صفحة 10 من المقارنة Micron 3400 Nvme M2 512Gb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة Micron 3400 Nvme M2 512Gbمع Silicon Power PC60 USB 3.2 بسعة 240 جيجابايت

الميزة

Micron 3400 Nvme M2 512Gb

Silicon Power PC60 USB 3.2 بسعة 240 جيجابايت

نوع استخدام الذاكرة داخلي خارجي
منفذ الاتصال بالذاكرة -
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 3753 ميجابايت في الثانية (mb/s) 540 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 2600 ميجابايت في الثانية (mb/s) 500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false false
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 (MTBF) ساعة (h) -
دعم NCQ false false
دعم RAID false false
وزن المنتج 476.9 جرام (g) 46 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
نوع الاتصال - Type-C إلى Type-A من نوع USB 3.2 Gen 2
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 إلى 70 درجة مئوية
دعم TRIM - false
دعم S.M.A.R.T - false
الأنظمة المتوافقة - Windows 7 والإصدارات الأحدث / Mac OS الإصدار 10.3 والإصدارات الأحدث / Linux kernel 2.6 والإصدارات الأحدث / Android 6 والإصدارات الأحدث
الشهادات والتصديقات -
مادة الهيكل - بلاستيك
الحجم والأبعاد - 11.2 * 80 * 80 مليمتر (mm)
محتويات العلبة - كابل USB Type-C إلى USB Type-A

مقارنة Micron 3400 Nvme M2 512Gbمع Samsung PM893 SATA 2.5 بوصة بسعة 480 جيجابايت

الميزة

Micron 3400 Nvme M2 512Gb

Samsung PM893 SATA 2.5 بوصة بسعة 480 جيجابايت

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 3753 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 2600 ميجابايت في الثانية (mb/s) 520 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false false
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 (MTBF) ساعة (h) 2,000,000 (MTBF) ساعة (h)
دعم NCQ false false
دعم RAID false false
وزن المنتج 476.9 جرام (g) 70 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
وحدة التحكم -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 إلى 70 درجة مئوية
الجهد التشغيلي - 5 فولت (v)
استهلاك الطاقة -
دعم TRIM - true
دعم S.M.A.R.T - true
تقنية التشفير -
الميزات الإضافية -
الحجم والأبعاد - 6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)

مقارنة Micron 3400 Nvme M2 512Gbمع Team Group MP34 NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت

الميزة

Micron 3400 Nvme M2 512Gb

Team Group MP34 NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 3753 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2700 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 2600 ميجابايت في الثانية (mb/s) 850 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false true
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 (MTBF) ساعة (h) 1,800,000 ساعة (MTBF) / 380 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ false false
دعم RAID false false
وزن المنتج 476.9 جرام (g) 6 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
وحدة التحكم -
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
دعم TRIM - false
دعم S.M.A.R.T - true
تقنية التشفير -
الأنظمة المتوافقة - Windows الإصدار Vista والإصدارات الأحدث / Linux Kernel 2.6.33 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية -
الحجم والأبعاد - 3.8 * 22 * 80 مليمتر (mm)

مقارنة Micron 3400 Nvme M2 512Gbمع Silicon Power Ace A55 SATA 2.5 بوصة بسعة 2 تيرابايت

الميزة

Micron 3400 Nvme M2 512Gb

Silicon Power Ace A55 SATA 2.5 بوصة بسعة 2 تيرابايت

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة 2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 3753 ميجابايت في الثانية (mb/s) 560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 2600 ميجابايت في الثانية (mb/s) 530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false false
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 (MTBF) ساعة (h) 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
دعم NCQ false true
دعم RAID false true
وزن المنتج 476.9 جرام (g) -
مؤشر الحالة LED false false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
دعم TRIM - true
دعم S.M.A.R.T - true
الميزات الإضافية - دعم ذاكرة التخزين المؤقت SLC / خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / تقنية Intel Smart Response / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / برنامج SP Toolbox

مقارنة Micron 3400 Nvme M2 512Gbمع إكس-إنرجي جولد درايف SATA 2.5 بوصة سعة 1 تيرابايت

الميزة

Micron 3400 Nvme M2 512Gb

إكس-إنرجي جولد درايف SATA 2.5 بوصة سعة 1 تيرابايت

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 3753 ميجابايت في الثانية (mb/s) 500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 2600 ميجابايت في الثانية (mb/s) 400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false false
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 (MTBF) ساعة (h) 2,000,000 (MTBF) ساعة (h)
دعم NCQ false false
دعم RAID false false
وزن المنتج 476.9 جرام (g) 35 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
دعم TRIM - false
دعم S.M.A.R.T - false
الأنظمة المتوافقة - Windows
الميزات الإضافية -
الشهادات والتصديقات -

مقارنة Micron 3400 Nvme M2 512Gbمع Samsung 860EVO SATA 2.5 بوصة بسعة 4 تيرابايت

الميزة

Micron 3400 Nvme M2 512Gb

Samsung 860EVO SATA 2.5 بوصة بسعة 4 تيرابايت

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة 4 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 3753 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 2600 ميجابايت في الثانية (mb/s) 520 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false true
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 (MTBF) ساعة (h) 1,500,000 ساعة (MTBF) / 2,400 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ false false
دعم RAID false true
وزن المنتج 476.9 جرام (g) 86 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
وحدة التحكم -
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
استهلاك الطاقة -
دعم TRIM - true
دعم S.M.A.R.T - true
تقنية التشفير -
الحجم والأبعاد - 6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)

مقارنة Micron 3400 Nvme M2 512Gbمع Team Group MP33 NVMe M.2 بسعة 128 جيجابايت

الميزة

Micron 3400 Nvme M2 512Gb

Team Group MP33 NVMe M.2 بسعة 128 جيجابايت

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 3753 ميجابايت في الثانية (mb/s) 1500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 2600 ميجابايت في الثانية (mb/s) 500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false false
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 (MTBF) ساعة (h) 1,500,000 ساعة (MTBF) / 75 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ false false
دعم RAID false false
وزن المنتج 476.9 جرام (g) 6 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false -
وحدة التحكم -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
دعم TRIM - true
دعم S.M.A.R.T - true
الأنظمة المتوافقة - Windows الإصدار 7 والإصدارات الأحدث / Linux Kernel 2.6.33 والإصدارات الأحدث
الحجم والأبعاد - 3.8 * 22 * 80 مليمتر (mm)

مقارنة Micron 3400 Nvme M2 512Gbمع SK Hynix BC711 NVMe M.2 2280 بسعة 512 جيجابايت

الميزة

Micron 3400 Nvme M2 512Gb

SK Hynix BC711 NVMe M.2 2280 بسعة 512 جيجابايت

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 3753 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 2600 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false false
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 (MTBF) ساعة (h) -
دعم NCQ false false
دعم RAID false false
وزن المنتج 476.9 جرام (g) -
مؤشر الحالة LED false false
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
دعم TRIM - true
دعم S.M.A.R.T - true
الحجم والأبعاد - 2.4 * 22 * 80 مليمتر (mm)

مقارنة Micron 3400 Nvme M2 512Gbمع Truebyte PRO بسعة 120 جيجابايت

الميزة

Micron 3400 Nvme M2 512Gb

Truebyte PRO بسعة 120 جيجابايت

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 3753 ميجابايت في الثانية (mb/s) 540 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 2600 ميجابايت في الثانية (mb/s) 440 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false false
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 (MTBF) ساعة (h) -
دعم NCQ false true
دعم RAID false false
وزن المنتج 476.9 جرام (g) -
مؤشر الحالة LED false false
دعم TRIM - false
دعم S.M.A.R.T - false
الميزات الإضافية -
مادة الهيكل - معدن
خيارات الألوان - أسود، ذهبي

مقارنة Micron 3400 Nvme M2 512Gbمع Silicon Power Velox V55 SATA 2.5 بوصة بسعة 120 جيجابايت

الميزة

Micron 3400 Nvme M2 512Gb

Silicon Power Velox V55 SATA 2.5 بوصة بسعة 120 جيجابايت

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 3753 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 2600 ميجابايت في الثانية (mb/s) 420 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false false
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 (MTBF) ساعة (h) 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
دعم NCQ false true
دعم RAID false true
وزن المنتج 476.9 جرام (g) 63 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
دعم TRIM - true
دعم S.M.A.R.T - true
الميزات الإضافية -
الحجم والأبعاد - 7 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)

مقارنة Micron 3400 Nvme M2 512Gbمع Transcend 110S NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

الميزة

Micron 3400 Nvme M2 512Gb

Transcend 110S NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 3753 ميجابايت في الثانية (mb/s) 1700 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 2600 ميجابايت في الثانية (mb/s) 1400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false false
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 (MTBF) ساعة (h) 2,000,000 ساعة (MTBF) / 200 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ false false
دعم RAID false false
وزن المنتج 476.9 جرام (g) 8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 إلى 70 درجة مئوية
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
دعم TRIM - true
دعم S.M.A.R.T - true
الأنظمة المتوافقة - Windows الإصدار 7 والإصدارات الأحدث / Linux Kernel 2.6.31 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية - خوارزمية تصحيح الخطأ (ECC) / خوارزمية LDPC المتقدمة لتصحيح الأخطاء / دعم خوارزمية GC للاستخدام الأمثل لمساحة الذاكرة / برنامج Transcend SSD Scope
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد - 3.58 * 22 * 80 مليمتر (mm)

مقارنة Micron 3400 Nvme M2 512Gbمع Silicon Power P34A80 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت

الميزة

Micron 3400 Nvme M2 512Gb

Silicon Power P34A80 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 3753 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 2600 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false true
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 (MTBF) ساعة (h) 1655 (TBW) تيرابايت (tb)
دعم NCQ false false
دعم RAID false true
وزن المنتج 476.9 جرام (g) 8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
وحدة التحكم -
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
دعم TRIM - true
دعم S.M.A.R.T - true
الأنظمة المتوافقة - Windows 8.1 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية -
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد - 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)