صفحة 5 من المقارنة Ocpc Mbl 400 Nvme M2 1Tb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة محرك أقراص لينوفو 4XB7A90886 SSD الداخليمع Ocpc Mbl 400 Nvme M2 1Tb

الميزة

محرك أقراص لينوفو 4XB7A90886 SSD الداخلي

Ocpc Mbl 400 Nvme M2 1Tb

سعة الذاكرة 1.92 TB 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND TLC
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 82000 IOPS -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 47500 IOPS -
العمر الافتراضي المتوسط 2000000 saat -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C -
الحجم والأبعاد 2.5" (70 * 100 * 7 mm) 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين No
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تقنية التشفير No -
دعم S.M.A.R.T true -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سرعة القراءة التسلسلية - 5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية - 4600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM - false
الأنظمة المتوافقة - Windows / macOS / Linux
وزن المنتج - 10 جرام (g)
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة Ocpc Mbl 400 Nvme M2 1Tbمع محرك أقراص سيجيت Nytro 5000 SSD الداخلي

الميزة

Ocpc Mbl 400 Nvme M2 1Tb

محرك أقراص سيجيت Nytro 5000 SSD الداخلي

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 3.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb) 1.92 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D cMLC
سرعة القراءة التسلسلية 5000 ميجابايت في الثانية (mb/s) -
سرعة الكتابة التسلسلية 4600 ميجابايت في الثانية (mb/s) -
ذاكرة DRAM false -
الأنظمة المتوافقة Windows / macOS / Linux -
الحجم والأبعاد 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm) M.2 (22 * 110 * 2 mm)
وزن المنتج 10 جرام (g) 14 g
مؤشر الحالة LED false -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 245000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 28000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط - 2000000 saat
خيارات الألوان - Black, Green

مقارنة كينغستون 7.68 تيرابايت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe SSD للمؤسساتمع Ocpc Mbl 400 Nvme M2 1Tb

الميزة

كينغستون 7.68 تيرابايت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe SSD للمؤسسات

Ocpc Mbl 400 Nvme M2 1Tb

تقنية التشفير Yes -
سعة الذاكرة 7.68 TB 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D eTLC
سرعة القراءة التسلسلية 14000 MB/s 5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 10000 MB/s 4600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 2800000 IOPS -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 500000 IOPS -
العمر الافتراضي المتوسط 2000000 saat -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C -
الحجم والأبعاد U.2 (69.8 * 100.5 * 14.8 mm) 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 151.3 g 10 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 5.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز -
ذاكرة DRAM - false
الأنظمة المتوافقة - Windows / macOS / Linux
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة لينوفو 4XB1M86954 قرص صلب داخليمع Ocpc Mbl 400 Nvme M2 1Tb

الميزة

لينوفو 4XB1M86954 قرص صلب داخلي

Ocpc Mbl 400 Nvme M2 1Tb

سعة الذاكرة 512 GB 1 تيرابايت (tb)
سرعة القراءة التسلسلية 6900 MB/s 5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 4400 MB/s 4600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 80 °C -
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (80 * 22 * 2.23 mm) 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 7.2 g 10 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز -
مواصفات ذاكرة الفلاش -
ذاكرة DRAM - false
الأنظمة المتوافقة - Windows / macOS / Linux
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة كينغستون NV3 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2230 سعة 500 جيجابايتمع Ocpc Mbl 400 Nvme M2 1Tb

الميزة

كينغستون NV3 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2230 سعة 500 جيجابايت

Ocpc Mbl 400 Nvme M2 1Tb

سعة الذاكرة 500 GB 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية 5000 MB/s 5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 3000 MB/s 4600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 160 -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C -
الحجم والأبعاد 2230 (22 x 30 mm) (30 * 22 * 2.3 mm) 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 2.6 g 10 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز -
ذاكرة DRAM - false
الأنظمة المتوافقة - Windows / macOS / Linux
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 4 تيرابايتمع Ocpc Mbl 400 Nvme M2 1Tb

الميزة

كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 4 تيرابايت

Ocpc Mbl 400 Nvme M2 1Tb

سعة الذاكرة 4 TB 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D TLC
سرعة القراءة التسلسلية 14800 MB/s 5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 14000 MB/s 4600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 2200000 IOPS -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 2200000 IOPS -
العمر الافتراضي المتوسط 2000000 saat -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C -
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.3 mm) 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 7.7 g 10 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 5.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز -
ذاكرة DRAM - false
الأنظمة المتوافقة - Windows / macOS / Linux
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة Ocpc Mbl 400 Nvme M2 1Tbمع SSD داخلي سيجيت Nytro 5350S

الميزة

Ocpc Mbl 400 Nvme M2 1Tb

SSD داخلي سيجيت Nytro 5350S

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb) 15 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D eTLC
سرعة القراءة التسلسلية 5000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 7400 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 4600 ميجابايت في الثانية (mb/s) 7200 MB/s
ذاكرة DRAM false -
الأنظمة المتوافقة Windows / macOS / Linux -
الحجم والأبعاد 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm) 2.5" (70.1 * 100.4 * 14.9 mm)
وزن المنتج 10 جرام (g) 205 g
مؤشر الحالة LED false -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 1700000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 195000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط - 2500000 saat
الجهد التشغيلي - 12 V
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 - 70 °C

مقارنة Kingston A400 240Gbمع Ocpc Mbl 400 Nvme M2 1Tb

الميزة

Kingston A400 240Gb

Ocpc Mbl 400 Nvme M2 1Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 350 ميجابايت في الثانية (mb/s) 4600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM false false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
العمر الافتراضي المتوسط 1,000,000 ساعة (MTBF) / 80 تيرابايت مكتوبة (TBW) -
استهلاك الطاقة 0.279 واط في المتوسط / 0.642 واط في وضع القراءة / 1.535 واط في وضع الكتابة / 0.195 واط في وضع الاستعداد -
دعم NCQ false -
دعم TRIM false -
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T false -
الميزات الإضافية -
الحجم والأبعاد 7 * 69.9 * 100 مليمتر (mm) 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 41 جرام (g) 10 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
الأنظمة المتوافقة - Windows / macOS / Linux

مقارنة Crucial Bx500 Sata 2 5 Inch 1Tbمع Ocpc Mbl 400 Nvme M2 1Tb

الميزة

Crucial Bx500 Sata 2 5 Inch 1Tb

Ocpc Mbl 400 Nvme M2 1Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb) 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 540 ميجابايت في الثانية (mb/s) 5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 4600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM false false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTTF) / 360 تيرابايت مكتوبة (TBW) -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true -
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true -
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد 9 * 95 * 125 مليمتر (mm) 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 70 جرام (g) 10 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
الأنظمة المتوافقة - Windows / macOS / Linux

مقارنة Ocpc Mbl 400 Nvme M2 1Tbمع Samsung 960 Evo 1Tb

الميزة

Ocpc Mbl 400 Nvme M2 1Tb

Samsung 960 Evo 1Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb) 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 5000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 4600 ميجابايت في الثانية (mb/s) 1900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM false true
الأنظمة المتوافقة Windows / macOS / Linux -
الحجم والأبعاد 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm) 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج 10 جرام (g) 8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
وحدة التحكم -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
العمر الافتراضي المتوسط - 1,500,000 ساعة (MTBF) / 400 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - true
تقنية التشفير -

مقارنة Ocpc Mbl 400 Nvme M2 1Tbمع Seagate Firecuda 530 Heatsink 1Tb

الميزة

Ocpc Mbl 400 Nvme M2 1Tb

Seagate Firecuda 530 Heatsink 1Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb) 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 5000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 7300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 4600 ميجابايت في الثانية (mb/s) 6000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM false false
الأنظمة المتوافقة Windows / macOS / Linux -
الحجم والأبعاد 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm) 11.04 * 24.2 * 80.16 مليمتر (mm)
وزن المنتج 10 جرام (g) 47 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
العمر الافتراضي المتوسط - 1,800,000 ساعة (MTBF) / 1275 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة - 6.5 واط في الوضع النشط / 0.016 واط في وضع الخمول
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - true
الشهادات والتصديقات -

مقارنة Ocpc Mbl 400 Nvme M2 1Tbمع Samsung 860 Qvo 1Tb

الميزة

Ocpc Mbl 400 Nvme M2 1Tb

Samsung 860 Qvo 1Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb) 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 5000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 4600 ميجابايت في الثانية (mb/s) 520 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM false true
الأنظمة المتوافقة Windows / macOS / Linux -
الحجم والأبعاد 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm) 6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج 10 جرام (g) 62 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
وحدة التحكم -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
الجهد التشغيلي - 5 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط - 1,500,000 ساعة (MTBF) / 360 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - true
تقنية التشفير -