صفحة 3 من المقارنة Msi Spatium M371 Nvme M2 500Gb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة Msi Spatium M371 Nvme M2 500Gbمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

الميزة

Msi Spatium M371 Nvme M2 500Gb

قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش QLC
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 2200 ميجابايت في الثانية (mb/s) 560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 1150 ميجابايت في الثانية (mb/s) 530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 88000 IOPS
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 70 درجة مئوية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 110 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1500000 saat
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false -
دعم TRIM false true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T false true
الميزات الإضافية خوارزمية تصحيح الخطأ المتقدمة LDPC ECC / حماية البيانات من طرف إلى طرف (E2E) أثناء النقل / ميزة Pyrite لتشفير وأمن البيانات -
الحجم والأبعاد 2.15 * 22 * 80 مليمتر (mm) 2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)
مؤشر الحالة LED false -
تقنية التشفير - Yes
الجهد التشغيلي - 5 V
وزن المنتج - 46 g

مقارنة Msi Spatium M371 Nvme M2 500Gbمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 4TB (موديل MZ-77Q4T0)

الميزة

Msi Spatium M371 Nvme M2 500Gb

قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 4TB (موديل MZ-77Q4T0)

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 4 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 2200 ميجابايت في الثانية (mb/s) 560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 1150 ميجابايت في الثانية (mb/s) 530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 88000 IOPS
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 70 درجة مئوية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 110 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1500000 saat
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false -
دعم TRIM false true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T false true
الميزات الإضافية خوارزمية تصحيح الخطأ المتقدمة LDPC ECC / حماية البيانات من طرف إلى طرف (E2E) أثناء النقل / ميزة Pyrite لتشفير وأمن البيانات -
الحجم والأبعاد 2.15 * 22 * 80 مليمتر (mm) 2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)
مؤشر الحالة LED false -
تقنية التشفير - Yes
الجهد التشغيلي - 5 V
وزن المنتج - 46 g

مقارنة Msi Spatium M371 Nvme M2 500Gbمع سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

الميزة

Msi Spatium M371 Nvme M2 500Gb

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 2200 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 1150 ميجابايت في الثانية (mb/s) 520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 70 درجة مئوية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 110 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1500000 saat
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false -
دعم TRIM false true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T false true
الميزات الإضافية خوارزمية تصحيح الخطأ المتقدمة LDPC ECC / حماية البيانات من طرف إلى طرف (E2E) أثناء النقل / ميزة Pyrite لتشفير وأمن البيانات -
الحجم والأبعاد 2.15 * 22 * 80 مليمتر (mm) M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
مؤشر الحالة LED false -
تقنية التشفير - Yes
وزن المنتج - 8 g

مقارنة Msi Spatium M371 Nvme M2 500Gbمع محرك أقراص سامسونج PM883 SSD الداخلي

الميزة

Msi Spatium M371 Nvme M2 500Gb

محرك أقراص سامسونج PM883 SSD الداخلي

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 3.84 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 2200 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 1150 ميجابايت في الثانية (mb/s) 520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 30000 IOPS
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 70 درجة مئوية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 110 تيرابايت مكتوبة (TBW) -
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false -
دعم TRIM false -
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T false -
الميزات الإضافية خوارزمية تصحيح الخطأ المتقدمة LDPC ECC / حماية البيانات من طرف إلى طرف (E2E) أثناء النقل / ميزة Pyrite لتشفير وأمن البيانات -
الحجم والأبعاد 2.15 * 22 * 80 مليمتر (mm) 2.5"
مؤشر الحالة LED false -
وزن المنتج - 58 g
خيارات الألوان - Siyah

مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI828مع Msi Spatium M371 Nvme M2 500Gb

علامة تجارية غير معروفة VS إم إس آي
الميزة

قرص صلب داخلي AGI Technology AI828

Msi Spatium M371 Nvme M2 500Gb

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
سعة الذاكرة 2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية 7400 MB/s 2200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 6700 MB/s 1150 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 1500 1,500,000 ساعة (MTBF) / 110 تيرابايت مكتوبة (TBW)
الجهد التشغيلي 3.3 V -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 إلى 70 درجة مئوية
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 3.5 mm) 2.15 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 7.5 g -
دعم S.M.A.R.T true false
دعم TRIM true false
الشهادات والتصديقات BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS -
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - false
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ - false
دعم RAID - false
الميزات الإضافية - خوارزمية تصحيح الخطأ المتقدمة LDPC ECC / حماية البيانات من طرف إلى طرف (E2E) أثناء النقل / ميزة Pyrite لتشفير وأمن البيانات
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة محرك أقراص DELL 345-BGPN SSD الداخليمع Msi Spatium M371 Nvme M2 500Gb

الميزة

محرك أقراص DELL 345-BGPN SSD الداخلي

Msi Spatium M371 Nvme M2 500Gb

سعة الذاكرة 1.6 TB
الحجم والأبعاد 2.5" 2.15 * 22 * 80 مليمتر (mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة SAS
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تقنية التشفير Yes -
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
مواصفات ذاكرة الفلاش -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية - 2200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية - 1150 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط - 1,500,000 ساعة (MTBF) / 110 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ - false
دعم TRIM - false
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - false
الميزات الإضافية - خوارزمية تصحيح الخطأ المتقدمة LDPC ECC / حماية البيانات من طرف إلى طرف (E2E) أثناء النقل / ميزة Pyrite لتشفير وأمن البيانات
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة قرص صلب داخلي جيجابايت اوروس Gen4 7300مع Msi Spatium M371 Nvme M2 500Gb

الميزة

قرص صلب داخلي جيجابايت اوروس Gen4 7300

Msi Spatium M371 Nvme M2 500Gb

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تقنية التشفير Yes -
دعم S.M.A.R.T true false
دعم TRIM true false
سعة الذاكرة 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D TLC NAND
سرعة القراءة التسلسلية 7300 MB/s 2200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 6000 MB/s 1150 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 700 1,500,000 ساعة (MTBF) / 110 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 إلى 70 درجة مئوية
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.3 mm) 2.15 * 22 * 80 مليمتر (mm)
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - false
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ - false
دعم RAID - false
الميزات الإضافية - خوارزمية تصحيح الخطأ المتقدمة LDPC ECC / حماية البيانات من طرف إلى طرف (E2E) أثناء النقل / ميزة Pyrite لتشفير وأمن البيانات
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة كينغستون 3.84 تيرابايت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe SSD للمؤسساتمع Msi Spatium M371 Nvme M2 500Gb

الميزة

كينغستون 3.84 تيرابايت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe SSD للمؤسسات

Msi Spatium M371 Nvme M2 500Gb

تقنية التشفير Yes -
سعة الذاكرة 3.84 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D eTLC
سرعة القراءة التسلسلية 14000 MB/s 2200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 5800 MB/s 1150 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 2700000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 300000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 2000000 saat 1,500,000 ساعة (MTBF) / 110 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 إلى 70 درجة مئوية
الحجم والأبعاد U.2 (69.8 * 100.5 * 14.8 mm) 2.15 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 146.2 g -
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 5.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
ذاكرة DRAM - false
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ - false
دعم TRIM - false
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - false
الميزات الإضافية - خوارزمية تصحيح الخطأ المتقدمة LDPC ECC / حماية البيانات من طرف إلى طرف (E2E) أثناء النقل / ميزة Pyrite لتشفير وأمن البيانات
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة كينغستون 7.68 تيرابايت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe SSD للمؤسساتمع Msi Spatium M371 Nvme M2 500Gb

الميزة

كينغستون 7.68 تيرابايت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe SSD للمؤسسات

Msi Spatium M371 Nvme M2 500Gb

تقنية التشفير Yes -
سعة الذاكرة 7.68 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D eTLC
سرعة القراءة التسلسلية 14000 MB/s 2200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 10000 MB/s 1150 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 2800000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 500000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 2000000 saat 1,500,000 ساعة (MTBF) / 110 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 إلى 70 درجة مئوية
الحجم والأبعاد U.2 (69.8 * 100.5 * 14.8 mm) 2.15 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 151.3 g -
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 5.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
ذاكرة DRAM - false
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ - false
دعم TRIM - false
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - false
الميزات الإضافية - خوارزمية تصحيح الخطأ المتقدمة LDPC ECC / حماية البيانات من طرف إلى طرف (E2E) أثناء النقل / ميزة Pyrite لتشفير وأمن البيانات
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة Msi Spatium M371 Nvme M2 500Gbمع سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

الميزة

Msi Spatium M371 Nvme M2 500Gb

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 2200 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 1150 ميجابايت في الثانية (mb/s) 520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 70 درجة مئوية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 110 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1500000 saat
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false -
دعم TRIM false true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T false true
الميزات الإضافية خوارزمية تصحيح الخطأ المتقدمة LDPC ECC / حماية البيانات من طرف إلى طرف (E2E) أثناء النقل / ميزة Pyrite لتشفير وأمن البيانات -
الحجم والأبعاد 2.15 * 22 * 80 مليمتر (mm) M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
مؤشر الحالة LED false -
تقنية التشفير - Yes
وزن المنتج - 8 g

مقارنة قرص صلب داخلي كينغستون NV1 M.2 NVMeمع Msi Spatium M371 Nvme M2 500Gb

الميزة

قرص صلب داخلي كينغستون NV1 M.2 NVMe

Msi Spatium M371 Nvme M2 500Gb

سعة الذاكرة 2 TB
سرعة القراءة التسلسلية 2100 MB/s 2200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 1700 MB/s 1150 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 480 1,500,000 ساعة (MTBF) / 110 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 إلى 70 درجة مئوية
الحجم والأبعاد M.2 (22 * 80 * 2.1 mm) 2.15 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 7 g -
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 3.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
الشهادات والتصديقات CE, RoHS -
تصميم وأبعاد الجهاز -
مواصفات ذاكرة الفلاش -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - false
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ - false
دعم TRIM - false
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - false
الميزات الإضافية - خوارزمية تصحيح الخطأ المتقدمة LDPC ECC / حماية البيانات من طرف إلى طرف (E2E) أثناء النقل / ميزة Pyrite لتشفير وأمن البيانات
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة كينغستون NV3 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2230 سعة 500 جيجابايتمع Msi Spatium M371 Nvme M2 500Gb

الميزة

كينغستون NV3 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2230 سعة 500 جيجابايت

Msi Spatium M371 Nvme M2 500Gb

سعة الذاكرة 500 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية 5000 MB/s 2200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 3000 MB/s 1150 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 160 1,500,000 ساعة (MTBF) / 110 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 إلى 70 درجة مئوية
الحجم والأبعاد 2230 (22 x 30 mm) (30 * 22 * 2.3 mm) 2.15 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 2.6 g -
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - false
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ - false
دعم TRIM - false
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - false
الميزات الإضافية - خوارزمية تصحيح الخطأ المتقدمة LDPC ECC / حماية البيانات من طرف إلى طرف (E2E) أثناء النقل / ميزة Pyrite لتشفير وأمن البيانات
مؤشر الحالة LED - false