صفحة 4 من المقارنة Micron 2450 Nvme M2 256Gb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة كينغستون 3.84 تيرابايت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe SSD للمؤسساتمع Micron 2450 Nvme M2 256Gb

الميزة

كينغستون 3.84 تيرابايت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe SSD للمؤسسات

Micron 2450 Nvme M2 256Gb

تقنية التشفير Yes
سعة الذاكرة 3.84 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D eTLC
سرعة القراءة التسلسلية 14000 MB/s 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 5800 MB/s 1600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 2700000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 300000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 2000000 saat 2,000,000 ساعة (MTBF) / 180 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C -
الحجم والأبعاد U.2 (69.8 * 100.5 * 14.8 mm) 22 * 42 مليمتر (mm)
وزن المنتج 146.2 g -
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 5.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز -
ذاكرة DRAM - false
استهلاك الطاقة - أقل من 5500 مللي واط أثناء الاستخدام / أقل من 400 مللي واط (وضع الخمول) / أقل من 3 مللي واط أثناء السكون
دعم NCQ - false
دعم TRIM - false
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - true
الميزات الإضافية - حماية من فقدان الطاقة
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة Micron 2450 Nvme M2 256Gbمع سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

الميزة

Micron 2450 Nvme M2 256Gb

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 1600 ميجابايت في الثانية (mb/s) 520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false -
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 ساعة (MTBF) / 180 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1500000 saat
استهلاك الطاقة أقل من 5500 مللي واط أثناء الاستخدام / أقل من 400 مللي واط (وضع الخمول) / أقل من 3 مللي واط أثناء السكون -
دعم NCQ false -
دعم TRIM false true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true true
تقنية التشفير Yes
الميزات الإضافية حماية من فقدان الطاقة -
الحجم والأبعاد 22 * 42 مليمتر (mm) M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
مؤشر الحالة LED false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 - 70 °C
وزن المنتج - 8 g

مقارنة HP Z Turbo 512GB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit محرك أقراص صلبة داخليمع Micron 2450 Nvme M2 256Gb

الميزة

HP Z Turbo 512GB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit محرك أقراص صلبة داخلي

Micron 2450 Nvme M2 256Gb

وزن المنتج 34.4 g -
الحجم والأبعاد 82 * 30 * 12 mm 22 * 42 مليمتر (mm)
محتويات العلبة HP Z Turbo 512GB PCIe-4x4 Z4/Z6 SSD, heatsink, install guide, warranty card, product notices -
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة -
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة -
مواصفات ذاكرة الفلاش -
سرعة القراءة التسلسلية - 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية - 1600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - false
العمر الافتراضي المتوسط - 2,000,000 ساعة (MTBF) / 180 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة - أقل من 5500 مللي واط أثناء الاستخدام / أقل من 400 مللي واط (وضع الخمول) / أقل من 3 مللي واط أثناء السكون
دعم NCQ - false
دعم TRIM - false
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - true
تقنية التشفير -
الميزات الإضافية - حماية من فقدان الطاقة
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة كينغستون NV3 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2230 سعة 500 جيجابايتمع Micron 2450 Nvme M2 256Gb

الميزة

كينغستون NV3 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2230 سعة 500 جيجابايت

Micron 2450 Nvme M2 256Gb

سعة الذاكرة 500 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية 5000 MB/s 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 3000 MB/s 1600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 160 2,000,000 ساعة (MTBF) / 180 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C -
الحجم والأبعاد 2230 (22 x 30 mm) (30 * 22 * 2.3 mm) 22 * 42 مليمتر (mm)
وزن المنتج 2.6 g -
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - false
استهلاك الطاقة - أقل من 5500 مللي واط أثناء الاستخدام / أقل من 400 مللي واط (وضع الخمول) / أقل من 3 مللي واط أثناء السكون
دعم NCQ - false
دعم TRIM - false
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - true
تقنية التشفير -
الميزات الإضافية - حماية من فقدان الطاقة
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI818مع Micron 2450 Nvme M2 256Gb

علامة تجارية غير معروفة VS ميكرون
الميزة

قرص صلب داخلي AGI Technology AI818

Micron 2450 Nvme M2 256Gb

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
سعة الذاكرة 2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية 5200 MB/s 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 4700 MB/s 1600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 1200 2,000,000 ساعة (MTBF) / 180 تيرابايت مكتوبة (TBW)
الجهد التشغيلي 3.3 V -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C -
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.1 mm) 22 * 42 مليمتر (mm)
وزن المنتج 7.5 g -
دعم S.M.A.R.T true true
دعم TRIM true false
الشهادات والتصديقات BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - false
استهلاك الطاقة - أقل من 5500 مللي واط أثناء الاستخدام / أقل من 400 مللي واط (وضع الخمول) / أقل من 3 مللي واط أثناء السكون
دعم NCQ - false
دعم RAID - false
تقنية التشفير -
الميزات الإضافية - حماية من فقدان الطاقة
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة قرص صلب داخلي جيجابايت اوروس Gen4 7300مع Micron 2450 Nvme M2 256Gb

الميزة

قرص صلب داخلي جيجابايت اوروس Gen4 7300

Micron 2450 Nvme M2 256Gb

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تقنية التشفير Yes
دعم S.M.A.R.T true true
دعم TRIM true false
سعة الذاكرة 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D TLC NAND
سرعة القراءة التسلسلية 7300 MB/s 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 6000 MB/s 1600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 700 2,000,000 ساعة (MTBF) / 180 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C -
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.3 mm) 22 * 42 مليمتر (mm)
تصميم وأبعاد الجهاز -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - false
استهلاك الطاقة - أقل من 5500 مللي واط أثناء الاستخدام / أقل من 400 مللي واط (وضع الخمول) / أقل من 3 مللي واط أثناء السكون
دعم NCQ - false
دعم RAID - false
الميزات الإضافية - حماية من فقدان الطاقة
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة قرص صلب داخلي كينغستون NV1 M.2 NVMeمع Micron 2450 Nvme M2 256Gb

الميزة

قرص صلب داخلي كينغستون NV1 M.2 NVMe

Micron 2450 Nvme M2 256Gb

سعة الذاكرة 2 TB
سرعة القراءة التسلسلية 2100 MB/s 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 1700 MB/s 1600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 480 2,000,000 ساعة (MTBF) / 180 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C -
الحجم والأبعاد M.2 (22 * 80 * 2.1 mm) 22 * 42 مليمتر (mm)
وزن المنتج 7 g -
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 3.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
الشهادات والتصديقات CE, RoHS -
تصميم وأبعاد الجهاز -
مواصفات ذاكرة الفلاش -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - false
استهلاك الطاقة - أقل من 5500 مللي واط أثناء الاستخدام / أقل من 400 مللي واط (وضع الخمول) / أقل من 3 مللي واط أثناء السكون
دعم NCQ - false
دعم TRIM - false
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - true
تقنية التشفير -
الميزات الإضافية - حماية من فقدان الطاقة
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة SSD داخلي لينوفو 4XB1D04758مع Micron 2450 Nvme M2 256Gb

الميزة

SSD داخلي لينوفو 4XB1D04758

Micron 2450 Nvme M2 256Gb

سعة الذاكرة 2 TB
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 76 °C -
الحجم والأبعاد M.2 (80 * 22 * 2.38 mm) 22 * 42 مليمتر (mm)
وزن المنتج 9 g -
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز -
مواصفات ذاكرة الفلاش -
سرعة القراءة التسلسلية - 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية - 1600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - false
العمر الافتراضي المتوسط - 2,000,000 ساعة (MTBF) / 180 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة - أقل من 5500 مللي واط أثناء الاستخدام / أقل من 400 مللي واط (وضع الخمول) / أقل من 3 مللي واط أثناء السكون
دعم NCQ - false
دعم TRIM - false
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - true
تقنية التشفير -
الميزات الإضافية - حماية من فقدان الطاقة
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 1 تيرابايتمع Micron 2450 Nvme M2 256Gb

الميزة

كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 1 تيرابايت

Micron 2450 Nvme M2 256Gb

سعة الذاكرة 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D TLC
سرعة القراءة التسلسلية 14200 MB/s 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 11000 MB/s 1600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 2200000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 2150000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 2000000 saat 2,000,000 ساعة (MTBF) / 180 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C -
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.3 mm) 22 * 42 مليمتر (mm)
وزن المنتج 7.3 g -
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 5.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز -
ذاكرة DRAM - false
استهلاك الطاقة - أقل من 5500 مللي واط أثناء الاستخدام / أقل من 400 مللي واط (وضع الخمول) / أقل من 3 مللي واط أثناء السكون
دعم NCQ - false
دعم TRIM - false
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - true
تقنية التشفير -
الميزات الإضافية - حماية من فقدان الطاقة
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة SSD داخلي لينوفو 4XB7A90875مع Micron 2450 Nvme M2 256Gb

الميزة

SSD داخلي لينوفو 4XB7A90875

Micron 2450 Nvme M2 256Gb

سعة الذاكرة 1.92 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND TLC
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 82000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 28000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 2000000 saat 2,000,000 ساعة (MTBF) / 180 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C -
الحجم والأبعاد 2.5" (70 * 100 * 7 mm) 22 * 42 مليمتر (mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين No
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
دعم S.M.A.R.T true true
تصميم وأبعاد الجهاز -
سرعة القراءة التسلسلية - 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية - 1600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM - false
استهلاك الطاقة - أقل من 5500 مللي واط أثناء الاستخدام / أقل من 400 مللي واط (وضع الخمول) / أقل من 3 مللي واط أثناء السكون
دعم NCQ - false
دعم TRIM - false
دعم RAID - false
تقنية التشفير -
الميزات الإضافية - حماية من فقدان الطاقة
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة Micron 2450 Nvme M2 256Gbمع سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

الميزة

Micron 2450 Nvme M2 256Gb

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 1600 ميجابايت في الثانية (mb/s) 520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false -
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 ساعة (MTBF) / 180 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1500000 saat
استهلاك الطاقة أقل من 5500 مللي واط أثناء الاستخدام / أقل من 400 مللي واط (وضع الخمول) / أقل من 3 مللي واط أثناء السكون -
دعم NCQ false -
دعم TRIM false true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true true
تقنية التشفير Yes
الميزات الإضافية حماية من فقدان الطاقة -
الحجم والأبعاد 22 * 42 مليمتر (mm) M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
مؤشر الحالة LED false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 - 70 °C
وزن المنتج - 8 g

مقارنة كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 2 تيرابايتمع Micron 2450 Nvme M2 256Gb

الميزة

كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 2 تيرابايت

Micron 2450 Nvme M2 256Gb

سعة الذاكرة 2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D TLC
سرعة القراءة التسلسلية 14700 MB/s 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 14000 MB/s 1600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 2200000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 2200000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 2000000 saat 2,000,000 ساعة (MTBF) / 180 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C -
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.3 mm) 22 * 42 مليمتر (mm)
وزن المنتج 7.7 g -
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 5.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز -
ذاكرة DRAM - false
استهلاك الطاقة - أقل من 5500 مللي واط أثناء الاستخدام / أقل من 400 مللي واط (وضع الخمول) / أقل من 3 مللي واط أثناء السكون
دعم NCQ - false
دعم TRIM - false
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - true
تقنية التشفير -
الميزات الإضافية - حماية من فقدان الطاقة
مؤشر الحالة LED - false