صفحة 4 من المقارنة Ocpc Mhp 300 Heatsink Nvme M2 256Gb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة Ocpc Mhp 300 Heatsink Nvme M2 256Gbمع سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

الميزة

Ocpc Mhp 300 Heatsink Nvme M2 256Gb

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 250 GB
سرعة القراءة التسلسلية 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 1300 ميجابايت في الثانية (mb/s) 520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true true
الأنظمة المتوافقة Windows / macOS / Linux -
الميزات الإضافية خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) -
مؤشر الحالة LED false -
تقنية التشفير - Yes
مواصفات ذاكرة الفلاش - V-NAND MLC
العمر الافتراضي المتوسط - 1500000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد - M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
وزن المنتج - 8 g

مقارنة Ocpc Mhp 300 Heatsink Nvme M2 256Gbمع محرك أقراص XPG GAMMIX S60 SSD الداخلي

الميزة

Ocpc Mhp 300 Heatsink Nvme M2 256Gb

محرك أقراص XPG GAMMIX S60 SSD الداخلي

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 1 TB
سرعة القراءة التسلسلية 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 5000 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 1300 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3200 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true -
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true true
الأنظمة المتوافقة Windows / macOS / Linux -
الميزات الإضافية خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) -
مؤشر الحالة LED false -
مواصفات ذاكرة الفلاش - 3D NAND
العمر الافتراضي المتوسط - 250
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد - 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 3.13 mm)
وزن المنتج - 8 g
تقنية التشفير - Yes

مقارنة Ocpc Mhp 300 Heatsink Nvme M2 256Gbمع

الميزة

Ocpc Mhp 300 Heatsink Nvme M2 256Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي ذاكرة فلاش NAND
منفذ الاتصال بالذاكرة M.2 2280
تفاصيل الاتصال بالتخزين PCIe Gen 4x4 / PCIe Gen 5x2
تصميم وأبعاد الجهاز عامل شكل M.2 2280
سعة الذاكرة 1 تيرابايت
سرعة القراءة التسلسلية 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 7150 ميجابايت/ثانية
سرعة الكتابة التسلسلية 1300 ميجابايت في الثانية (mb/s) -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true -
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true -
الأنظمة المتوافقة Windows / macOS / Linux كمبيوتر شخصي، أجهزة كمبيوتر محمولة
الميزات الإضافية خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) تقنية HMB، Intelligent Turbowrite 2.0
مؤشر الحالة LED false -
نوع الاتصال - NVMe
مواصفات ذاكرة الفلاش - أحدث ذاكرة NAND
وحدة التحكم - وحدة تحكم مطلية بالنيكل
تقنية التشفير -
الحجم والأبعاد - M.2 2280
محتويات العلبة - SSD (MZ-V9S1T0B/AM)
استهلاك الطاقة - فعال

مقارنة قرص صلب داخلي جيجابايت اوروس Gen4 7300مع Ocpc Mhp 300 Heatsink Nvme M2 256Gb

الميزة

قرص صلب داخلي جيجابايت اوروس Gen4 7300

Ocpc Mhp 300 Heatsink Nvme M2 256Gb

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تقنية التشفير Yes -
دعم S.M.A.R.T true true
دعم TRIM true true
سعة الذاكرة 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D TLC NAND -
سرعة القراءة التسلسلية 7300 MB/s 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 6000 MB/s 1300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 700 -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C -
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.3 mm) -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - false
دعم NCQ - false
دعم RAID - false
الأنظمة المتوافقة - Windows / macOS / Linux
الميزات الإضافية - خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ)
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة قرص صلب داخلي ADATA SMAR-980B-2TCSمع Ocpc Mhp 300 Heatsink Nvme M2 256Gb

الميزة

قرص صلب داخلي ADATA SMAR-980B-2TCS

Ocpc Mhp 300 Heatsink Nvme M2 256Gb

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 5.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تقنية التشفير Yes -
سعة الذاكرة 2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND -
سرعة القراءة التسلسلية 14000 MB/s 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 13000 MB/s 1300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 2000000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 1650000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 1480 -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C -
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (80 * 22 * 4.5 mm) -
وزن المنتج 12 g -
الشهادات والتصديقات BSMI, CE, EAC, Federal Communications Commission (FCC), KC, RCM, RoHS, UKCA -
تصميم وأبعاد الجهاز -
ذاكرة DRAM - false
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - true
الأنظمة المتوافقة - Windows / macOS / Linux
الميزات الإضافية - خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ)
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة قرص صلب داخلي كينغستون NV3 M.2 2230 NVMe بسعة 2 تيرابايتمع Ocpc Mhp 300 Heatsink Nvme M2 256Gb

الميزة

قرص صلب داخلي كينغستون NV3 M.2 2230 NVMe بسعة 2 تيرابايت

Ocpc Mhp 300 Heatsink Nvme M2 256Gb

سعة الذاكرة 2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND -
سرعة القراءة التسلسلية 6000 MB/s 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 5000 MB/s 1300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 640 -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C -
الحجم والأبعاد 2230 (22 x 30 mm) (30 * 22 * 2.3 mm) -
وزن المنتج 2.8 g -
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - false
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - true
الأنظمة المتوافقة - Windows / macOS / Linux
الميزات الإضافية - خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ)
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة Ocpc Mhp 300 Heatsink Nvme M2 256Gbمع سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

الميزة

Ocpc Mhp 300 Heatsink Nvme M2 256Gb

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 250 GB
سرعة القراءة التسلسلية 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 1300 ميجابايت في الثانية (mb/s) 520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true true
الأنظمة المتوافقة Windows / macOS / Linux -
الميزات الإضافية خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) -
مؤشر الحالة LED false -
تقنية التشفير - Yes
مواصفات ذاكرة الفلاش - V-NAND MLC
العمر الافتراضي المتوسط - 1500000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد - M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
وزن المنتج - 8 g

مقارنة Ocpc Mhp 300 Heatsink Nvme M2 256Gbمع SSD داخلي سامسونج PM981 NVMe

الميزة

Ocpc Mhp 300 Heatsink Nvme M2 256Gb

SSD داخلي سامسونج PM981 NVMe

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 3.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 1 TB
سرعة القراءة التسلسلية 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3200 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 1300 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2400 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 380000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 440000 IOPS
ذاكرة DRAM false -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true -
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true -
الأنظمة المتوافقة Windows / macOS / Linux -
الميزات الإضافية خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) -
مؤشر الحالة LED false -
مواصفات ذاكرة الفلاش - TLC
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد - M.2
وزن المنتج - 9 g
خيارات الألوان - Black, Green

مقارنة كينغستون 7.68 تيرابايت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe SSD للمؤسساتمع Ocpc Mhp 300 Heatsink Nvme M2 256Gb

الميزة

كينغستون 7.68 تيرابايت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe SSD للمؤسسات

Ocpc Mhp 300 Heatsink Nvme M2 256Gb

تقنية التشفير Yes -
سعة الذاكرة 7.68 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D eTLC -
سرعة القراءة التسلسلية 14000 MB/s 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 10000 MB/s 1300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 2800000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 500000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 2000000 saat -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C -
الحجم والأبعاد U.2 (69.8 * 100.5 * 14.8 mm) -
وزن المنتج 151.3 g -
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 5.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز -
ذاكرة DRAM - false
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - true
الأنظمة المتوافقة - Windows / macOS / Linux
الميزات الإضافية - خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ)
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة Ocpc Mhp 300 Heatsink Nvme M2 256Gbمع

الميزة

Ocpc Mhp 300 Heatsink Nvme M2 256Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي SSD داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة M.2 2280
تفاصيل الاتصال بالتخزين PCIe 4.0 x4 NVMe
تصميم وأبعاد الجهاز عامل شكل M.2 2280
سعة الذاكرة 1 تيرابايت
سرعة القراءة التسلسلية 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s) تصل إلى 7,450 ميجابايت/ثانية
سرعة الكتابة التسلسلية 1300 ميجابايت في الثانية (mb/s) تصل إلى 6,900 ميجابايت/ثانية
سرعة القراءة العشوائية للبيانات تصل إلى 1,400 ألف عملية إدخال/إخراج في الثانية
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات تصل إلى 1,550 ألف عملية إدخال/إخراج في الثانية
ذاكرة DRAM false نعم
دعم NCQ false نعم
دعم TRIM true نعم
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true نعم
الأنظمة المتوافقة Windows / macOS / Linux Windows، macOS، Linux (مع دعم NVMe)
الميزات الإضافية خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) برنامج Samsung Magician، التحكم الحراري الذكي، متوافق مع PS5
مؤشر الحالة LED false -
نوع الاتصال - M.2 NVMe PCIe 4.0
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 درجة مئوية إلى 70 درجة مئوية
مواصفات ذاكرة الفلاش - Samsung V-NAND
وحدة التحكم - Samsung Elpis Controller
العمر الافتراضي المتوسط - غير متوفر (لم يتم تحديد TBW في الميزات الأولية)
تقنية التشفير - تشفير AES 256 بت
خيارات الألوان - أسود
الحجم والأبعاد - M.2 2280 (80 مم × 22 مم × 2.38 مم)
وزن المنتج - تقريبًا 8.0 جرام
محتويات العلبة - SSD، دليل التثبيت، دليل الضمان
استهلاك الطاقة - أداء محسّن لكل واط مقارنة بـ 980 PRO

مقارنة محرك أقراص DELL 345-BGPN SSD الداخليمع Ocpc Mhp 300 Heatsink Nvme M2 256Gb

الميزة

محرك أقراص DELL 345-BGPN SSD الداخلي

Ocpc Mhp 300 Heatsink Nvme M2 256Gb

سعة الذاكرة 1.6 TB
الحجم والأبعاد 2.5" -
منفذ الاتصال بالذاكرة SAS
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تقنية التشفير Yes -
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سرعة القراءة التسلسلية - 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية - 1300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - false
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - true
الأنظمة المتوافقة - Windows / macOS / Linux
الميزات الإضافية - خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ)
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة Ocpc Mhp 300 Heatsink Nvme M2 256Gbمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 4TB (موديل MZ-77Q4T0)

الميزة

Ocpc Mhp 300 Heatsink Nvme M2 256Gb

قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 4TB (موديل MZ-77Q4T0)

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 4 TB
سرعة القراءة التسلسلية 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 1300 ميجابايت في الثانية (mb/s) 530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 88000 IOPS
ذاكرة DRAM false -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true true
الأنظمة المتوافقة Windows / macOS / Linux -
الميزات الإضافية خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) -
مؤشر الحالة LED false -
تقنية التشفير - Yes
مواصفات ذاكرة الفلاش - V-NAND MLC
العمر الافتراضي المتوسط - 1500000 saat
الجهد التشغيلي - 5 V
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد - 2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)
وزن المنتج - 46 g