص صلبة داخلي

بي إن واي VS سيجيت

الميزة	Pny Cs1030 Nvme M2 512Gb	Seagate FireCuda 120 محرك أقراص صلبة داخلي
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		No
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة		1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		3D TLC
سرعة القراءة التسلسلية	2500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	1900 ميجابايت في الثانية (mb/s)	540 MB/s
ذاكرة DRAM	false	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط	2,000,000 (MTBF) ساعة (h)	1400
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
الميزات الإضافية	محسن توفير الطاقة APST, ASPM, L1.2 / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E)	-
الشهادات والتصديقات		RoHS
الحجم والأبعاد	2 * 22 * 80 مليمتر (mm)	2.5" (70.1 * 100.3 * 7.1 mm)
وزن المنتج	6.6 جرام (g)	50 g
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-	100000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-	90000 IOPS

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Pny Cs1030 Nvme M2 512Gbمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 4TB (موديل MZ-77Q4T0)

بي إن واي VS سامسونج

الميزة	Pny Cs1030 Nvme M2 512Gb	قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 4TB (موديل MZ-77Q4T0)
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة		4 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية	2500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	1900 ميجابايت في الثانية (mb/s)	530 MB/s
ذاكرة DRAM	false	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط	2,000,000 (MTBF) ساعة (h)	1500000 saat
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
الميزات الإضافية	محسن توفير الطاقة APST, ASPM, L1.2 / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E)	-
الشهادات والتصديقات		-
الحجم والأبعاد	2 * 22 * 80 مليمتر (mm)	2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)
وزن المنتج	6.6 جرام (g)	46 g
تقنية التشفير	-	Yes
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-	98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-	88000 IOPS
الجهد التشغيلي	-	5 V

عرض تفاصيل المقارنة