مقارنة Ocpc Mbl 400 Nvme M2 512Gb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة Ocpc Mbl 400 Nvme M2 512Gbمع

الميزة	Ocpc Mbl 400 Nvme M2 512Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة		M.2
تفاصيل الاتصال بالتخزين		NVMe PCIe Gen4 x4
تصميم وأبعاد الجهاز		عامل شكل M.2 2280
سعة الذاكرة		-
سرعة القراءة التسلسلية	5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	تصل إلى 7,100 ميجابايت/ثانية
سرعة الكتابة التسلسلية	2700 ميجابايت في الثانية (mb/s)	تصل إلى 6,000 ميجابايت/ثانية
ذاكرة DRAM	false	-
الأنظمة المتوافقة	Windows / macOS / Linux	Windows، أجهزة الكمبيوتر المحمولة، أجهزة الكمبيوتر المكتبية، وحدات تحكم الألعاب المحمولة المختارة (ROG Ally X، Lenovo Legion Go، AYANEO Kun)
الحجم والأبعاد	3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)	M.2 2280
وزن المنتج	10 جرام (g)	-
مؤشر الحالة LED	false	-
نوع الاتصال	-	PCIe Gen4 NVMe
مواصفات ذاكرة الفلاش	-	Micron G8 NAND
الميزات الإضافية	-	برنامج استعادة بيانات Acronis، التحكم الحراري
محتويات العلبة	-	ترخيص/مفتاح برنامج استعادة بيانات Acronis

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Ocpc Mbl 400 Nvme M2 512Gbمع

أو سي بي سي VS سامسونغ

الميزة	Ocpc Mbl 400 Nvme M2 512Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	ذاكرة فلاش NAND
منفذ الاتصال بالذاكرة		M.2 2280
تفاصيل الاتصال بالتخزين		PCIe Gen 4x4 / PCIe Gen 5x2
تصميم وأبعاد الجهاز		عامل شكل M.2 2280
سعة الذاكرة		1 تيرابايت
سرعة القراءة التسلسلية	5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	7150 ميجابايت/ثانية
سرعة الكتابة التسلسلية	2700 ميجابايت في الثانية (mb/s)	-
ذاكرة DRAM	false	-
الأنظمة المتوافقة	Windows / macOS / Linux	كمبيوتر شخصي، أجهزة كمبيوتر محمولة
الحجم والأبعاد	3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)	M.2 2280
وزن المنتج	10 جرام (g)	-
مؤشر الحالة LED	false	-
نوع الاتصال	-	NVMe
مواصفات ذاكرة الفلاش	-	أحدث ذاكرة NAND
وحدة التحكم	-	وحدة تحكم مطلية بالنيكل
الميزات الإضافية	-	تقنية HMB، Intelligent Turbowrite 2.0
تقنية التشفير	-
محتويات العلبة	-	SSD (MZ-V9S1T0B/AM)
استهلاك الطاقة	-	فعال

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Ocpc Mbl 400 Nvme M2 512Gbمع KingSpec 512GB NVMe Gen3x4 SSD M.2 2280

أو سي بي سي VS كينغسبيك

الميزة	Ocpc Mbl 400 Nvme M2 512Gb	KingSpec 512GB NVMe Gen3x4 SSD M.2 2280
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	محرك أقراص الحالة الصلبة داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة		M.2 2280
تفاصيل الاتصال بالتخزين		NVMe Gen3x4
تصميم وأبعاد الجهاز		عامل شكل M.2 2280
سعة الذاكرة		512 جيجابايت
سرعة القراءة التسلسلية	5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	تصل إلى 2400 ميجابايت/ثانية
سرعة الكتابة التسلسلية	2700 ميجابايت في الثانية (mb/s)	-
ذاكرة DRAM	false	-
الأنظمة المتوافقة	Windows / macOS / Linux	Windows 7-10، RHEL، CentOS، Linux، Ubuntu
الحجم والأبعاد	3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)	M.2 2280
وزن المنتج	10 جرام (g)	-
مؤشر الحالة LED	false	-
نوع الاتصال	-	NVMe Gen3x4
مواصفات ذاكرة الفلاش	-	ذاكرة فلاش NAND ثلاثية الأبعاد (TLC/QLC)
وحدة التحكم	-	وحدة تحكم رئيسية عالية الجودة
دعم TRIM	-	نعم
دعم S.M.A.R.T	-	نعم
الميزات الإضافية	-	تسوية التآكل، LDPC ECC، حماية البيانات من طرف إلى طرف
محتويات العلبة	-	SSD، وثائق

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Ocpc Mbl 400 Nvme M2 512Gbمع

أو سي بي سي VS سامسونغ

الميزة	Ocpc Mbl 400 Nvme M2 512Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	SSD داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة		M.2 2280
تفاصيل الاتصال بالتخزين		PCIe 4.0 x4 NVMe
تصميم وأبعاد الجهاز		عامل شكل M.2 2280
سعة الذاكرة		1 تيرابايت
سرعة القراءة التسلسلية	5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	تصل إلى 7,450 ميجابايت/ثانية
سرعة الكتابة التسلسلية	2700 ميجابايت في الثانية (mb/s)	تصل إلى 6,900 ميجابايت/ثانية
ذاكرة DRAM	false	نعم
الأنظمة المتوافقة	Windows / macOS / Linux	Windows، macOS، Linux (مع دعم NVMe)
الحجم والأبعاد	3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)	M.2 2280 (80 مم × 22 مم × 2.38 مم)
وزن المنتج	10 جرام (g)	تقريبًا 8.0 جرام
مؤشر الحالة LED	false	-
نوع الاتصال	-	M.2 NVMe PCIe 4.0
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 درجة مئوية إلى 70 درجة مئوية
مواصفات ذاكرة الفلاش	-	Samsung V-NAND
وحدة التحكم	-	Samsung Elpis Controller
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-	تصل إلى 1,400 ألف عملية إدخال/إخراج في الثانية
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-	تصل إلى 1,550 ألف عملية إدخال/إخراج في الثانية
العمر الافتراضي المتوسط	-	غير متوفر (لم يتم تحديد TBW في الميزات الأولية)
دعم NCQ	-	نعم
دعم TRIM	-	نعم
دعم S.M.A.R.T	-	نعم
الميزات الإضافية	-	برنامج Samsung Magician، التحكم الحراري الذكي، متوافق مع PS5
تقنية التشفير	-	تشفير AES 256 بت
خيارات الألوان	-	أسود
محتويات العلبة	-	SSD، دليل التثبيت، دليل الضمان
استهلاك الطاقة	-	أداء محسّن لكل واط مقارنة بـ 980 PRO

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة قرص صلب داخلي كينغستون NV3 M.2 2230 NVMe بسعة 2 تيرابايتمع Ocpc Mbl 400 Nvme M2 512Gb

كينغستون VS أو سي بي سي

الميزة	قرص صلب داخلي كينغستون NV3 M.2 2230 NVMe بسعة 2 تيرابايت	Ocpc Mbl 400 Nvme M2 512Gb
سعة الذاكرة	2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D NAND	-
سرعة القراءة التسلسلية	6000 MB/s	5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	5000 MB/s	2700 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط	640	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	-
الحجم والأبعاد	2230 (22 x 30 mm) (30 * 22 * 2.3 mm)	3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	2.8 g	10 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز	-
ذاكرة DRAM	-	false
الأنظمة المتوافقة	-	Windows / macOS / Linux
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة قرص صلب داخلي HP Z Turbo 4TB M.2 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC Z4/Z6 Kit SSDمع Ocpc Mbl 400 Nvme M2 512Gb

إتش بي VS أو سي بي سي

الميزة	قرص صلب داخلي HP Z Turbo 4TB M.2 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC Z4/Z6 Kit SSD	Ocpc Mbl 400 Nvme M2 512Gb
وزن المنتج	164 g	10 جرام (g)
الحجم والأبعاد	82 * 30 * 12 mm	3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
محتويات العلبة	Z Turbo 4TB 2280 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC M.2 Z4/Z6 Kit SSD, heatsink, install guide, warranty card, product notices	-
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة	-
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
سعة الذاكرة	-
سرعة القراءة التسلسلية	-	5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	-	2700 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	-	false
الأنظمة المتوافقة	-	Windows / macOS / Linux
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Ocpc Mbl 400 Nvme M2 512Gbمع WD_Black SN7100 2TB NVMe SSD

أو سي بي سي VS سانديسك

الميزة	Ocpc Mbl 400 Nvme M2 512Gb	WD_Black SN7100 2TB NVMe SSD
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	ألعاب؛ لابتوب
منفذ الاتصال بالذاكرة		M.2
تفاصيل الاتصال بالتخزين		PCIe Gen4 x4؛ NVMe
تصميم وأبعاد الجهاز		عامل شكل M.2 2280
سعة الذاكرة		2 تيرابايت
سرعة القراءة التسلسلية	5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	7,250 ميجابايت/ثانية
سرعة الكتابة التسلسلية	2700 ميجابايت في الثانية (mb/s)	6,900 ميجابايت/ثانية
ذاكرة DRAM	false	-
الأنظمة المتوافقة	Windows / macOS / Linux	Windows (لوظيفة لوحة التحكم)
الحجم والأبعاد	3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)	M.2 2280
وزن المنتج	10 جرام (g)	-
مؤشر الحالة LED	false	-
نوع الاتصال	-	M.2 NVMe PCIe Gen4
مواصفات ذاكرة الفلاش	-	TLC 3D NAND
الميزات الإضافية	-	برنامج WD_BLACK Dashboard (Windows فقط)؛ كفاءة طاقة أعلى بنسبة تصل إلى 100% مقارنة بالجيل السابق؛ أداء أسرع بنسبة تصل إلى 35% مقارنة بالجيل السابق

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Ocpc Mbl 400 Nvme M2 512Gbمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 4TB (موديل MZ-77Q4T0)

أو سي بي سي VS سامسونج

الميزة	Ocpc Mbl 400 Nvme M2 512Gb	قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 4TB (موديل MZ-77Q4T0)
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة		4 TB
سرعة القراءة التسلسلية	5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	2700 ميجابايت في الثانية (mb/s)	530 MB/s
ذاكرة DRAM	false	-
الأنظمة المتوافقة	Windows / macOS / Linux	-
الحجم والأبعاد	3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)	2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)
وزن المنتج	10 جرام (g)	46 g
مؤشر الحالة LED	false	-
تقنية التشفير	-	Yes
دعم S.M.A.R.T	-	true
دعم TRIM	-	true
مواصفات ذاكرة الفلاش	-	V-NAND MLC
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-	98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-	88000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	-	1500000 saat
الجهد التشغيلي	-	5 V
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 - 70 °C

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة لينوفو 4XB1M86954 قرص صلب داخليمع Ocpc Mbl 400 Nvme M2 512Gb

لينوفو VS أو سي بي سي

الميزة	لينوفو 4XB1M86954 قرص صلب داخلي	Ocpc Mbl 400 Nvme M2 512Gb
سعة الذاكرة	512 GB
سرعة القراءة التسلسلية	6900 MB/s	5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	4400 MB/s	2700 ميجابايت في الثانية (mb/s)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 80 °C	-
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (80 * 22 * 2.23 mm)	3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	7.2 g	10 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز	-
ذاكرة DRAM	-	false
الأنظمة المتوافقة	-	Windows / macOS / Linux
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة قرص صلب داخلي DELL 960GB SAS Mixed Use 12Gbps 2.5in Hot-plug PM5-Vمع Ocpc Mbl 400 Nvme M2 512Gb

ديل VS أو سي بي سي

الميزة	قرص صلب داخلي DELL 960GB SAS Mixed Use 12Gbps 2.5in Hot-plug PM5-V	Ocpc Mbl 400 Nvme M2 512Gb
سعة الذاكرة	960 GB
الحجم والأبعاد	2.5"	3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة	SAS
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
سرعة القراءة التسلسلية	-	5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	-	2700 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	-	false
الأنظمة المتوافقة	-	Windows / macOS / Linux
وزن المنتج	-	10 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 4 تيرابايتمع Ocpc Mbl 400 Nvme M2 512Gb

كينغستون VS أو سي بي سي

الميزة	كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 4 تيرابايت	Ocpc Mbl 400 Nvme M2 512Gb
سعة الذاكرة	4 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D TLC	-
سرعة القراءة التسلسلية	14800 MB/s	5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	14000 MB/s	2700 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	2200000 IOPS	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	2200000 IOPS	-
العمر الافتراضي المتوسط	2000000 saat	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	-
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.3 mm)	3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	7.7 g	10 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 5.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز	-
ذاكرة DRAM	-	false
الأنظمة المتوافقة	-	Windows / macOS / Linux
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة كينغستون 3.84 تيرابايت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe SSD للمؤسساتمع Ocpc Mbl 400 Nvme M2 512Gb

كينغستون VS أو سي بي سي

الميزة	كينغستون 3.84 تيرابايت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe SSD للمؤسسات	Ocpc Mbl 400 Nvme M2 512Gb
تقنية التشفير	Yes	-
سعة الذاكرة	3.84 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D eTLC	-
سرعة القراءة التسلسلية	14000 MB/s	5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	5800 MB/s	2700 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	2700000 IOPS	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	300000 IOPS	-
العمر الافتراضي المتوسط	2000000 saat	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	-
الحجم والأبعاد	U.2 (69.8 * 100.5 * 14.8 mm)	3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	146.2 g	10 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 5.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز	-
ذاكرة DRAM	-	false
الأنظمة المتوافقة	-	Windows / macOS / Linux
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة