صفحة 2 من المقارنة Patriot P300 Nvme M2 128Gb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة لينوفو 4XB1M86954 قرص صلب داخليمع Patriot P300 Nvme M2 128Gb

الميزة

لينوفو 4XB1M86954 قرص صلب داخلي

Patriot P300 Nvme M2 128Gb

سعة الذاكرة 512 GB
سرعة القراءة التسلسلية 6900 MB/s 1600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 4400 MB/s 600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 80 °C 0 إلى 70 درجة مئوية
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (80 * 22 * 2.23 mm) 3.8 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 7.2 g 9 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز -
مواصفات ذاكرة الفلاش -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - false
العمر الافتراضي المتوسط - 40 (TBW) تيرابايت (tb)
استهلاك الطاقة - 2.07 واط في الوضع النشط / 0.37 واط في وضع الخمول
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - true
دعم S.M.A.R.T - true
الأنظمة المتوافقة - Windows 7 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية - خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / إمكانية مراقبة درجة حرارة الذاكرة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (ETEP) / تقنية HMB لاستخدام جزء صغير من ذاكرة الوصول العشوائي للنظام كذاكرة تخزين مؤقت
الشهادات والتصديقات -

مقارنة Patriot P300 Nvme M2 128Gbمع Predator GM7 M.2 NVMe PCIe Gen 4x4 2TB محرك أقراص صلبة داخلي

الميزة

Patriot P300 Nvme M2 128Gb

Predator GM7 M.2 NVMe PCIe Gen 4x4 2TB محرك أقراص صلبة داخلي

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 1600 ميجابايت في الثانية (mb/s) 7200 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 600 ميجابايت في الثانية (mb/s) 6300 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 925000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 974000 IOPS
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 70 درجة مئوية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 40 (TBW) تيرابايت (tb) 1500000 saat
استهلاك الطاقة 2.07 واط في الوضع النشط / 0.37 واط في وضع الخمول -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true -
دعم RAID true -
دعم S.M.A.R.T true -
الأنظمة المتوافقة Windows 7 والإصدارات الأحدث -
الميزات الإضافية خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / إمكانية مراقبة درجة حرارة الذاكرة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (ETEP) / تقنية HMB لاستخدام جزء صغير من ذاكرة الوصول العشوائي للنظام كذاكرة تخزين مؤقت -
الشهادات والتصديقات BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), KCC, RCM, RoHS, VCCI
الحجم والأبعاد 3.8 * 22 * 80 مليمتر (mm) 2280 (22 x 80 mm) (80 * 22 * 2.2 mm)
وزن المنتج 9 جرام (g) 7 g

مقارنة HP Z Turbo 512GB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit محرك أقراص صلبة داخليمع Patriot P300 Nvme M2 128Gb

الميزة

HP Z Turbo 512GB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit محرك أقراص صلبة داخلي

Patriot P300 Nvme M2 128Gb

وزن المنتج 34.4 g 9 جرام (g)
الحجم والأبعاد 82 * 30 * 12 mm 3.8 * 22 * 80 مليمتر (mm)
محتويات العلبة HP Z Turbo 512GB PCIe-4x4 Z4/Z6 SSD, heatsink, install guide, warranty card, product notices -
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة -
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة -
مواصفات ذاكرة الفلاش -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية - 1600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية - 600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط - 40 (TBW) تيرابايت (tb)
استهلاك الطاقة - 2.07 واط في الوضع النشط / 0.37 واط في وضع الخمول
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - true
دعم S.M.A.R.T - true
الأنظمة المتوافقة - Windows 7 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية - خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / إمكانية مراقبة درجة حرارة الذاكرة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (ETEP) / تقنية HMB لاستخدام جزء صغير من ذاكرة الوصول العشوائي للنظام كذاكرة تخزين مؤقت
الشهادات والتصديقات -

مقارنة Patriot P300 Nvme M2 128Gbمع محرك أقراص سيجيت Nytro 5000 SSD الداخلي

الميزة

Patriot P300 Nvme M2 128Gb

محرك أقراص سيجيت Nytro 5000 SSD الداخلي

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 3.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 1.92 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D cMLC
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 1600 ميجابايت في الثانية (mb/s) -
سرعة الكتابة التسلسلية 600 ميجابايت في الثانية (mb/s) -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 245000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 28000 IOPS
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 70 درجة مئوية -
العمر الافتراضي المتوسط 40 (TBW) تيرابايت (tb) 2000000 saat
استهلاك الطاقة 2.07 واط في الوضع النشط / 0.37 واط في وضع الخمول -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true -
دعم RAID true -
دعم S.M.A.R.T true -
الأنظمة المتوافقة Windows 7 والإصدارات الأحدث -
الميزات الإضافية خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / إمكانية مراقبة درجة حرارة الذاكرة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (ETEP) / تقنية HMB لاستخدام جزء صغير من ذاكرة الوصول العشوائي للنظام كذاكرة تخزين مؤقت -
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد 3.8 * 22 * 80 مليمتر (mm) M.2 (22 * 110 * 2 mm)
وزن المنتج 9 جرام (g) 14 g
خيارات الألوان - Black, Green

مقارنة Patriot P300 Nvme M2 128Gbمع سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

الميزة

Patriot P300 Nvme M2 128Gb

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 1600 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 600 ميجابايت في الثانية (mb/s) 520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 70 درجة مئوية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 40 (TBW) تيرابايت (tb) 1500000 saat
استهلاك الطاقة 2.07 واط في الوضع النشط / 0.37 واط في وضع الخمول -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true true
دعم RAID true -
دعم S.M.A.R.T true true
الأنظمة المتوافقة Windows 7 والإصدارات الأحدث -
الميزات الإضافية خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / إمكانية مراقبة درجة حرارة الذاكرة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (ETEP) / تقنية HMB لاستخدام جزء صغير من ذاكرة الوصول العشوائي للنظام كذاكرة تخزين مؤقت -
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد 3.8 * 22 * 80 مليمتر (mm) M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
وزن المنتج 9 جرام (g) 8 g
تقنية التشفير - Yes

مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI298مع Patriot P300 Nvme M2 128Gb

علامة تجارية غير معروفة VS باتريوت
الميزة

قرص صلب داخلي AGI Technology AI298

Patriot P300 Nvme M2 128Gb

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 3.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
سعة الذاكرة 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية 3200 MB/s 1600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 1700 MB/s 600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 600 40 (TBW) تيرابايت (tb)
الجهد التشغيلي 3.3 V -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 إلى 70 درجة مئوية
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 3.5 mm) 3.8 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 6 g 9 جرام (g)
الشهادات والتصديقات BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS, VCCI
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - false
استهلاك الطاقة - 2.07 واط في الوضع النشط / 0.37 واط في وضع الخمول
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - true
دعم S.M.A.R.T - true
الأنظمة المتوافقة - Windows 7 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية - خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / إمكانية مراقبة درجة حرارة الذاكرة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (ETEP) / تقنية HMB لاستخدام جزء صغير من ذاكرة الوصول العشوائي للنظام كذاكرة تخزين مؤقت

مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI818مع Patriot P300 Nvme M2 128Gb

علامة تجارية غير معروفة VS باتريوت
الميزة

قرص صلب داخلي AGI Technology AI818

Patriot P300 Nvme M2 128Gb

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
سعة الذاكرة 2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية 5200 MB/s 1600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 4700 MB/s 600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 1200 40 (TBW) تيرابايت (tb)
الجهد التشغيلي 3.3 V -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 إلى 70 درجة مئوية
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.1 mm) 3.8 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 7.5 g 9 جرام (g)
دعم S.M.A.R.T true true
دعم TRIM true true
الشهادات والتصديقات BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - false
استهلاك الطاقة - 2.07 واط في الوضع النشط / 0.37 واط في وضع الخمول
دعم NCQ - false
دعم RAID - true
الأنظمة المتوافقة - Windows 7 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية - خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / إمكانية مراقبة درجة حرارة الذاكرة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (ETEP) / تقنية HMB لاستخدام جزء صغير من ذاكرة الوصول العشوائي للنظام كذاكرة تخزين مؤقت

مقارنة Patriot P300 Nvme M2 128Gbمع SSD داخلي سامسونج PM981 NVMe

الميزة

Patriot P300 Nvme M2 128Gb

SSD داخلي سامسونج PM981 NVMe

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 3.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش TLC
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 1600 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3200 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 600 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2400 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 380000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 440000 IOPS
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 70 درجة مئوية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 40 (TBW) تيرابايت (tb) -
استهلاك الطاقة 2.07 واط في الوضع النشط / 0.37 واط في وضع الخمول -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true -
دعم RAID true -
دعم S.M.A.R.T true -
الأنظمة المتوافقة Windows 7 والإصدارات الأحدث -
الميزات الإضافية خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / إمكانية مراقبة درجة حرارة الذاكرة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (ETEP) / تقنية HMB لاستخدام جزء صغير من ذاكرة الوصول العشوائي للنظام كذاكرة تخزين مؤقت -
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد 3.8 * 22 * 80 مليمتر (mm) M.2
وزن المنتج 9 جرام (g) 9 g
خيارات الألوان - Black, Green

مقارنة SSD داخلي لينوفو 4XB1L68661مع Patriot P300 Nvme M2 128Gb

الميزة

SSD داخلي لينوفو 4XB1L68661

Patriot P300 Nvme M2 128Gb

سعة الذاكرة 512 GB
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 80 °C 0 إلى 70 درجة مئوية
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (80 * 22 * 2.38 mm) 3.8 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 6.5 g 9 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز -
مواصفات ذاكرة الفلاش -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية - 1600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية - 600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - false
العمر الافتراضي المتوسط - 40 (TBW) تيرابايت (tb)
استهلاك الطاقة - 2.07 واط في الوضع النشط / 0.37 واط في وضع الخمول
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - true
دعم S.M.A.R.T - true
الأنظمة المتوافقة - Windows 7 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية - خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / إمكانية مراقبة درجة حرارة الذاكرة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (ETEP) / تقنية HMB لاستخدام جزء صغير من ذاكرة الوصول العشوائي للنظام كذاكرة تخزين مؤقت
الشهادات والتصديقات -

مقارنة قرص صلب داخلي كينغستون NV3 M.2 2230 NVMe بسعة 2 تيرابايتمع Patriot P300 Nvme M2 128Gb

الميزة

قرص صلب داخلي كينغستون NV3 M.2 2230 NVMe بسعة 2 تيرابايت

Patriot P300 Nvme M2 128Gb

سعة الذاكرة 2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية 6000 MB/s 1600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 5000 MB/s 600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 640 40 (TBW) تيرابايت (tb)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 إلى 70 درجة مئوية
الحجم والأبعاد 2230 (22 x 30 mm) (30 * 22 * 2.3 mm) 3.8 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 2.8 g 9 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - false
استهلاك الطاقة - 2.07 واط في الوضع النشط / 0.37 واط في وضع الخمول
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - true
دعم S.M.A.R.T - true
الأنظمة المتوافقة - Windows 7 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية - خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / إمكانية مراقبة درجة حرارة الذاكرة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (ETEP) / تقنية HMB لاستخدام جزء صغير من ذاكرة الوصول العشوائي للنظام كذاكرة تخزين مؤقت
الشهادات والتصديقات -

مقارنة Patriot P300 Nvme M2 128Gbمع سامسونج 970 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2

الميزة

Patriot P300 Nvme M2 128Gb

سامسونج 970 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 3.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 1600 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3400 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 600 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2500 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 70 درجة مئوية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 40 (TBW) تيرابايت (tb) 1500000 saat
استهلاك الطاقة 2.07 واط في الوضع النشط / 0.37 واط في وضع الخمول -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true true
دعم RAID true -
دعم S.M.A.R.T true true
الأنظمة المتوافقة Windows 7 والإصدارات الأحدث -
الميزات الإضافية خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / إمكانية مراقبة درجة حرارة الذاكرة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (ETEP) / تقنية HMB لاستخدام جزء صغير من ذاكرة الوصول العشوائي للنظام كذاكرة تخزين مؤقت -
الشهادات والتصديقات RoHS
الحجم والأبعاد 3.8 * 22 * 80 مليمتر (mm) M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
وزن المنتج 9 جرام (g) 8 g
تقنية التشفير - Yes
الجهد التشغيلي - 3.3 V
خيارات الألوان - Siyah

مقارنة Patriot P300 Nvme M2 128Gbمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

الميزة

Patriot P300 Nvme M2 128Gb

قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش QLC
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 1600 ميجابايت في الثانية (mb/s) 560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 600 ميجابايت في الثانية (mb/s) 530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 88000 IOPS
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 70 درجة مئوية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 40 (TBW) تيرابايت (tb) 1500000 saat
استهلاك الطاقة 2.07 واط في الوضع النشط / 0.37 واط في وضع الخمول -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true true
دعم RAID true -
دعم S.M.A.R.T true true
الأنظمة المتوافقة Windows 7 والإصدارات الأحدث -
الميزات الإضافية خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / إمكانية مراقبة درجة حرارة الذاكرة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (ETEP) / تقنية HMB لاستخدام جزء صغير من ذاكرة الوصول العشوائي للنظام كذاكرة تخزين مؤقت -
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد 3.8 * 22 * 80 مليمتر (mm) 2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)
وزن المنتج 9 جرام (g) 46 g
تقنية التشفير - Yes
الجهد التشغيلي - 5 V